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[发明专利]具有多个电介质栅极堆叠的存储器器件及相关方法-CN201310666570.X有效
发明人： P·卡雷;S·阿莱格雷-马雷;N·劳贝特;柳青;H·贾根纳森;L·埃奇;K·程;B·多丽丝 -专利权人：意法半导体公司;国际商业机器公司
申请日： 2013-12-09 - 公布日： 2014-10-01 - 主分类号： H01L27/105 文献下载
摘要：本发明公开了一种存储器器件，可以包括半导体衬底和在半导体衬底中的存储器晶体管。存储器晶体管可以包括在半导体衬底中的源极区域和漏极区域、以及在源极区域和漏极区域之间的沟道区域、以及栅极堆叠。栅极堆叠可以包括在沟道区域之上的第一电介质层、在第一电介质层之上的第一扩散阻挡层、在第一扩散阻挡层之上的第一导电层、在第一导电层之上的第二电介质层、在第二电介质层之上的第二扩散阻挡层和在第二扩散阻挡层之上的第二导电层。第一电介质层和第二电介质层可以包括不同电介质材料，并且第一扩散阻挡层可以比第二扩散阻挡层更薄。
具有电介质栅极堆叠存储器器件相关方法

[实用新型]存储器器件-CN201320811059.X有效
发明人： P·卡雷;S·阿莱格雷-马雷;N·劳贝特;柳青;H·贾根纳森;L·埃奇;K·程;B·多丽丝 -专利权人：意法半导体公司;国际商业机器公司
申请日： 2013-12-09 - 公布日： 2014-07-30 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种存储器器件，可以包括半导体衬底和在半导体衬底中的存储器晶体管。存储器晶体管可以包括在半导体衬底中的源极区域和漏极区域、以及在源极区域和漏极区域之间的沟道区域、以及栅极堆叠。栅极堆叠可以包括在沟道区域之上的第一电介质层、在第一电介质层之上的第一扩散阻挡层、在第一扩散阻挡层之上的第一导电层、在第一导电层之上的第二电介质层、在第二电介质层之上的第二扩散阻挡层和在第二扩散阻挡层之上的第二导电层。第一电介质层和第二电介质层可以包括不同电介质材料，并且第一扩散阻挡层可以比第二扩散阻挡层更薄。
存储器器件