专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]制造半导体晶片的方法-CN202080037386.7在审
  • M·博伊;L·克斯特;E·索伊卡;P·施托克 - 硅电子股份公司
  • 2020-04-30 - 2022-01-14 - C30B29/06
  • 一种制造半导体晶片的方法,其中提供硅单晶锭,将锭切割成多个晶体锭块,并且从一个锭块上切割出测试晶片,其中使测试晶片选择性地经受第一热处理方法,并且之后经受第二热处理方法,第二热处理方法包括加热阶段、在保持温度Th下的保持阶段,以及冷却阶段,并且该第二热处理方法在测试晶片上产生径向温度梯度ΔT,然后对半导体材料的晶片进行应力场的分析,以及根据进一步的加工步骤,对从锭块切割出的半导体晶片进行进一步的加工,该进一步的加工步骤是根据测试晶片的分析结果选择的。
  • 制造半导体晶片方法
  • [发明专利]伪等温反应器-CN201580015290.X有效
  • C·威克斯;M·博伊;A·赫尔博汉森 - 托普索公司
  • 2015-03-31 - 2020-09-04 - B01J8/06
  • 本公开以广泛的形式涉及一种用于放热反应的伪等温流动反应器(100),其包括至少两个反应室(108,114)和冷却介质室(102),所述冷却介质室被配置为在压力下在冷却介质的沸点下容纳所述冷却介质,所述反应室(108,114)具有被配置为与冷却介质为热接触的外表面,所述反应室(108,114)的每一个都具有入口和出口,相关的益处在于,使得能够进行两阶段的伪等温操作,同时仅需要单个冷却介质室(102)和仅需要单个冷却介质回路。
  • 等温反应器
  • [发明专利]沸水反应器-CN201680017140.7有效
  • C·威克斯;M·博伊 - 托普索公司
  • 2016-03-18 - 2020-09-04 - B01J8/06
  • 本发明涉及一种用于放热反应的沸水反应器。反应器包括设置在上管板的顶部上的反应物旁路插入件,以在所述上管板的顶部上提供催化剂层,且还提供反应物的冷却流,其旁路绕过催化剂的上层且冷却上管板以免由于催化剂的上层中发生放热反应引起的温度升高。
  • 沸水反应器

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