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[发明专利]用于存储器感测的电荷分离-CN201880082384.2有效
发明人： U·迪温琴佐;R·穆泽托;F·贝代斯基 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2018-12-06 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： G11C11/22 文献下载
摘要：本发明包含用于存储器感测的电荷分离的设备、方法及系统。一实施例包含：对存储器单元施加感测电压；及至少部分地基于对以下的比较来确定所述存储器单元的数据状态：在特定参考时间之前当正在对所述存储器单元施加所述感测电压时所述存储器单元所释放的电荷量与在所述特定参考时间之后当正在对所述存储器单元施加所述感测电压时所述存储器单元所释放的电荷量。
用于存储器电荷分离

[发明专利]用于三维存储器阵列的多晶体管架构-CN202310279848.1在审
发明人： F·贝代斯基 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2023-03-21 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： G11C16/04 文献下载
摘要：本申请是针对用于三维存储器阵列的多晶体管架构。存储器装置可包含使用两个晶体管与存取线耦合的导电支柱，所述两个晶体管定位在所述导电支柱与所述存取线之间。作为用于与所述导电支柱耦合的存储器单元的存取操作的部分，所述存储器装置可被配置成将所述存取线偏置到第一电压，并且使用第二电压激活所述两个晶体管以将所述导电支柱与所述存取线耦合。另外，所述存储器装置可被配置成将使未经选择导电支柱与所述存取线耦合的第一晶体管的栅极和第二晶体管的栅极分别偏置到第三电压和第四电压，这可在所述存取操作期间撤销激活所述第一晶体管或所述第二晶体管中的至少一个，并且将所述未经选择导电支柱与所述存取线隔离。
用于三维存储器阵列多晶体架构

[发明专利]存储器阵列中的并行存取-CN202310193756.1在审
发明人： E·博兰里那;A·马丁内利;C·V·A·劳伦特;F·贝代斯基 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2023-03-02 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： G11C7/10 文献下载
摘要：本申请涉及存储器阵列中的并行存取。存储器装置的一组存储器单元可以与导电结构阵列相关联，其中此类结构可以使用被第一驱动器激活的一组晶体管或其它开关组件耦合。所述一组存储器单元可以划分成两个或更多个存储器单元子集，其中每个子集可以与相应第二驱动器相关联，用于驱动存取电流通过所述子集的存储器单元。此类第二驱动器中的两个或更多个可以同时操作，相比于具有单个此类第二驱动器的其它不同实施方案，这可支持在所述存储器装置的不同占据面积上分布电流或分布相关联电路结构。
存储器阵列中的并行存取

[发明专利]用于存储器阵列的支柱的电压均衡-CN202180082296.4在审
发明人： C·维拉;F·贝代斯基;P·凡蒂尼 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2021-11-30 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： G11C16/04 文献下载
摘要：描述用于存储器阵列的支柱的电压均衡的方法、系统及装置。在一些实例中，存储器阵列可经配置有导电支柱，其各自与相应存储器单元组耦合，且可选择性地与存取线耦合。为了支持来自未选定支柱的电荷的耗散或均衡，所述存储器阵列可经配置有提供与接地电压或其它电压源的耗散耦合，例如具有相对高电阻或一定程度电容的耦合(例如，以支持无源均衡)的材料层或层级。另外或替代地，存储器阵列可经配置以通过将已在浮动状况下操作的支柱与接地电压或其它电压源选择性地耦合(例如，以执行动态均衡)来支持经积累电荷或电压的有源耗散。
用于存储器阵列支柱电压均衡

[发明专利]具有改进式驱动器操作的存储器装置及操作所述存储器装置的方法-CN202080107746.6在审
发明人： F·贝代斯基 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2020-12-09 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： G11C5/14 文献下载
摘要：本公开描述一种存储器装置，其包括：存储器单元，其在存储器阵列的存取线的交叉点处；及双晶体管驱动器，其包括P型晶体管及连接到所述P型晶体管的N型晶体管，所述双晶体管驱动器经配置以在闲置阶段期间将所述存储器阵列的存取线驱动到放电电压，在作用阶段期间将所述存取线驱动到浮动电压，且在脉冲阶段期间将所述存取线至少驱动到第一或第二读取/编程电压。
具有改进驱动器操作存储器装置方法

[发明专利]用于交叉点存储器装置的编程电流控制器和感测电路-CN202310026305.9在审
发明人： A·盖蒂;安德烈亚·马丁内利;E·博兰里那;F·贝代斯基;P·凡蒂尼 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2023-01-09 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： G11C16/12 文献下载
摘要：本公开涉及用于交叉点存储器装置的编程电流控制器和感测电路。在一种方法中，竖直三维交叉点存储器装置使用数字线解码器，其在存储器单元的数字线侧上包含电流限制器和感测电路，所述电流限制器和感测电路被配置成控制由控制器选择的正或负编程极性中的任一个下的编程电流。两个电流限制器各自用于每一存储器单元的所述数字线侧上。负极性电流限制器用于上拉，且正极性电流限制器用于下拉。负极性感测电路用于相应数字线解码器与正供应电压之间。正极性感测电路用于所述相应数字线解码器与负供应电压之间。基于所选编程极性将相同极性的所述电流限制器和感测电路对耦合到每一数字线解码器。
用于交叉点存储器装置编程电流控制器电路

[发明专利]用于多层存储器阵列的多板线架构-CN201880021868.6有效
发明人： F·贝代斯基 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2018-03-09 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： G11C11/22 文献下载
摘要：本申请案涉及用于多层存储器阵列的多板线架构。本发明描述用于多层存储器阵列的多板线架构的方法、系统及装置。存储器装置可包含上覆于衬底层上的两个或更多个三维铁电存储器单元阵列，所述衬底层包含支持电路的各种组件，例如解码器及感测放大器。所述阵列的每一存储器单元可具有铁电容器及选择器装置。多板线或其它存取线可经布线通过所述装置的各个层以支持对那些层内的存储器单元的存取。板线或其它存取线可通过间距上通孔OPV结构耦合在支持电路与存储器单元之间。OPV结构可包含选择器装置以在多层选择性方面提供额外自由度。可采用不同数目个板线及存取线以适应所述铁电容器的不同配置及定向。
用于多层存储器阵列多板线架构

[发明专利]用于存储器装置的读取算法-CN202180049882.9在审
发明人： F·贝代斯基;U·迪温琴佐;R·穆泽托 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2021-06-09 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： G06F11/10 文献下载
摘要：本发明描述用于存储器装置的读取算法的方法、系统及装置。在执行读取操作时，所述存储器装置可存取存储器单元以检索由所述存储器单元存储的值。所述存储器装置可基于存取所述存储器单元而将一组参考电压与由所述存储器单元输出的信号进行比较。因此，所述存储器装置可确定由所述存储器单元存储的一组候选值，其中每一候选值与所述参考电压中的一者相关联。所述存储器装置可基于确定所述一组候选值而确定且输出由所述存储器单元存储的所述值。在一些情况下，所述存储器装置可基于对所述一组候选值中的每一者执行错误控制操作以检测每一候选值内的错误的数量而确定由所述存储器单元存储的所述值。
用于存储器装置读取算法

[发明专利]在存储器装置中基于计数器的读取-CN201980103243.9有效
发明人： F·贝代斯基;R·穆泽托;U·迪温琴佐 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2019-12-23 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： G11C11/22 文献下载
摘要：本申请涉及在存储器装置中基于计数器的读取。产生参考电压且基于所述参考电压及相应所产生单元电压来确定每个存储器单元的逻辑状态。修改所述参考电压，直到相对于最后经修改参考电压值确定为处于预定义逻辑状态的存储器单元的计数满足准则为止。在一些实施例中，所述准则可为在存储器单元计数与呈所述预定义逻辑状态的存储器单元的预期数目之间存在精确匹配。在其它实施例中，在呈所述预定义逻辑状态的单元的所述计数与呈所述状态的单元的所述预期数目之间的差并不超出错误校正(ECC)算法的检测或校正能力时，可应用所述ECC。
存储器装置基于计数器读取

[发明专利]使用平均化参考电压的存储器单元感测-CN202211210480.5在审
发明人： F·贝代斯基 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2022-09-30 - 公布日： 2023-04-14 - 主分类号： G11C5/14 文献下载
摘要：本申请案是针对使用平均化参考电压的存储器单元感测。存储器装置可产生特定于操作条件或特性的所述平均化参考电压。所述平均化参考电压因此可跟踪单元使用和单元特性的变化。所述存储器装置可通过将参考节点短接在一起以确定与所述参考节点相关联的平均值，以此产生所述平均化参考电压。所述参考节点可与码字相关联，所述码字可存储对应于所述参考节点的值。所述码字可为平衡或近似平衡的以包含相等或近似相等数量的不同逻辑值。
使用平均参考电压存储器单元

[发明专利]用于存储器装置的预读取扫描的系统和方法-CN202210898101.X在审
发明人： K·萨尔帕特瓦里;F·佩里兹;N·N·加杰拉;李延纯;F·贝代斯基 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2022-07-28 - 公布日： 2023-03-03 - 主分类号： G11C16/26 文献下载
摘要：本申请针对用于存储器装置的预读取扫描的系统和方法。方法和系统包含具有包括多个存储器单元的存储器阵列的存储器装置。所述存储器装置包含控制电路，其以操作方式耦合到所述存储器阵列且被配置成接收针对数据的读取请求，并基于所述读取请求将多个读取电压施加到所述存储器阵列。所述控制电路进一步被配置成执行基于所述多个读取电压的所述施加读取的第一数据集的数据分析，且基于所述数据分析导出分界偏置电压VDM。所述控制电路还被配置成将所述VDM施加到所述存储器阵列以读取第二数据集合。
用于存储器装置读取扫描系统方法

[发明专利]用于设置读取操作的参考电压的方法-CN202110648571.6有效
发明人： F·贝代斯基;U·迪温琴佐;R·穆泽托 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2021-06-10 - 公布日： 2023-01-17 - 主分类号： G11C11/22 文献下载
摘要：本申请案是针对用于设置读取操作的参考电压的方法。存储器装置可使用第一参考电压对存储器单元集执行第一读取操作并且基于使用所述第一参考电压执行所述第一读取操作而检测第一码字。所述存储器装置可将所述第一码字的具有第一逻辑值(例如，逻辑值‘1’)的第一位数量与具有所述第一逻辑值的预期位数量(例如，所述存储器单元集所存储的逻辑值‘1’的所述预期数量)进行比较。所述存储器装置可基于所述比较确定是否使用不同于所述第一参考电压(例如，大于或小于所述第一参考电压)的第二参考电压对所述存储器单元集执行第二读取操作。
用于设置读取操作参考电压方法

[发明专利]具有单晶体管驱动器的存储器装置及操作所述存储器装置的方法-CN202080098696.X在审
发明人： R·穆泽托;E·博兰里那;U·迪温琴佐;F·贝代斯基 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2020-03-24 - 公布日： 2022-12-23 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：描述了一种具有单晶体管驱动器的存储器装置及操作所述存储器装置的方法。在一些实施例中，所述存储器装置可包括：存储器单元，其位于存储器阵列的存取线的交叉点处；第一偶数单晶体管驱动器，其经配置以：在空闲阶段期间将第一偶数存取线驱动到放电电压，在作用阶段期间将所述第一偶数存取线驱动到浮动电压，且在脉冲阶段期间将所述第一偶数存取线驱动到读取/编程电压；及第一奇数单晶体管驱动器，其经配置以：在所述空闲阶段期间将第一奇数存取线驱动到所述放电电压，所述第一奇数存取线物理地邻近于所述第一偶数存取线，在所述作用阶段期间将所述第一奇数存取线驱动到所述浮动电压，及在所述脉冲阶段期间将所述第一奇数存取线驱动到屏蔽电压。
具有晶体管驱动器存储器装置操作方法

[发明专利]用于存取存储器单元的基于计数器的方法和系统-CN202080100236.6在审
发明人： R·穆泽托;F·贝代斯基;U·迪温琴佐 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2020-05-13 - 公布日： 2022-12-16 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：本公开涉及一种用于存取存储器单元阵列的方法，含以下步骤：将用户数据存储于存储器阵列的多个存储器单元中；将与用户数据中具有预定第一逻辑值的位数对应的计数数据存储于与存储器单元阵列相关联的计数器中；将读取电压施加到存储器单元以读取存储于存储器单元阵列中的用户数据；将读取电压施加到计数器的单元以读取存储于计数器中的计数数据且提供与用户数据中具有第一逻辑值的位数对应的目标值，其中在读取电压的施加期间，以一方式同时读取计数数据和用户数据，方式使得在用户数据的读取期间提供目标值；以及基于计数器的目标值，在用户数据中具有第一逻辑值的位数对应于目标值时停止读取电压的施加。还公开了一种相关存储器装置和相关系统。
用于存取存储器单元基于计数器方法系统

[发明专利]用于存储器单元的基于计数器的感测放大器方法-CN202080098039.5在审
发明人： R·穆泽托;F·贝代斯基;U·迪温琴佐 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2020-03-03 - 公布日： 2022-12-06 - 主分类号： G11C7/06 文献下载
摘要：本发明描述与用于存储器单元的基于计数器的感测放大器方法相关的方法、系统及装置。基于计数器的读取算法可包括以下阶段：‑在与存储器单元阵列相关联的计数器中存储具有存储在所述存储器阵列中的数据位的预定逻辑值的位的数目的值；‑从所述计数器读取对应于具有所述预定逻辑值的位的所述数目的所述值；‑通过施加偏压电压的斜坡来读取存储在所述存储器单元阵列中的数据；‑在数据读取阶段期间计数具有所述预定逻辑值的位的所述数目；‑当具有所述预定逻辑值的位的所述数目等于存储在所述计数器中的所述值时停止所述数据读取阶段。
用于存储器单元基于计数器放大器方法

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