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[发明专利]用于光刻术的量测-CN201380035631.0有效
发明人：毛瑞特斯·范德查尔;K·巴哈特塔卡里雅;H·斯米尔德 -专利权人： ASML荷兰有限公司
申请日： 2013-06-17 - 公布日： 2018-02-06 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：一种光刻过程用于形成在横跨衬底的多个部位处分布且具有重叠的周期结构的多个目标结构(92，94)，所述重叠的周期结构具有横跨所述目标结构分布的多个不同的重叠偏置值。所述目标结构中的至少一些包括多个重叠的周期结构(例如光栅)，所述多个重叠的周期结构比所述多个不同的重叠偏置值少。不对称度测量针对于目标结构获得。所检测的不对称度用于确定光刻过程的参数。可以在校正底光栅不对称度的效应和使用横跨衬底的重叠误差的多参数模型的同时计算重叠模型参数，包括平移、放大和旋转。
用于光刻

[发明专利]量测方法和设备、衬底、光刻系统以及器件制造方法-CN201380027929.7有效
发明人： M·杰克;A·库兰;H·斯米尔德 -专利权人： ASML荷兰有限公司
申请日： 2013-05-01 - 公布日： 2018-01-09 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：一种通过光刻过程形成在衬底上的量测目标包括多个分量光栅。使用被分量光栅衍射的辐射的+1和‑1级形成目标的图像。在被检测的图像中的感兴趣的区域(ROIs)对应于分量光栅被识别。在每个ROI内的强度值被处理并且在图像之间被比较，以获得不对称度的测量结果，并因此获得重叠误差的测量结果。分隔区形成在分量光栅之间，并且被设计成提供图像中的暗区域。在一实施例中，ROI被选择成它们的边界落入与分隔区相对应的图像区域中。通过这样的措施，不对称度测量对ROI的位置的变化有更大的容许度。暗区域也帮助识别图像中的目标。
方法设备衬底光刻系统以及器件制造

[发明专利]量测方法和设备、光刻系统和器件制造方法-CN201180054351.5有效
发明人： H·斯米尔德;A·布里克尔;W·考恩;M·库比斯;P·沃纳尔 -专利权人： ASML荷兰有限公司
申请日： 2011-11-10 - 公布日： 2013-07-10 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明公开了用于测量通过光刻过程形成在衬底(W)上的目标结构(32-35)的方法。在所述目标内的光栅结构小于测量光学系统的视场和照射斑(31)。测量光学系统具有通向光瞳平面成像传感器(19)的第一分支和通向衬底平面成像传感器(23)的第二分支。空间光调制器(SLM)(24，124，224，324)被布置在光学系统的第二分支的中间光瞳平面中。SLM赋予可编程的衰减图案，其可以用于校正照射或成像的第一和第二模式之间的不对称性。通过使用特定的目标设计和机器学习过程，衰减图案还可以被编程以用作过滤器功能，从而增强了对感兴趣的特定参数(诸如焦距)的敏感度。
方法设备光刻系统器件制造

[发明专利]量测方法和设备、光刻系统以及光刻处理单元-CN201080034105.9有效
发明人： H·克拉莫;A·邓鲍夫;H·麦根斯;H·斯米尔德;A·斯盖勒肯斯;M·库比斯 -专利权人： ASML荷兰有限公司
申请日： 2010-07-27 - 公布日： 2012-06-13 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：在确定在光刻过程中使用的光刻设备在衬底上的聚焦量的方法中，光刻过程被用于在衬底上形成结构，所述结构具有至少一个特征，所述至少一个特征在所印刷的轮廓中具有作为光刻设备在衬底上的聚焦量的函数而变化的不对称度。周期结构的第一图像在用第一辐射束照射所述结构的同时被形成和检测，使用非零级衍射辐射的第一部分形成所述第一图像。周期结构的第二图像在用第二辐射束照射所述结构的同时被形成和检测。使用非零级衍射辐射的与衍射光谱中的第一部分对称地相对的第二部分形成所述第二图像。测量的光谱的第一部分和第二部分强度的比值被确定并且用以确定周期结构的轮廓中的不对称度和/或提供衬底上的聚焦量的指示。在相同仪器中，跨过被检测部分的强度变化被确定为跨过结构的过程引起的变化的测量。结构的具有不期望的过程变化的区域可以被识别并且被排除到结构测量之外。
方法设备光刻系统以及处理单元

[发明专利]量测方法和设备、光刻设备、光刻处理单元和包括量测目标的衬底-CN201080037150.X有效
发明人： H·斯米尔德;A·邓鲍夫;W·考恩;阿诺·布里克;A·库兰;H·柏莱曼斯;R·普拉格 -专利权人： ASML荷兰有限公司
申请日： 2010-08-05 - 公布日： 2012-05-30 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：一种量测设备布置成以离轴照射模式照射多个目标。仅利用一个第一级衍射束获得目标的图像。在目标是复合光栅的情况下，可以根据不同光栅的图像的强度获得重叠测量。重叠测量可以被针对于由光栅在像场中的位置变化引起的误差进行校正。
方法设备光刻处理单元包括目标衬底