专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]用于光刻术的量测-CN201380035631.0有效
  • 毛瑞特斯·范德查尔;K·巴哈特塔卡里雅;H·斯米尔德 - ASML荷兰有限公司
  • 2013-06-17 - 2018-02-06 - G03F7/20
  • 一种光刻过程用于形成在横跨衬底的多个部位处分布且具有重叠的周期结构的多个目标结构(92,94),所述重叠的周期结构具有横跨所述目标结构分布的多个不同的重叠偏置值。所述目标结构中的至少一些包括多个重叠的周期结构(例如光栅),所述多个重叠的周期结构比所述多个不同的重叠偏置值少。不对称度测量针对于目标结构获得。所检测的不对称度用于确定光刻过程的参数。可以在校正底光栅不对称度的效应和使用横跨衬底的重叠误差的多参数模型的同时计算重叠模型参数,包括平移、放大和旋转。
  • 用于光刻

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