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[发明专利]基于取代的[1]苯并噻吩并[3,2-b][1]苯并噻吩的半导体-CN201180035592.5无效
发明人： T·梅耶尔-弗里德里奇森;K·路透;A·埃尔施纳;M·哈里克 -专利权人：赫劳斯贵金属有限两和公司
申请日： 2011-07-19 - 公布日： 2013-06-05 - 主分类号： C07D495/04 文献下载
摘要：本发明涉及通式(I)的化合物：其中Z为：-被卤素、膦酸基或膦酸酯基-P(O)(OR¹)₂(其中基团R¹可相同或不同且为氢原子或C₁-C₁₂烷基)、磺酸基团-SO₃H、卤代甲硅烷基-SiHal_nR²_3-n(R²=C₁-C₁₈烷基，n=1-3的整数)、巯基或三烷氧基甲硅烷基-Si(OR³)₃(R³=C₁-C₁₈烷基)取代的C₁-C₂₂烷基；-被卤素、膦酸基或膦酸酯基-P(O)(OR¹)₂(其中基团R¹可相同或不同且为氢原子或C₁-C₁₂烷基)、磺酸基团-SO₃H、卤代甲硅烷基-SiHal_nR²_3-n(R²=C₁-C₁₈烷基，n=1-3的整数)、巯基或三烷氧基甲硅烷基-Si(OR³)₃(R³=C₁-C₁₈烷基)取代的C₅-C₁₂环烷基；-被卤素、膦酸基或膦酸酯基-P(O)(OR¹)₂(其中基团R¹可相同或不同且为氢原子或C₁-C₁₂烷基)、磺酸基团-SO₃H、卤代甲硅烷基-SiHal_nR²_3-n(R²=C₁-C₁₈烷基，n=1-3的整数)、巯基或三烷氧基甲硅烷基-Si(OR³)₃(R³=C₁-C₁₈烷基)取代的C₆-C₁₄芳基或选自噻吩基、吡咯基、呋喃基或吡啶基的杂芳基；-任选被卤素、膦酸基或膦酸酯基-P(O)(OR¹)₂(其中基团R¹可相同或不同且为氢原子或C₁-C₁₂烷基)、磺酸基团-SO₃H、卤代甲硅烷基-SiHal_nR²_3-n(R²=C₁-C₁₈烷基，n=1-3的整数)、巯基或三烷氧基甲硅烷基-Si(OR³)₃(R³=C₁-C₁₈烷基)取代的C₇-C₃₀芳烷基；或者-三烷基甲硅烷基R⁵R⁶R⁷Si，其中R⁵、R⁶、R⁷彼此独立地为相同或不同的C₁-C₁₈烷基。本发明还涉及一种半导体层、一种电子组件、一种制备电子组件的方法、可通过该方法获得的电子组件以及通式(I)化合物的用途。
基于取代噻吩半导体

[发明专利]制造层片形式的包装材料的方法-CN200710135764.1有效
发明人： G·施米德;H·克劳克;M·哈里克 -专利权人：因芬尼昂技术股份公司
申请日： 2003-06-30 - 公布日： 2008-03-12 - 主分类号： H01Q1/38 文献下载
摘要：本发明提供了一种制造层片形式的包装材料的方法，包括以下步骤：将一掩膜置于一包装膜上；通过汽相沉积法在包装膜上沉积铝；将具有过量铝的掩膜移除，因此在包装膜上只剩下一个想要的天线结构；将一微芯片粘接至包装膜；以及述微芯片连接至天线结构的端部。
制造形式包装材料方法

[发明专利]利用选择性引介黏合剂制造无线射频识别卷标电沉积天线的方法-CN03815362.9无效
发明人： G·施米德;H·克劳克;M·哈里克;U·滋斯奇埃斯钱格;W·韦伯;A·米勒－希佩 -专利权人：因芬尼昂技术股份公司
申请日： 2003-04-29 - 公布日： 2006-02-01 - 主分类号： C25D7/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种产生结构性金属层的方法，如同做为范例的一个RF ID卷标的天线。所述结构金属层被电沉积在一个阴极上，在其表面定义导电与非导电的区域。在一剩余体积中，将一黏合剂施加到被沉积的金属层上，借此，所述结构性金属层使可以坚固地黏合到一个载体层上。
利用选择性黏合剂制造无线射频识别卷标电沉积天线方法

[发明专利]具有半导体路径的半导体装置及其制造方法-CN03818432.X无效
发明人： H·克劳克;G·施米德;U·茨施尚;M·哈里克;E·特佐格鲁 -专利权人：因芬尼昂技术股份公司
申请日： 2003-07-15 - 公布日： 2005-09-21 - 主分类号： H01L51/20 文献下载
摘要：本发明乃涉及一种具有一半导体路径的半导体装置，其包括一有机半导体材质，一用于将电荷载体注入该半导体路径之中的第一接触，以及用于自该半导体路径撷取电荷载体的第二接触，其中，一磷化氢层乃会被配置于该第一接触以及该半导体路径间，及/或，在该第二接触以及该半导体路径间。此外，该磷化氢乃是作用为一电荷传递分子，以使得可以更容易地在接触以及有机半导体材质间传递电荷载体。因此，在接触以及有机半导体材质之间的接触电阻可以被显著地降低。
具有半导体路径装置及其制造方法

[发明专利]作为改善有机半导体中电荷载子移动性添加剂之硅粒子-CN03809731.1无效
发明人： M·哈里克;G·施米德;H·克劳克 -专利权人：因芬尼昂技术股份公司
申请日： 2003-04-11 - 公布日： 2005-08-03 - 主分类号： H01L51/30 文献下载
摘要：本发明乃与一种具有以有机半导体材料作为一半导体路径之半导体装置有关。半导体粒子或半导体团簇乃无规则地分布于该有机半导体材料中，该等半导体粒子及/或半导体团簇亦能够藉由链接分子而链接。添加半导体粒子至该有机半导体材料中可提升，举例而言，一包含有此类半导体路径的一场效晶体管的电性。
作为改善有机半导体荷载移动性添加剂粒子

[发明专利]具有以有机半导体为基础的晶体管及非易失性读/存储器胞元的半导体装置-CN02822846.4无效
发明人： G·施米德;M·哈里克;H·克劳克 -专利权人：因芬尼昂技术股份公司
申请日： 2002-11-15 - 公布日： 2005-07-06 - 主分类号： G11C11/22 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有以有机半导体为基础的晶体管及非易失性读/存储器胞元的半导体装置。本发明的半导体装置是由晶体管构造而成，且其半导体路径由有机半导体所组成，并具有以铁电效应为基础而较佳在聚合物内的存储器胞元，可应用于例如射频识别卷标(RF－ID Tags)。
具有有机半导体基础晶体管非易失性读存储器半导体装置

[发明专利]具有做为天线结构的导电层的层片-CN03148329.1无效
发明人： G·施米德;H·克劳克;M·哈里克 -专利权人：因芬尼昂技术股份公司
申请日： 2003-06-30 - 公布日： 2004-03-17 - 主分类号： H01Q1/38 文献下载
摘要：本发明是关于包含一载体层及一导电层的层片，其于一区段中形成一天线结构。该天线结构可以与该导电层在共同的工序中制造。该天线结构连接至一微芯片，因此数据可在不接触的情况下被写入或读出。
具有做为天线结构导电

[发明专利]铝和铜金属化的绝缘材料-CN03145750.9有效
发明人： R·塞滋;A·沃尔特;A·马坦伯格;K·洛瓦克;M·哈里克 -专利权人：因芬尼昂技术股份公司
申请日： 2003-06-27 - 公布日： 2004-02-04 - 主分类号： C07C235/02 文献下载
摘要：本发明涉及高温稳定的铝和铜金属化的介电体。令人惊奇的是－尽管在环化期间消除水－该聚合介电体非常合适用于填充窄沟槽。该填充过的沟槽不具有任何缺陷及气泡或裂痕。聚苯并噁唑具介电常数K≤2.7且合适用作电绝缘体。而且这些材料对与微电子装置相关的所有表面的黏着很好。
金属化绝缘材料

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