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[发明专利]多结太阳能电池装置的制造-CN201810879443.0在审
发明人：布鲁诺·吉瑟兰;尚塔尔·艾尔纳;F·迪姆罗特;M·格雷夫 -专利权人：索泰克公司
申请日： 2013-03-13 - 公布日： 2018-12-18 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明涉及用于制造多结太阳能电池装置的方法，该方法包括以下步骤：设置最终基础衬底；设置包括第一拉链层与第一晶种层的第一创制衬底；设置第二衬底；将第一晶种层传送至所述最终基础衬底；在将所述第一晶种层传送至所述最终基础衬底后，在所述第一晶种层上形成至少一个第一太阳能电池层，从而获得第一晶片结构；在所述第二衬底上形成至少一个第二太阳能电池层，从而获得第二晶片结构；并且使所述第一晶片结构与所述第二晶片结构相互结合。
衬底晶片结构晶种层多结太阳能电池太阳能电池层传送拉链层制造

[发明专利]加工基板-CN201780009189.2在审
发明人：塞西尔·奥尔奈特;F·迪姆罗特;E·奥里瓦 -专利权人：索泰克公司
申请日： 2017-02-01 - 公布日： 2018-09-28 - 主分类号： H01L21/18 文献下载
摘要：一种加工基板，该加工基板包括：晶种层，该晶种层由用于生长太阳能电池的第一半导体材料制成；支撑基板，该支撑基板包括基底和在基底的第一侧上外延生长的表面层，基底和表面层由第二半导体材料制成；直接键合界面，该直接键合界面在晶种层与表面层之间；其中，表面层的掺杂浓度高于预定值，使得直接键合界面处的电阻率低于10毫欧·cm2，优选地低于1毫欧·cm2；并且其中，基底的掺杂浓度以及加工基板的厚度使得加工基板的吸收率小于20％，优选地小于10％，并且加工基板的总面积归一化串联电阻小于10毫欧·cm2，优选地小于5毫欧·cm2。
加工基板表面层基底直接键合晶种层优选半导体材料支撑基板吸收率掺杂太阳能电池串联电阻外延生长电阻率归一化界面处生长

[发明专利]先进的CPV太阳能电池组件处理-CN201480030798.2有效
发明人：塞西尔·奥尔内特;R·克劳斯;F·迪姆罗特;埃里克·圭奥特;E·马扎莱拉;C·德拉泽克 -专利权人：索泰克公司
申请日： 2014-03-26 - 公布日： 2017-10-27 - 主分类号： H01L31/02 文献下载
摘要：本发明涉及太阳能电池组件结构(222)，所述太阳能电池组件结构用于支撑聚光光伏电池结构(3420)，并且包括半导体结构和二极管，其中，半导体结构包括第一半导体区(2800)，所述第一半导体区的至少一部分用于放置聚光光伏电池结构；以及第二半导体区(2200)，所述第二半导体区用于在第二半导体区内或第二半导体区上实现二极管，并且其中，第一半导体区的用于放置聚光光伏电池结构的部分与第二半导体区不垂直交叠。
先进 cpv 太阳能电池组件处理

[发明专利]多结太阳能电池-CN201580013861.6有效
发明人： W·古特;M·莫伊泽尔;F·迪姆罗特;L·埃贝尔;R·克伦本茨 -专利权人：阿聚尔斯佩西太阳能有限责任公司
申请日： 2015-02-16 - 公布日： 2017-09-12 - 主分类号： H01L31/0687 文献下载
摘要：多结太阳能电池，其具有由InGaAs化合物制成的第一子电池和第二子电池，其中，第一子电池具有第一晶格常数，第二子电池设置有第二晶格常数，其中，第一晶格常数比第二晶格常数至少大并且此外设有变质缓冲区，其中，所述缓冲区构造在第一子电池与第二子电池之间，并且该变质缓冲区具有至少三个层的序列且在该序列中的晶格常数朝第一子电池的方向去地逐层提高，其中，缓冲区的层的晶格常数大于所述第二晶格常数，其中，变质缓冲区的一层具有第三晶格常数，并且在变质缓冲区与第一子电池之间构造有用于补偿变质缓冲区的残余张力的数目为N的补偿层，并且相应的补偿层的晶格常数比第一晶格常数小一个数值并且这些补偿层具有大于1％的铟含量，并且数目为N的补偿层的厚度被选择得适用公式(I)。Σn=1N(KOMDn×ΔAn)>10-19m2---(I)]]>
太阳能电池

[发明专利]多结太阳能电池装置的制造-CN201380017589.X有效
发明人：布鲁诺·吉瑟兰;尚塔尔·艾尔纳;F·迪姆罗特;A·W·贝特 -专利权人：索泰克公司
申请日： 2013-03-13 - 公布日： 2017-07-14 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于制造多结太阳能电池装置的方法，该方法包括以下步骤设置第一基板；设置具有下表面和上表面的第二基板；在所述第一基板上形成至少一个第一太阳能电池层，以获得第一晶片结构；在所述第二基板的所述上表面上形成至少一个第二太阳能电池层，以获得第二晶片结构；将所述第一晶片结构结合到所述第二晶片结构，其中，所述至少一个第一太阳能电池层结合到所述第二基板的所述下表面；以及去除所述第一基板。
太阳能电池装置制造

[发明专利]多转移组件处理-CN201480030562.9有效
发明人： R·克劳斯;塞西尔·奥尔内特;E·马扎莱拉;F·迪姆罗特;埃里克·圭奥特 -专利权人：索泰克公司
申请日： 2014-03-26 - 公布日： 2017-07-14 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于多个光伏电池的制造方法，该制造方法包括以下步骤获得相对于彼此以第一距离放置的多个光伏电池(8121‑8124)；将伸展材料(1150)附接至所述多个光伏电池；以及使所述伸展材料伸展(S61)，使得所述多个光伏电池相对于彼此以第二距离产生，其中，所述第二距离大于所述第一距离。
转移组件处理

[发明专利]多结太阳能电池装置的制造-CN201380016818.6有效
发明人：布鲁诺·吉瑟兰;尚塔尔·艾尔纳;F·迪姆罗特;A·W·贝特 -专利权人：索泰克公司
申请日： 2013-03-13 - 公布日： 2017-05-24 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明涉及一种制造多结太阳能电池装置的方法，所述方法包括以下步骤提供第一加工基板；提供第二基板；在所述第一加工基板上形成至少一个第一太阳能电池层，以得到第一晶圆结构；在所述第二基板上形成至少一个第二太阳能电池层，以得到第二晶圆结构；将所述第一晶圆结构结合到所述第二晶圆结构；脱离所述第一加工基板；去除所述第二基板；将第三基板结合到所述至少一个第一太阳能电池层。
太阳能电池装置制造

[发明专利]多结太阳能电池装置的制造-CN201380017337.7有效
发明人：布鲁诺·吉瑟兰;尚塔尔·艾尔纳;M·皮钦;F·迪姆罗特;M·格雷夫 -专利权人：索泰克公司
申请日： 2013-03-13 - 公布日： 2017-04-12 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于制造多结太阳能电池装置的方法，该方法包括以下步骤设置具有下表面和上表面的第一基板；设置具有下表面和上表面的第二基板；在第一基板的上表面和第二基板的下表面处将第一基板结合到第二基板；以及随后在第一基板的下表面上形成至少一个第一太阳能电池层，并且在第二基板的上表面处形成至少一个第二太阳能电池层。
太阳能电池装置制造

[发明专利]叠堆状的集成的多结太阳能电池-CN201510691354.X有效
发明人： W·古特;G·施特罗布尔;F·迪姆罗特;A·W·瓦尔克 -专利权人：阿聚尔斯佩西太阳能有限责任公司;弗劳恩霍弗应用技术研究院
申请日： 2015-10-22 - 公布日： 2016-05-04 - 主分类号： H01L31/065 文献下载
摘要：一种叠堆状的集成的多结太阳能电池，其包括：第一部分电池，其中所述第一部分电池具有层，所述层由具有第一晶格常数和第一带隙能量的InGaP化合物组成，第二部分电池，其中所述第二部分电池具有层，所述层由具有第二晶格常数和第二带隙能量的In_mP_n化合物组成，第三部分电池，其中，所述第三部分电池具有层，所述层由具有第三晶格常数和第三带隙能量的In_xGa_1-xAs_1-yP_y化合物组成，第四部分电池，其中，所述第四部分电池具有层，所述层由具有第四晶格常数和第四带隙能量的InGaAs化合物组成，其中对于所述带隙能量适用：Eg1>Eg2>Eg3>Eg4，并且在两个部分电池之间构造具有晶片键合的区域。
叠堆状集成太阳能电池

[发明专利]多结太阳能电池装置的制造-CN201380016920.6在审
发明人：布鲁诺·吉瑟兰;尚塔尔·艾尔纳;F·迪姆罗特;M·格雷夫 -专利权人：索泰克公司
申请日： 2013-03-13 - 公布日： 2014-12-10 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明涉及用于制造多结太阳能电池装置的方法，该方法包括以下步骤：设置最终基础衬底；设置包括第一拉链层与第一晶种层的第一创制衬底；设置第二衬底；将第一晶种层传送至所述最终基础衬底；在将所述第一晶种层传送至所述最终基础衬底后，在所述第一晶种层上形成至少一个第一太阳能电池层，从而获得第一晶片结构；在所述第二衬底上形成至少一个第二太阳能电池层，从而获得第二晶片结构；并且使所述第一晶片结构与所述第二晶片结构相互结合。
太阳能电池装置制造

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