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专利名称

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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]垂直场效应晶体管的制作方法-CN201010143473.9有效
发明人： M·雷德克;J·费希尔;A·马西 -专利权人：三星移动显示器株式会社
申请日： 2005-03-11 - 公布日： 2010-08-25 - 主分类号： H01L51/40 文献下载
摘要：本发明提供一种垂直场效应晶体管的制作方法。该方法能高度再现且可低成本地制作垂直有机场效应晶体管。此外，该方法并不需要使用光刻和遮蔽掩膜。在垂直场效应晶体管中，在衬底上形成源电极，并形成绝缘层和间断栅电极。然后，形成电荷载流子阻挡层、有机半导体材料和漏电极。使用纳米颗粒来形成栅电极。
垂直场效应晶体管制作方法

[发明专利]显示器及其制备方法-CN200510073744.7有效
发明人： W·胡布斯;M·雷德克;M·沙伊迪格 -专利权人：三星SDI株式会社
申请日： 2005-05-20 - 公布日： 2006-11-22 - 主分类号： G09F9/30 文献下载
摘要：本发明提供包括基材、和包括多个导体的电极层的显示器，其中在基材与电极层之间插入硅烷衍生物层以增加基材与电极层之间的粘接强度。本发明还提供这种显示器的制造方法。
显示器及其制备方法

[发明专利]有机场效应晶体管及制造方法和含该晶体管的平板显示器-CN200510055145.2有效
发明人： M·雷德克;J·费希尔;A·马西 -专利权人：三星SDI株式会社
申请日： 2005-03-17 - 公布日： 2005-09-28 - 主分类号： H01L51/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种有机场效应晶体管、一种制造该有机场效应晶体管的方法、以及一种包括该有机场效应晶体管的平板显示器件。该有机场效应晶体管包括有机半导体层、栅电极和载荷子阻挡层。该载荷子阻挡层置于栅电极和有机半导体层之间，且包含半导体材料。
有机场效应晶体管制造方法平板显示器

[发明专利]垂直场效应晶体管及其制作方法和含有它的显示装置-CN200510065522.0有效
发明人： M·雷德克;J·费希尔;A·马西 -专利权人：三星SDI株式会社
申请日： 2005-03-11 - 公布日： 2005-09-14 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：本发明提供一种垂直场效应晶体管及其制作方法和含有它的显示装置。该方法能高度再现且可低成本地制作垂直有机场效应晶体管。此外，该方法并不需要使用光刻和遮蔽掩膜。在垂直场效应晶体管中，在衬底上形成源电极，并形成绝缘层和间断栅电极。然后，形成电荷载流子阻挡层、有机半导体材料和漏电极。使用纳米颗粒来形成栅电极。
垂直场效应晶体管及其制作方法含有显示装置

[发明专利]用于喷墨打印的基板及其制造方法-CN200410092123.9有效
发明人： A·尤里格;M·雷德克;M·沙迪格;T·施拉德;W·亨布斯 -专利权人：三星SDI株式会社
申请日： 2004-09-10 - 公布日： 2005-04-06 - 主分类号： B41J2/05 文献下载
摘要：本发明提供一种用于喷墨打印的基板，该基板包括基础基板上的光致抗蚀剂层结构，还提供一种该基板的制造方法。该基板具有高表面张力变化和轻微的厚度变化，且制造成本低。该基板包括由氟化烃或聚硅氧烷制成的位于光致抗蚀剂层结构之上的不连续的有机层结构。
用于喷墨打印及其制造方法

[发明专利]荧光淬火器件以及使用荧光淬火器件的显示器-CN200410028419.4有效
发明人： M·雷德克;J·费希尔 -专利权人：三星SDI株式会社
申请日： 2004-03-11 - 公布日： 2004-12-01 - 主分类号： H05B33/22 文献下载
摘要：一种具有空穴势垒层和/或电子势垒层的显示器，借此空穴势垒层和/或电子势垒层设置在显示器的发射体层和第一电极层或第二电极层之间。空穴势垒层的最高被占据的分子轨道的能量小于发射体层的最高被占据的分子轨道的能量，和/或电子势垒层的最低未被占据的分子轨道的能量大于发射体层的最低未被占据的分子轨道的能量。通过安排空穴势垒层和/或电子势垒层的分子轨道的能级，可以产生势垒，阻止不期望的电荷载流子在显示器的再次发射模式操作期间沿相反方向的注入。
荧光淬火器件以及使用显示器

[发明专利]具允许电子迁移并发射光致发光射线结构的化合物及应用-CN200310114718.5无效
发明人： M·雷德克 -专利权人：三星SDI株式会社
申请日： 2003-12-31 - 公布日： 2004-08-11 - 主分类号： C07D271/06 文献下载
摘要：一种具有电子给体基团和电子受体基团，以及处于电子给体基团和电子受体基团之间的共轭桥连单元的化合物。该化合物容易迁移电子，能够发射光致发光射线。仅在该化合物处于激发状态时出现偶极特征。该化合物适合应用于光学器件，特别是可以用于光致发光猝灭设备。
允许电子迁移发射光致发光射线结构化合物应用

[发明专利]光致发光熄灭设备驱动电路和含有该电路的矩阵显示装置-CN03178664.2有效
发明人： M·雷德克;J·菲彻尔 -专利权人：三星SDI株式会社
申请日： 2003-07-18 - 公布日： 2004-02-25 - 主分类号： G09G3/20 文献下载
摘要：用于驱动平板显示器中的光致发光熄灭设备(PQD)的电路，包括激励晶体管和驱动晶体管，其中每个PQD定义扫描线和数据线交点上的一个像素。根据数据线的电压，该激励晶体管被接通并输出数据线电压。该驱动晶体管被连接在该电路的基准电压端子和PQD之间。当激励晶体管被接通时，根据数据线上的电压，驱动晶体管将施加在基准电压端子的电压施加到PQD的正极。在PQD的发射模式中，当驱动晶体管被接通时，在该PQD的正极和负极之间施加一正向电压，使得该PQD发光。在再发射模式中，当驱动晶体管被关断，在该PQD的正极和负极之间不施加电压，因此该PQD通过光致发光而发光。
光致发光熄灭设备驱动电路含有矩阵显示装置

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