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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]通过约束来进行的硅化物相控制-CN201610848019.0有效
发明人： B·麦巴奇;E·Y·叶;M·B·奈克;S·D·耐马尼 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2016-09-23 - 公布日： 2022-02-01 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本文所述的实现方式大体涉及金属硅化物的选择性沉积的方法。更具体地，本文所述的实现方式大体涉及形成用于半导体应用的硅化镍纳米线的方法。在一个实现方式中，提供一种处理基板的方法。所述方法包括以下步骤：在基板表面上形成含硅层；在所述含硅层上形成含金属层，所述含金属层包含过渡金属；在所述含金属层的暴露的表面上形成约束层；以及在低于400摄氏度的温度下使所述基板退火，以便从所述含硅层和所述含金属层形成金属硅化物层，其中所述约束层抑制富金属的金属硅化物相的形成。
通过约束进行硅化物相控制

[发明专利]防止铜扩散的电介质/金属阻挡体集成-CN201580006488.1有效
发明人：任河;M·B·奈克;曹勇;石美仪;程亚娜;S·R·V·克萨普拉嘎达 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2015-01-16 - 公布日： 2020-03-10 - 主分类号： H01L21/3205 文献下载
摘要：描述一种在半导体器件中使用的互连件结构和用于制造所述互连件结构的方法。所述方法包括将基板定位在真空处理腔室中。所述基板具有暴露的铜表面和暴露的低k电介质表面。金属层形成在所述铜表面上方而不是在所述低k电介质表面上方。基于金属的电介质层形成在所述金属层和所述低k电介质层上方。
防止扩散电介质金属阻挡集成

[发明专利]整合式金属间隔垫与气隙互连-CN201910748960.9在审
发明人：任河;M·B·奈克 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2015-03-03 - 公布日： 2019-11-12 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本文所述的实施例涉及形成气隙互连的方法。将金属间隔垫层共形地沉积在其上形成有心轴结构的基板上。蚀刻金属间隔垫层以形成间隔垫特征并从基板移除心轴结构。可执行多种其他电介质沉积、图案化与蚀刻步骤以期望地图案化基板上存在的材料。最终，在相邻的间隔垫特征之间形成沟槽并在沟槽上沉积盖层以在相邻的间隔垫特征之间形成气隙。为了封装目的，互连通孔可配置成接触邻近气隙的间隔垫特征中的至少一者。
间隔垫气隙金属间隔蚀刻互连垫层基板电介质沉积沉积盖层地图案化互连通孔基板移除心轴结构可配置可执行图案化整合式轴结构沉积共形封装邻近期望

[发明专利]用于在双镶嵌结构中蚀刻电介质阻挡层的方法-CN201480073342.4有效
发明人：任河;C-L·高;S·S·康;J·T·彭德;S·D·耐马尼;M·B·奈克 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2014-12-18 - 公布日： 2019-11-12 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：提供了用于消除双镶嵌结构中的传导层的早期暴露且用于蚀刻双镶嵌结构中的电介质阻挡层的方法。在一个实施例中，用于蚀刻设置在基板上的电介质阻挡层的方法包括下列步骤：将硬掩模层用作蚀刻掩模来图案化基板，所述基板具有设置在电介质阻挡层上的电介质块状绝缘层，所述硬掩模层设置在电介质块状绝缘层上；在去除未由所述硬掩模层覆盖的所述电介质块状绝缘层之后，暴露电介质阻挡层的部分；从所述基板中去除所述硬掩模层；以及后续蚀刻由所述电介质块状绝缘层暴露的电介质阻挡层。
用于镶嵌结构蚀刻电介质阻挡方法

[发明专利]整合式金属间隔垫与气隙互连-CN201580022152.4有效
发明人：任河;M·B·奈克 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2015-03-03 - 公布日： 2019-08-27 - 主分类号： H01L21/764 文献下载
摘要：本文所述的实施例涉及形成气隙互连的方法。将金属间隔垫层共形地沉积在其上形成有心轴结构的基板上。蚀刻金属间隔垫层以形成间隔垫特征并从基板移除心轴结构。可执行多种其他电介质沉积、图案化与蚀刻步骤以期望地图案化基板上存在的材料。最终，在相邻的间隔垫特征之间形成沟槽并在沟槽上沉积盖层以在相邻的间隔垫特征之间形成气隙。为了封装目的，互连通孔可配置成接触邻近气隙的间隔垫特征中的至少一者。
整合金属间隔互连

[发明专利]用于形成互连结构的钝化保护的方法-CN201580009997.X有效
发明人：任河;M·B·奈克;曹勇;S·R·V·克萨普拉嘎达;石美仪;程亚娜 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2015-01-14 - 公布日： 2019-07-16 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：提供了用于在互连结构中的绝缘材料中所形成的金属接线层上形成钝化保护结构的方法。在一个实施例中，用于在半导体器件的互连结构中的金属接线上形成钝化保护的方法包括：在并入多腔室处理系统的处理腔室中的基板上所形成的互连结构中的由电介质块状绝缘层界定的金属接线上选择性地形成金属覆层；在处理腔室中，在基板上原位地形成阻挡层，其中所述阻挡层是金属电介质层；以及在多腔室处理系统中，在阻挡层上形成电介质覆层。
用于形成互连结构钝化保护方法

[发明专利]作为用于先进互连的介电封顶阻挡层的含金属膜-CN201480069735.8有效
发明人：陈一宏;A·B·玛里克;M·B·奈克;S·D·耐马尼 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2014-11-25 - 公布日： 2019-07-16 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：提供一种形成用于半导体器件中的互连结构的方法。该方法开始于将低k块状介电层形成在基板上并接着在低k块状介电层中形成沟槽。在低k块状介电层上形成衬里层，该衬里层共形地沉积到该沟槽。在衬里层上形成铜层，该铜层填充沟槽。移除铜层与衬里层的部分以形成低k块状介电层、衬里层与铜层的上表面。在低k块状介电层、衬里层与铜层的上表面上形成含金属介电层。
作为用于先进互连封顶阻挡金属膜

[发明专利]使用处理系统的气隙结构集成-CN201480068113.3有效
发明人： M·B·奈克;任河;崔振江 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2014-12-03 - 公布日： 2019-06-14 - 主分类号： H01L21/764 文献下载
摘要：一种用于在集成层堆叠中形成气隙结构的方法，该方法包括在真空下在处理系统中干蚀刻设置在堆叠上的模具层。模具层设置于一个或多个互连件之间，且模具层的干蚀刻的工艺暴露互连件的至少一部分。该方法还包括在互连件的所暴露的部分上沉积衬垫层。在另一个实施例中，一种用于在集成层堆叠中形成气隙结构的方法，包括在真空下在处理系统中的第一处理腔室中干蚀刻设置在堆叠上的氧化物模具层。该方法还包括在互连件上沉积低‑k材料衬垫层，其中衬垫具有小于约2纳米的厚度。在处理系统中执行本文中公开的方法而没有破坏真空。
使用处理系统结构集成

[发明专利]使用共形等离子体增强化学气相沉积(PECVD)膜来缩减关键尺寸的方法-CN200980118333.1无效
发明人：夏立群;M·巴尔塞努;谢美晔;S·李;Z·崔;M·B·奈克;M·D·阿玛柯斯特;W·H·麦克肯克尔 -专利权人：应用材料股份有限公司
申请日： 2009-05-04 - 公布日： 2011-04-20 - 主分类号： H01L21/302 文献下载
摘要：在此提出用于在基板中形成狭窄通孔的方法和设备。利用传统微影技术将图案凹部蚀入基板内。薄共形层形成在基板表面上，包括图案凹部的侧壁和底部上。共形层厚度缩减了图案凹部的有效宽度。利用非等向性蚀刻移除图案凹部底部的共形层而露出下面的基板。接着使用覆盖住图案凹部侧壁的共形层做为罩幕来蚀刻基板。然后使用湿蚀刻剂移除共形层。
使用等离子体增强化学沉积 pecvd 缩减关键尺寸方法

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