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[发明专利]采用自组装材料的图形形成-CN200980104087.4有效
发明人： C·T·布莱克;T·J·达尔顿;B·B·多里斯;C·拉登斯 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2009-02-03 - 公布日： 2011-01-05 - 主分类号： B82B3/00 文献下载
摘要：在一个实施例中，包围大区域的六边形瓦片被分为三个群组，每个群组含有彼此分离的所有六边形瓦片的三分之一。在模板层(2OA，2OB，20C)中形成每个群组(01，02，03)中的六边形瓦片的开口，且在每个开口内施加并构图自组装嵌段共聚物的组。重复该过程三次以涵盖所有三个群组，产生遍布宽广区域的自对准图形。在另一实施例中，该大区域被分为两个不重迭且互补的群组的矩形瓦片。每个矩形区域的宽度小于自组装嵌段共聚物的有序范围。以顺序方式在每一群组中形成自组装自对准的线与间隔结构(4OA，5OA；4OB，5OB；4OC，50C)，从而线与间隔图形形成为遍及了延伸超出有序范围的大区域。
采用组装材料图形形成

[发明专利]在衬底上定位纳米颗粒的方法以及纳米颗粒阵列-CN200710096301.9无效
发明人： R·L·桑德斯特伦;C·B·穆拉伊;C·T·布莱克 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2007-04-09 - 公布日： 2007-10-17 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明旨在一种在构图的衬底上定位纳米颗粒的方法。该方法包括以下步骤：提供具有选择性地定位的凹陷的构图的衬底，并且对所述构图的衬底施加纳米颗粒的溶液或者悬浮液以形成润湿的衬底。使刮刷器构件刮过所述润湿的衬底的表面，以从所述润湿的衬底去除所述施加的纳米颗粒的一部分，从而使所述施加的纳米颗粒的大量的剩余部分设置在所述衬底的所述选择性地定位的凹陷中。本发明还旨在一种由定位的纳米颗粒制作碳纳米管的方法。
衬底定位纳米颗粒方法以及阵列

[发明专利]用于形成嵌段共聚物图形的方法及相应的半导体结构-CN200710008274.5有效
发明人： R·鲁伊兹;R·L·桑德斯特伦;C·T·布莱克 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2007-01-26 - 公布日： 2007-08-08 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种用于在衬底表面上形成自组织图形的方法。首先，在衬底上施加嵌段共聚物层，所述层包括具有两种或多种互不相溶的聚合物嵌段组分的嵌段共聚物，所述衬底包括在其中具有沟槽的衬底表面。所述沟槽具体包括至少一个窄区域，其两侧连接两个宽区域，其中所述沟槽具有超过50％的宽度变化。接着，实施退火，以在所述嵌段共聚物层中的两种或多种互不相溶的聚合物嵌段组分之间实现相分离，由此形成由重复结构单元限定的周期性图形。具体地说，所述沟槽的窄区域处的周期性图形在预定方向上排列并且基本上无缺陷。本发明还描述了通过上述方法形成的嵌段共聚物膜和包括此嵌段共聚物膜的半导体结构。
用于形成共聚物图形方法相应半导体结构

[发明专利]包含掺杂了的纳米元件的装置及其形成方法-CN200510123516.6有效
发明人： D·V·塔拉宾;C·B·穆拉伊;C·R·卡甘;C·T·布莱克;A·阿夫扎利－阿尔达卡尼;R·L·斯丹斯特罗姆 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2005-11-17 - 公布日： 2006-06-21 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本文公开了含有已掺杂的半导体纳米元件的装置和形成这种装置的方法。纳米元件是通过对有机含胺掺杂剂暴露而掺杂的纳米管、纳米线或纳米晶体膜之一。对具有含硒化铅纳米线或纳米晶体膜的通道的场效应晶体管及形成这些装置的方法给出了说明性实例。
包含掺杂纳米元件装置及其形成方法

[发明专利]带有阻性耦合浮栅的铁电存储晶体管-CN98117294.6无效
发明人： C·T·布莱克;J·J·韦尔泽 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 1998-08-14 - 公布日： 2004-04-21 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提出了一种新型的单晶体管存储器件，使用铁电材料的极化来存储信息。该器件为浮栅FET，具有铁电材料和电阻，铁电材料置于栅和浮栅之间，电阻最好是由浮栅与晶体管沟道之间的薄SiO₂介质形式。和以前的设计不同，该器件中，浮栅可以容性且阻性耦合到晶体管沟道，所以可以低电压读写该器件。由于器件可耐久性取决于铁电材料的持久性而不是氧化物的击穿，该器件明显的优点是：低工作电压，高速度，重复次数超过10¹⁰次，且集成度达吉比特的密度。
带有耦合存储晶体管