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- [发明专利]具有栅极连接栅格的垂直晶体管-CN202280019458.4在审
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T·奈尔;H·德维利斯绸威尔;F·阿勒斯坦
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半导体元件工业有限责任公司
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2022-02-15
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2023-10-27
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H01L29/739
- 在一个总体方面,一种半导体器件(100)可包括设置在半导体区的有源区(110)中的多个垂直晶体管段(200,300)。该多个垂直晶体管段可包括相应栅电极(206b,306b)。第一电介质(415,915,1015)可设置在该有源区上。导电栅格(130,230,330,430,630,930,1030)可设置在该第一电介质上。该导电栅格可以使用穿过该第一电介质形成的多个导电触点(430a,630a,930a,1030a)与相应栅电极电耦接。第二电介质(925)可设置在该导电栅格和该第一电介质上。导电金属层可设置在该第二电介质层上。该导电金属层可包括一部分(951),该部分使用穿过该第二电介质形成的通往该导电栅格的至少一个导电触点(930a)通过该导电栅格与相应栅电极电耦接。
- 具有栅极连接栅格垂直晶体管
- [发明专利]具有减小的动态输出电容损耗的终端结构-CN202180086213.9在审
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J·罗伊格-吉塔特;F·阿勒斯坦;T·奈尔;A·康斯坦丁诺夫;M·多梅;J·林
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半导体元件工业有限责任公司
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2021-12-20
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2023-08-22
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H01L29/06
- 在一般方面,一种半导体器件(100,400,700,900)可以包括第一导电类型的衬底(110,410,710,910)、设置在该衬底中的有源区(120,420,720,920)以及与该有源区相邻地设置在该衬底中的终端区(T)。该终端区可包括第二导电类型的结终端扩展(130,420,730,930),其中该第二导电类型与该第一导电类型相反。该结终端扩展可以具有设置在该结终端扩展的上部部分中的第一耗尽截断区(132,432,732,932)、设置在该结终端扩展的下部中的第二耗尽截断区(134,434,734,934)以及设置在该第一耗尽截断区与该第二耗尽截断区之间的高载流子迁移率区(136,436,736,936)。
- 具有减小动态输出电容损耗终端结构
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