专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]具有生物基粘结剂的隔离产品-CN201110401232.4无效
  • C·M·霍金斯;J·M·赫南德兹-托瑞斯;L·陈;E·A·马蒂尼;J·查库 - 欧文斯科宁知识产权资产有限公司
  • 2011-11-25 - 2012-09-05 - D04H1/587
  • 本发明涉及具有水性粘结剂组合物的纤维隔离产品,该组合物包含碳水化合物和交联剂。在示例性实施方式中,该碳水化合物基粘结剂组合物还可包含催化剂,偶联剂,操作助剂,交联密度增强剂,增量剂,抗湿剂,防尘剂,着色剂,腐蚀抑制剂,表面活性剂,pH值调节剂,及其组合。该碳水化合物可以为天然来源且得自可再生资源。另外,该碳水化合物聚合物可具有2-20的右旋糖当量(DE)值。在至少一种示例性实施方式中,该碳水化合物是水溶性多糖如糊精或麦芽糖糊精且该交联剂是柠檬酸。有利地,该碳水化合物具有低粘度且在适中温度下固化。该环境友好的无甲醛粘结剂可被用在隔离材料和非织造短切纤维垫的成型中。本发明还提供制造纤维隔离产品的方法。
  • 具有生物粘结隔离产品
  • [发明专利]用于减少通信设备中的近场辐射和特殊吸收比率(SAR)值的方法-CN201080033814.5无效
  • M·T·蒙特戈梅里;F·M·凯米;P·A·托尔纳塔;M·W·基什勒;L·陈 - 斯凯克罗斯公司
  • 2010-05-24 - 2012-07-11 - H01Q3/30
  • 提供用于减少通信设备中的近场辐射和特殊吸收比率(SAR)值的方法。该通信设备包括发送和接收电磁信号的多模式天线结构以及用于处理传送到该天线结构和从其传送的信号的电路。该天线结构包括:可操作地耦合到所述电路的多个天线端口;多个天线元件,每个天线元件可操作地耦合到所述天线端口中的不同的天线端口;以及一个或多个连接元件,其在与耦合到其的天线端口间隔开的每个天线元件上的位置处电气连接所述天线元件,以形成单个辐射结构以及以使得一个天线元件上的电流流向连接的相邻天线元件并大体绕过耦合于所述相邻天线元件的天线端口,流过所述一个天线元件和所述相邻天线元件的电流在幅度上大体相等,以使得在给定期望信号频率范围处由一个天线端口激励的天线模式与由另一天线端口所激励的模式大体电气隔离,且所述天线结构生成不同的天线方向图。该方法包括调整馈送到所述天线结构的相邻天线端口的信号之间的相对相位以使得馈送到所述一个天线端口的信号具有与馈送到所述相邻天线端口的信号不同的相位以提供天线方向图控制并且增加朝向接收点的选定方向上的增益。该方法特征在于使用低于在所述天线结构的非方向图控制操作中使用的发送功率的发送功率以使得所述通信设备获得大体等同的无线链路性能,其中所述接收点使用与所述非方向图控制操作相比减小的发送功率,由此减少所述特殊吸收比率。
  • 用于减少通信设备中的近场辐射特殊吸收比率sar方法
  • [发明专利]具有提高的量子效率的发光二极管和制造方法-CN201080039739.3无效
  • 苏杰;O·克利里欧科;Y·梅尔尼克;H·科吉里;L·陈;石川哲也 - 应用材料公司
  • 2010-07-30 - 2012-05-30 - H01L33/08
  • 量子阱结构的一个实施方式包含有源区,所述有源区包括有源层,所述有源层包含量子阱和障壁层,其中有源层中的一些或全部为p型掺杂的。P型掺杂有源层中的一些或全部通过将P-N结的位置定位在元件的有源区中进而使主要辐射复合能够发生在有源区内,来改良III-V化合物半导体发光二极管的量子效率。在一个实施方式中,在具有含共晶源合金的氢化物气相外延(HVPE)沉积腔室的组合工具中制造量子阱结构。在一个实施方式中,通过组合工具在分离腔室中生长氮化铟镓(InGaN)层和镁掺杂的氮化镓(Mg-GaN)或镁掺杂的氮化铝镓(Mg-AlGaN)层,避免铟与镁交叉污染。也描述了通过使用III族金属共晶的氢化物气相外延进行对III族氮化物的掺杂。在一个实施方式中,提供用于p型或n型III族氮化物外延膜的HVPE沉积的源,所述源包括与III族物种的液相机械(共晶)混合物。在一个实施方式中,提供用于执行p型或n型III族氮化物外延膜的HVPE沉积的方法,所述方法包括使用与III族物种的液相机械(共晶)混合物。
  • 具有提高量子效率发光二极管制造方法
  • [发明专利]用于检测晶片上的缺陷的系统和方法-CN201080005635.0有效
  • L·陈;J·柯克伍德;M·马哈德凡;J·A·史密斯;L·高;J·黄;T·罗;R·沃林福德 - 恪纳腾公司
  • 2010-01-22 - 2011-12-21 - H01L21/66
  • 本发明提供了一种检测晶片上的缺陷的系统和方法。一种方法包括通过用检查系统使用所述检查系统的第一光学状态和第二光学状态扫描所述晶片来针对晶片产生输出。所述第一光学状态和所述第二光学状态由所述检查系统的至少一个光学参数的不同值来限定。所述方法还包括使用利用所述第一光学状态产生的输出针对所述晶片产生第一图像数据并且使用利用所述第二光学状态产生的输出针对所述晶片产生第二图像数据。另外,所述方法包括组合对应于所述晶片上基本相同位置的所述第一图像数据和所述第二图像数据,由此针对所述晶片产生额外图像数据。所述方法还包括使用所述额外图像数据检测所述晶片上的缺陷。
  • 用于检测晶片缺陷系统方法
  • [发明专利]由乙酸经由乙醛生产乙酸乙烯酯的整合方法-CN200980153225.8无效
  • V·J·约翰斯顿;J·H·津克;L·陈;B·F·金米奇;J·T·查普曼 - 国际人造丝公司
  • 2009-12-28 - 2011-12-07 - C07C69/15
  • 本发明提供了一种在气相中从乙酸生产乙酸乙烯酯单体(VAM)的经济的多步整合方法。首先,在加氢催化剂组合物上将乙酸选择性加氢形成乙醛。所形成的乙醛通过与乙酸酐的反应可被转化为二乙酸亚乙基酯。在接下来的步骤中所形成的二乙酸亚乙基酯被热分解以形成VAM和乙酸。可选地,在第一步中形成的乙醛可选择性地与乙烯酮反应形成VAM。在本发明的一个实施方案中,在负载在二氧化硅上的铂和铁上,乙酸和氢气在气相中在约300℃的温度下选择性反应生成乙醛,其在负载铂的催化剂上选择性加氢形成乙醇且在NAFION催化剂上在约185℃的温度下脱水形成乙烯,其与分子氧和乙酸混合并在约150℃到170℃的温度下在负载在二氧化钛上的钯/金/钾催化剂上反应形成VAM。
  • 乙酸经由乙醛生产乙烯整合方法

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