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[发明专利]垂直屏蔽栅极累积场效应晶体管-CN202310316070.7在审
发明人： P·莫恩斯;B·帕德玛纳伯翰;D·E·普罗布斯特;P·文卡特拉曼;T·萨卡;G·H·洛切尔特 -专利权人：半导体元件工业有限责任公司
申请日： 2023-03-29 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本公开涉及垂直屏蔽栅极累积场效应晶体管。累积MOSFET包括多个器件单元。每个器件单元包括与设置在掺杂半导体衬底中的垂直沟槽邻接的台面。台面具有设置在底台面部分上的顶台面部分。顶台面部分具有比底台面部分的宽度窄的宽度。邻接该台面的垂直沟槽具有顶沟槽部分和底沟槽部分。顶沟槽部分具有比底沟槽部分的宽度宽的宽度。电介质设置在垂直沟槽的侧壁上。设置在顶沟槽部分中的栅极电极在顶台面部分中形成累积沟道区，并且设置在底沟槽部分中的屏蔽电极在底台面部分中形成耗尽漂移区。
垂直屏蔽栅极累积场效应晶体管

[发明专利]电子器件-CN202110052378.6在审
发明人： G·H·洛切尔特 -专利权人：半导体元件工业有限责任公司
申请日： 2021-01-15 - 公布日： 2021-09-24 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明题为“电子器件”。本发明公开了一种电子器件。该电子器件可以包括具有有源区域和终端区域的管芯。该有源区域内靠近该终端区域的柱可以有助于减小该有源区域和终端区域的边界附近邻近于衬底的主表面的电场。在实施方案中，该减小的电场可以通过在该有源区域的靠近该终端区域的柱内具有减小的净电荷来实现，与该有源区域的该中心附近的柱相反。在另一个实施方案中，该减小的电场可以通过部分地掺杂该有源区域内更靠近该终端区域的柱或通过至少部分地反掺杂此类柱来实现。
电子器件