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专利名称

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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]带内部馈送指的高功率晶体管-CN202080038823.7有效
发明人： F·特朗;Z·莫克提;H·蒋 -专利权人：沃孚半导体公司
申请日： 2020-04-23 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：一种晶体管装置，包括在半导体结构上延伸的栅极指和漏极指、耦接到栅极指的栅极接合焊盘以及耦接到漏极指的漏极接合焊盘。栅极接合焊盘在栅极指上延伸和/或漏极接合焊盘在漏极指上延伸。
内部馈送功率晶体管

[发明专利]具有有源器件调谐的反射型相位偏移器-CN201810219397.1有效
发明人： B·阿里功;T·坎宁;张海东;F·特朗;R·威尔逊;周荣国 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2018-03-16 - 公布日： 2022-04-29 - 主分类号： H03K19/0175 文献下载
摘要：一种相位偏移器包括第一RF端子和第二RF端子，参考电势端子；连接至第一RF端子和第二RF端子以及参考电势端子的集总元件LC网络，以及连接至集总元件LC网络和参考电势端子的第一有源半导体器件和第二有源半导体器件。第一有源半导体器件和第二有源半导体器件中的每个有源半导体器件包括控制端子以及第一输出端子和第二输出端子。集总元件LC网络呈现跨第一RF端子和第二RF端子的电抗，偏移在第一RF端子和第二RF端子之间RF信号的相位。第一有源半导体器件和第二有源半导体器件被配置用于通过控制跨第一RF端子和第二RF端子的电抗调谐RF信号的相位偏移。
具有有源器件调谐反射相位偏移

[发明专利]晶体管内负载调制-CN202080025417.7在审
发明人： Z·A·莫赫蒂;F·特朗;H·蒋 -专利权人：克里公司
申请日： 2020-03-17 - 公布日： 2021-11-12 - 主分类号： H03F1/02 文献下载
摘要：功率放大器包括具有主放大器和峰化放大器的半导体管芯。主放大器包括至少一个第一晶体管，并且峰化放大器包括与第一晶体管不同的至少一个第二晶体管。峰化放大器被配置为响应于施加到第一晶体管和第二晶体管的相应栅极的公共栅极偏置来调制主放大器的负载阻抗。还讨论了相关的制造和操作方法。
晶体管负载调制

[发明专利]具有输入-输出隔离的封装晶体管器件和形成具有输入-输出隔离的封装晶体管器件的方法-CN201980088036.0在审
发明人： F·特朗;H·蒋;Z·莫克提 -专利权人：克里公司
申请日： 2019-12-02 - 公布日： 2021-08-17 - 主分类号： H01L23/66 文献下载
摘要：提供了封装晶体管器件，包括在封装晶体管器件的基部上的晶体管，晶体管包括控制端子和输出端子、电耦合在输入引线和晶体管的控制端子之间的第一接合线、电耦合在输出引线和晶体管的输出端子之间的第二接合线、以及物理地在第一接合线和第二接合线之间的隔离材料，其中隔离材料被配置为减小第一接合线和第二接合线之间的耦合。
具有输入输出隔离封装晶体管器件形成方法

[发明专利]晶体管电平输入和输出谐波终止-CN201980067907.0在审
发明人： F·特朗;Z·莫克提;G·比格尼 -专利权人：克里公司
申请日： 2019-10-16 - 公布日： 2021-06-04 - 主分类号： H01L23/66 文献下载
摘要：一种晶体管器件包括：晶体管单元，所述晶体管单元包括沟道区；栅极道，所述栅极道电连接到在沟道区上方的栅极电极并与栅极电极物理地分离；以及谐波终止电路，所述谐波终止电路在晶体管器件的输入端子和栅极电极之间电连接到栅极道，谐波终止电路被配置为终止晶体管器件的基本操作频率的谐波频率处的信号。
晶体管电平输入输出谐波终止

[发明专利]具有隔离结构的射频晶体管放大器和其它多单元晶体管-CN201980056498.4在审
发明人： F·特朗;母千里;H·蒋;Z·莫克提 -专利权人：克里公司
申请日： 2019-07-18 - 公布日： 2021-05-07 - 主分类号： H01L23/482 文献下载
摘要：一种多单元晶体管包括半导体结构，并联电连接的多个单位单元晶体管，每个单位单元晶体管在半导体结构中在第一方向上延伸，其中，单位单元晶体管沿着第二方向彼此间隔开，以及隔离结构，该隔离结构位于第一组单位单元晶体管和第二组单位单元晶体管之间并在半导体结构上方延伸。
具有隔离结构射频晶体管放大器其它单元

[发明专利]改善的漏极和/或栅极互连件以及指状结构-CN201980046430.8在审
发明人： Z·莫克提;F·特朗;H·蒋 -专利权人：克里公司
申请日： 2019-07-09 - 公布日： 2021-02-26 - 主分类号： H01L23/482 文献下载
摘要：依据本发明的一些实施例，提供了晶体管器件，该晶体管器件包括：半导体结构；在第一方向上在半导体结构上延伸的栅极指；以及栅极互连件，在第一方向上延伸并且被构造为在栅极互连件的内部位置处耦合到栅极信号，其中栅极互连件在从栅极互连件的内部位置偏移的位置处连接到栅极指。
改善栅极互连以及结构

[发明专利]紧凑的希莱克合并器和阻抗匹配电路-CN201710443729.X有效
发明人：张海东;B·阿里功;T·坎宁;D·席巴赫;F·特朗;R·威尔逊 -专利权人：英飞凌科技美国公司
申请日： 2017-06-13 - 公布日： 2021-02-09 - 主分类号： H03F1/56 文献下载
摘要：本公开涉及紧凑的希莱克合并器和阻抗匹配电路。例如，一种功率放大器包括异相放大器。异相放大器包括第一放大器和第二放大器，并且被配置为提供第一放大RF信号以及与第一放大RF信号相移的第二放大RF信号。功率放大器还包括输出电路，其被配置为在相加节点处合并第一和第二放大RF信号的RF功率。输出电路包括连接在第一放大器与相加节点之间的第一分支、以及连接在第二放大器与相加节点之间的第二分支。使用用于输出阻抗的匹配和异相操作的公共电抗部件，第一和第二分支均被配置为匹配第一和第二放大器的输出阻抗、并且相移第一和第二放大RF信号用于异相操作。
紧凑希莱克合并阻抗匹配电路

[发明专利]用于具有稳定拉伸性能的制品的可光致固化组合物-CN200480036235.0有效
发明人： D·约翰逊;F·特朗;J·W·方;R·N·莱登;R·C·帕特尔 -专利权人：亨斯迈先进材料（瑞士）有限公司
申请日： 2004-10-01 - 公布日： 2007-01-10 - 主分类号： G03F7/00 文献下载
摘要：一种可光致固化组合物，包括可阳离子固化化合物、含丙烯酸酯的化合物；含羟基的化合物；阳离子光引发剂；和自由基光引发剂；其中每100克所述组合物具有少于0.54当量的可阳离子固化基团、少于0.10当量的丙烯酸酯基团和少于0.10当量的羟基基团。
用于具有稳定拉伸性能制品可光致固化组合

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