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[发明专利]具有玻璃通孔的3D中介层-增加铜和玻璃表面之间粘附性的方法及其制品-CN202180077208.1在审
发明人：金榛洙;D·W·小莱弗斯克;李艾泽;H·N·万斯雷斯 -专利权人：康宁股份有限公司
申请日： 2021-11-09 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： H01L23/538 文献下载
摘要：在一些实施方式中，一种方法包括使用激光形成穿过层压玻璃结构的导孔或损伤轨迹。该层压玻璃结构包括第一层和与第一层相邻的第二层。第一层由第一玻璃组合物形成。第二层由不同于第一玻璃组合物的第二玻璃组合物形成。在形成导孔之后，将层压玻璃结构暴露于以第一蚀刻速率蚀刻第一玻璃组合物和以第二蚀刻速率蚀刻第二玻璃组合物的蚀刻条件，以形成蚀刻孔，其中第一蚀刻速率不同于第二蚀刻速率。
具有玻璃中介增加表面之间粘附方法及其制品

[发明专利]二氧化硅测试探针和其他此类装置-CN201780064226.X在审
发明人： D·W·小莱弗斯克;B·K·纳亚克;K·A·维兰德 -专利权人：康宁股份有限公司
申请日： 2017-10-17 - 公布日： 2019-06-14 - 主分类号： B23K26/00 文献下载
摘要：装置包括高纯度熔凝二氧化硅片，所述高纯度熔凝二氧化硅片具有小于500μm的厚度，其中，片包括片中的特征体，其中，特征体具有小于50μm的横截面尺寸和至少100nm的深度，其中，特征体相互间隔开的距离小于50μm，以及其中，二氧化硅不含研磨和抛光的标记。
特征体熔凝二氧化硅二氧化硅高纯度研磨和抛光测试探针装置装置

[发明专利]具有具形态学属性的孔的制品及其制造方法-CN201780055422.0在审
发明人： A·科瓦卢比亚斯加拉米罗;金宇辉;F·A·卡拉莫四世;E·A·库克森科瓦;D·W·小莱弗斯克;G·A·皮希;A·B·肖瑞;R·S·瓦格纳 -专利权人：康宁股份有限公司
申请日： 2017-09-07 - 公布日： 2019-06-04 - 主分类号： C03C15/00 文献下载
摘要：公开了包含具有孔的玻璃基基材的制品、包含具有孔的制品的半导体封装件以及在基材中制造孔的方法。在一个实施方式中，一种制品包括玻璃基基材，所述玻璃基基材具有第一表面、第二表面以及从第一表面延伸的至少一个孔。所述至少一个孔具有内壁，该内壁的表面粗糙度R_a小于或等于1μm。所述至少一个孔具有存在于第一表面的第一开口，其具有第一直径。基于玻璃基基材的平均厚度，第一平面由玻璃基基材的第一表面限定。凹陷深度与所述至少一个孔的第一直径的比值小于或等于0.007。
基材玻璃基第一表面内壁形态学半导体封装件表面粗糙度Ra 第二表面凹陷制造开口延伸

[发明专利]对玻璃基材进行蚀刻的方法和玻璃基材-CN201680046791.9在审
发明人： T·M·卡斯尔;T·黄;金宇辉;D·W·小莱弗斯克;T·L·佩特里司凯 -专利权人：康宁股份有限公司
申请日： 2016-06-09 - 公布日： 2018-05-11 - 主分类号： C03C15/00 文献下载
摘要：一种形成玻璃基材的方法包括提供具有氧化铝的玻璃基材，在玻璃基材上平移脉冲激光束以形成一个或多个导孔，使玻璃基材与蚀刻溶液接触以及提供搅拌。蚀刻溶液的pH为约0至约2.0，并且蚀刻速率为小于约3μm/分钟。公开了一种玻璃基材，其具有第一表面和在厚度方向上与第一表面相对的第二表面，以及穿透第一表面的至少一个孔，其中所述至少一个孔已经被蚀刻溶液蚀刻。下述(1)与(2)之间的最大距离d1小于或等于约0.2μm，所述(1)为在某些区域中与第一表面接触的第一平面，所述某些区域不具有所述至少一个孔或者围绕所述至少一个孔的基材不具有厚度偏差，所述(2)为从第一平面中凹陷的偏差的表面。
玻璃基材进行蚀刻方法