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[发明专利]光致抗蚀剂组合物及图案形成方法-CN202211151141.4在审
发明人： I·考尔;J·凯茨;杨可;李明琦;C·卡特勒 -专利权人：罗门哈斯电子材料有限责任公司
申请日： 2022-09-21 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： G03F7/004 文献下载
摘要：一种光致抗蚀剂组合物，包含：聚合物，该聚合物包含：衍生自包含取代的内酯的第一单体的第一重复单元，其中该第一重复单元包含衍生自该取代的内酯的内酯环，并且其中该内酯环的碳原子形成该聚合物的主链的一部分，以及衍生自包含缩醛基团的第二单体的第二重复单元；光酸产生剂；以及溶剂。
光致抗蚀剂组合图案形成方法

[发明专利]光致抗蚀剂组合物及图案形成方法-CN202211182841.X在审
发明人：杨可;李明琦;李忠奉;C-B·徐;I·考尔;T·马兰戈尼;J·凯茨 -专利权人：罗门哈斯电子材料有限责任公司
申请日： 2022-09-27 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： G03F7/004 文献下载
摘要：光致抗蚀剂组合物包含：酸敏感聚合物，其包含含酯缩醛基团的重复单元，其中该酸敏感聚合物不含叔烷基酯基团并且基本上不含芳香族基团；包含碱不稳定基团的材料；不含氟的光酸产生剂化合物，其产生pKa为‑2或更大的酸，并且其中该光致抗蚀剂组合物不含产生pKa小于‑2的酸的光酸产生剂；以及溶剂。该光致抗蚀剂组合物和使用该光致抗蚀剂组合物的图案形成方法特别地可用于在半导体制造工业中形成精细光刻图案。
光致抗蚀剂组合图案形成方法

[发明专利]光致抗蚀剂组合物和方法-CN201811634448.3有效
发明人： J·凯茨;T·马兰戈尼;E·阿卡德;A·M·科沃克;李明琦;T·卡多拉西亚;C-B·李;K·杨;刘骢 -专利权人：罗门哈斯电子材料有限责任公司
申请日： 2018-12-29 - 公布日： 2022-10-11 - 主分类号： G03F7/004 文献下载
摘要：提供新型光致抗蚀剂和面涂层组合物，其适用于各种应用。在一个方面，提供新型光致抗蚀剂组合物，其包含：(a)第一基质聚合物；(b)一种或多种酸产生剂；和(c)一种或多种式(I)和/或(II)的添加剂化合物。
光致抗蚀剂组合方法

[发明专利]光致抗蚀剂面漆组合物及图案形成方法-CN202111680559.X在审
发明人： J·凯茨;B·马尔布雷希特;王德岩;M·H·小霍华德 -专利权人：罗门哈斯电子材料有限责任公司;杜邦电子公司
申请日： 2021-12-27 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： G03F7/004 文献下载
摘要：一种面漆组合物，其包含包括衍生自一种或多种式(1)的单体的重复单元的聚合物；和溶剂，其中，Z1、Z2、R1、R2、和L是如本文所描述的，并且P是可聚合基团。
光致抗蚀剂面漆组合图案形成方法

[发明专利]光致抗蚀剂组合物及图案形成方法-CN202111513464.9在审
发明人： J·凯茨;B·马尔布雷希特;王德岩;M·H·小霍华德 -专利权人：罗门哈斯电子材料有限责任公司;杜邦电子公司
申请日： 2021-12-10 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： G03F7/004 文献下载
摘要：公开了一种光致抗蚀剂组合物，该光致抗蚀剂组合物包含：第一聚合物，该第一聚合物包含第一重复单元，该第一重复单元包含酸不稳定基团；和第二聚合物，该第二聚合物包含衍生自一种或多种具有式(4)的单体的重复单元；光酸产生剂；以及溶剂，其中Z1、Z2、R1、R2、以及L是如本文所描述的，并且P是可聚合基团。
光致抗蚀剂组合图案形成方法

[发明专利]促进粘附的光致抗蚀剂底层组合物-CN202111515012.4在审
发明人： J·凯茨;杨可;张可人;崔莉;J·F·卡梅伦;D·B·米尔沃德;山田晋太郎 -专利权人：罗门哈斯电子材料有限责任公司
申请日： 2021-12-13 - 公布日： 2022-06-21 - 主分类号： C09D171/00 文献下载
摘要：公开了一种光致抗蚀剂底层组合物，其包含：聚(亚芳基醚)；具有式(14)的添加剂：D‑(L1‑Ar‑[X]n)m(14)；以及溶剂，其中，在式(14)中，D是取代或未取代的C1‑60有机基团，任选地其中D是所述取代或未取代的C1‑60有机基团的有机酸盐；每个L1独立地是单键或二价连接基团，当L1是单键时，D可以是任选地与Ar稠合的取代或未取代的C3‑30环烷基或取代或未取代的C1‑20杂环烷基，每个Ar独立地是单环或多环的C5‑60芳香族基团，每个X独立地是‑OR30、‑SR31、或‑NR32R33，m是1至6的整数，每个n独立地是0至5的整数，前提是所有n的总和是2或更大，并且R30至R33是如本文所提供的。
促进粘附光致抗蚀剂底层组合

[发明专利]光致抗蚀剂底层组合物及图案化方法-CN202111453047.X在审
发明人： J·凯茨;M·芬奇;P·J·拉博姆;山田晋太郎;S·M·科莱 -专利权人：罗门哈斯电子材料有限责任公司
申请日： 2021-12-01 - 公布日： 2022-06-21 - 主分类号： G03F7/09 文献下载
摘要：一种在衬底上形成图案的方法，该方法包括：在该衬底的表面上形成光致抗蚀剂底层，该光致抗蚀剂底层由包含具有小于110℃的玻璃化转变温度的聚合物和溶剂的组合物形成；对该光致抗蚀剂底层进行金属前体处理，其中该金属前体浸渗该光致抗蚀剂底层的自由体积；以及将金属前体处理的光致抗蚀剂底层暴露于氧化剂以提供金属化光致抗蚀剂底层。
光致抗蚀剂底层组合图案方法

[发明专利]光致抗蚀剂底层组合物及图案化方法-CN202111444330.6在审
发明人： J·凯茨;M·芬奇;P·J·拉博姆;山田晋太郎;S·M·科莱 -专利权人：罗门哈斯电子材料有限责任公司
申请日： 2021-11-30 - 公布日： 2022-06-21 - 主分类号： G03F7/09 文献下载
摘要：一种在衬底上形成图案的方法，所述方法包括：在所述衬底的表面上形成光致抗蚀剂底层，其中所述光致抗蚀剂底层由包含聚合物和溶剂的组合物形成，并且所述光致抗蚀剂底层具有大于47at％的碳含量；用金属前体处理所述光致抗蚀剂底层，其中所述金属前体渗入所述光致抗蚀剂底层的自由体积；以及将所述经金属前体处理的光致抗蚀剂底层暴露于氧化剂以提供金属化的光致抗蚀剂底层。
光致抗蚀剂底层组合图案方法

[发明专利]光致抗蚀剂组合物及图案形成方法-CN202111260293.3在审
发明人：侯希森;李明琦;J·凯茨;T·马兰戈尼;P·特雷夫纳斯三世 -专利权人：罗门哈斯电子材料有限责任公司
申请日： 2021-10-28 - 公布日： 2022-05-06 - 主分类号： G03F7/004 文献下载
摘要：光致抗蚀剂组合物包含：酸敏感聚合物，其包含由包含酸可分解基团的第一可自由基聚合单体形成的第一重复单元和由包含羧酸基团的第二可自由基聚合单体形成的第二重复单元；包含两个或更多个烯醇醚基团的化合物，其中所述化合物不同于所述酸敏感聚合物；包含碱不稳定基团的材料；光酸产生剂；以及溶剂。所述光致抗蚀剂组合物和使用所述光致抗蚀剂组合物的图案形成方法特别地可用于在半导体制造工业中形成精细光刻图案。
光致抗蚀剂组合图案形成方法

[发明专利]用于光致抗蚀剂底层的涂料组合物-CN202110934022.5在审
发明人： J·凯茨;刘盛;崔莉;山田晋太郎;S·M·科莱;L-S·科 -专利权人：罗门哈斯电子材料有限责任公司
申请日： 2021-08-13 - 公布日： 2022-03-18 - 主分类号： C09D165/00 文献下载
摘要：一种光致抗蚀剂底层组合物，其包含聚合物，所述聚合物包含具有式(1)的重复单元：其中Ar是单环或多环C5‑60芳香族基团，其中所述芳香族基团包含一个或多个芳香族环杂原子、包含杂原子的取代基、或其组合；R1是氢、取代或未取代的C1‑30烷基、取代或未取代的C1‑30杂烷基、取代或未取代的C3‑30环烷基、取代或未取代的C2‑30杂环烷基、取代或未取代的C2‑30烯基、取代或未取代的C2‑30炔基、取代或未取代的C6‑30芳基、取代或未取代的C7‑30芳基烷基、取代或未取代的C7‑30烷基芳基、取代或未取代的C3‑30杂芳基、或取代或未取代的C4‑30杂芳基烷基；并且R2是取代或未取代的C1‑30烷基、取代或未取代的C1‑30杂烷基、取代或未取代的C3‑30环烷基、取代或未取代的C2‑30杂环烷基、取代或未取代的C2‑30烯基、取代或未取代的C2‑30炔基、取代或未取代的C6‑30芳基、取代或未取代的C7‑30芳基烷基、取代或未取代的C7‑30烷基芳基、取代或未取代的C3‑30杂芳基、或取代或未取代的C4‑30杂芳基烷基，其中R1和R2可以任选地一起形成环。
用于光致抗蚀剂底层涂料组合

[发明专利]底层组合物及图案化方法-CN202110946464.1在审
发明人： J·凯茨;刘盛;崔莉;山田晋太郎;J·F·卡梅伦;E·阿卡德;L-S·科;S·M·科莱 -专利权人：罗门哈斯电子材料有限责任公司
申请日： 2021-08-18 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： C08G8/04 文献下载
摘要：公开了一种底层组合物，其包含聚合物，所述聚合物包含具有式(1)的重复单元，其中Ar是单环或多环的C5‑60芳香族基团，其中所述芳香族基团包含一个或多个芳香族环杂原子、包含杂原子的取代基、或其组合；X是C或O；R1、R2、Ra和Rb是如本文所提供的；任选地，R1和R2可以一起形成5元至7元环；任选地，R11至R13中的一个可以与R1一起形成5元至7元环；其中Ra和Rb任选地可以一起形成5元至7元环；其中Ra或Rb中的一个任选地可以与R2一起形成5元至7元环；并且当X是O时，Ra和Rb是不存在的。
底层组合图案方法

[发明专利]抗蚀剂底层组合物及使用此类组合物的图案形成方法-CN202010418531.8在审
发明人：崔莉;山田晋太郎;L-S·科;P·J·拉博姆;S·M·科莱;J·F·卡梅伦;张可人;J·凯茨 -专利权人：罗门哈斯电子材料有限责任公司
申请日： 2020-05-18 - 公布日： 2020-12-01 - 主分类号： G03F7/004 文献下载
摘要：公开了一种抗蚀剂底层组合物，其包括：聚合物，所述聚合物具有聚合物主链和侧接到所述聚合物主链的取代或未取代的富勒烯基团；和溶剂，其量基于总的抗蚀剂底层组合物为50至99.9重量％。
抗蚀剂底层组合使用图案形成方法

[发明专利]抗蚀剂组合物、其制造方法及包含其的制品-CN202010418705.0在审
发明人： J·凯茨;侯希森;李明琦;T·马兰戈尼;E·阿卡德;宋旸 -专利权人：罗门哈斯电子材料有限责任公司
申请日： 2020-05-18 - 公布日： 2020-12-01 - 主分类号： C08F220/18 文献下载
摘要：本文公开了包含第一重复单元和第二重复单元的聚合物，其中所述第一重复单元含有酸不稳定基团，并且所述第二重复单元具有式(1)的结构：其中R1、R2和R3各自独立地是氢、卤素、取代或未取代的C1至C12烷基或C3至C12环烷基，其任选地含有醚基团、羰基、酯基团、碳酸酯基团、胺基团、酰胺基团、脲基团、硫酸酯基团、砜基团、亚砜基团、N‑氧化物基团、磺酸酯基团、磺酰胺基团、或其组合、取代或未取代的C6至C14芳基、或C3至C12杂芳基，其中所述取代是卤素、羟基、氰基、硝基、C1至C12烷基、C1至C12卤代烷基、C1至C12烷氧基、C3至C12环烷基、氨基、C2‑C6烷酰基、甲酰氨基、取代或未取代的C6至C14芳基、或C3至C12杂芳基；其中R1和R2一起任选地形成环；并且其中n＝1‑3。
抗蚀剂组合制造方法包含制品

[发明专利]抗蚀剂底层组合物和用该组合物形成图案的方法-CN202010267952.5在审
发明人： J·凯茨;K·杨;张可人;J·F·卡梅伦;崔莉;E·阿卡德;山田晋太郎;P·J·拉博姆 -专利权人：罗门哈斯电子材料有限责任公司
申请日： 2020-04-07 - 公布日： 2020-10-30 - 主分类号： G03F7/004 文献下载
摘要：抗蚀剂底层组合物，其包含聚亚芳基醚、不同于所述聚亚芳基醚的添加剂聚合物和溶剂，其中所述添加剂聚合物包括具有选自羟基、巯基和/或氨基的至少一个受保护或游离官能团的芳族或杂芳族基团。
抗蚀剂底层组合形成图案方法

[发明专利]用于控制螺旋桨装置的涡轮机叶片的角位置的装置-CN201380078624.9有效
发明人： J·凯茨 -专利权人： J·凯茨;E·昂加尔
申请日： 2013-12-10 - 公布日： 2019-02-19 - 主分类号： B64C11/14 文献下载
摘要：一种用于自动地控制螺旋桨装置的涡轮机叶片的角位置的装置，其中所述涡轮机叶片可围绕旋转轴旋转且可围绕其相应枢转轴枢转地移位。所述装置包括：一组控制叶片，其与所述涡轮机叶片运动地连接，所述控制叶片在所述螺旋桨装置暴露于流体流时可围绕相应枢转轴枢转地移位。所述装置进一步包括传递单元，其被配置用于将所述控制叶片的枢转移位传递至所述涡轮机叶片，使得所述涡轮机叶片可通过所述控制叶片枢转。所述涡轮机叶片的枢转与所述控制叶片的所述枢转同时发生。所述涡轮机叶片的角度安排是自动设置的且保持不变，而不管所述流体流的方向如何。
用于控制螺旋桨装置涡轮机叶片位置

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