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[发明专利]电子电路中的毛刺补偿-CN201680061526.8在审
发明人： C·多诺万;C·卡希尔;P·墨菲 -专利权人：法尔科姆斯有限公司
申请日： 2016-09-13 - 公布日： 2018-07-31 - 主分类号： H03K19/003 文献下载
摘要：一种用于提供电流脉冲的供电电路具有：电流源(11)、用于控制电流大小的基准电压源(12)以及用于控制电流是否通过负载的电流开关(13)。此外，还有用于控制所述电流开关的开关控制信号端子(15)以及毛刺补偿元件，所述毛刺补偿元件包括用于将可变校正电压馈送回到所述基准电压的至少一个电容电路(32)和相关联的电容器驱动电路(21)以及控制所述可变电压的控制器(33)。
毛刺补偿元件电流开关控制电流电容器馈送开关控制信号基准电压源电流脉冲电容电路电子电路供电电路基准电压可变电压驱动电路校正电压控制器电流源可变关联

[发明专利]光接收器-CN201680061518.3在审
发明人： P·墨菲;C·多诺万;C·卡希尔 -专利权人：法尔科姆斯有限公司
申请日： 2016-09-13 - 公布日： 2018-06-08 - 主分类号： H03F3/08 文献下载
摘要：一种接收器具有差分跨阻抗放大器(4)，所述差分跨阻抗放大器具有两个输入和两个输出。所述差分跨阻抗放大器(4)提供差分输出，并且对所述差分输出进行峰值检测(15，16)，以提供幅度参考信号。所述差分跨阻抗放大器输出和幅度参考信号被馈送至差分求和放大器(10)，所述差分求和放大器(10)将全差分信号提供给比较器或者自动增益控制电路(5)，以调节差分跨阻抗放大器增益。所述差分求和放大器(10)输出是全差分信号，因而对于DC和突发模式接收器应用而言具有较低的畸变。
跨阻抗放大器差分求和放大器输出全差分信号幅度参考自动增益控制电路馈送接收器峰值检测光接收器突发模式比较器畸变应用

[发明专利]跨导电流源-CN201680061333.2在审
发明人： P·墨菲;C·多诺万;C·卡希尔 -专利权人：法尔科姆斯有限公司
申请日： 2016-09-13 - 公布日： 2018-06-08 - 主分类号： H03F3/345 文献下载
摘要：一种跨导电路，具有：输入端(V_IN)和输出端(Out)；第一电流源(4)，具有连接至所述输入端(V_IN)的栅极；以及第二电流源(5)，与所述第一电流源并联，并且比所述第一电流源具有更高的跨导和更宽的动态范围。所述电流源被配置为使得在低输入电压处，仅所述第一电流源(4)导通。一种电压降电路(2)，相比于给所述第一电流源，给所述第二电流源提供更低的偏置电压。
电流源输入端低输入电压电压降电路跨导电路偏置电压输出端并联导电导通流源配置

[发明专利]电压比较器-CN201680061662.7在审
发明人： C·多诺万;C·卡希尔;P·墨菲 -专利权人：法尔科姆斯有限公司
申请日： 2016-09-13 - 公布日： 2018-06-08 - 主分类号： H03K5/24 文献下载
摘要：电压比较器(1)具有高开关速度和简单设计。它在高速通信应用中用作数字输入缓冲器时，可以将输入数字信号的脉宽失真最小化。此外它提供了简单的滞后电路(31)，可以很容易地用参考电流进行调节。滞后电路(31)取决于基准电流。该电流可以被选择为与温度、电源或另一可选参数成比例，并且可以是可编程的，以产生期望的滞后性能。
电压比较器滞后电路缓冲器参考电流高速通信基准电流简单设计可选参数输入数字数字输入滞后性能可编程最小化脉宽失真电源期望应用

[发明专利]具有共源共栅前端的光接收器-CN201680061266.4在审
发明人： P·墨菲;C·多诺万;C·卡希尔 -专利权人：法尔科姆斯有限公司
申请日： 2016-09-13 - 公布日： 2018-06-08 - 主分类号： H04B10/61 文献下载
摘要：一种光接收器(1)包括与提供电流感测信号(I_{sig_tia})的光电二极管(2,3)链接的差分TIA(4)。该接收器被配置成为TIA提供感测信号作为感测TIA输入(I_{sig_tia})和作为最大感测信号的部分的第二输入(I_{dark_tia})。该部分输入是所述最大感测信号的一半。TIA的输入经由共源共栅电路(5,6)，由此在TIA输入处提供针对大面积光电二极管的低输入阻抗，同时在输出处生成完全差分信号，以及TIA带宽在突发模式应用中的减小，这会过滤掉高频噪声。
感测信号光电二极管光接收器电流感测信号共源共栅电路低输入阻抗接收器差分信号高频噪声共源共栅突发模式输出处输入处感测减小链接过滤带宽配置应用

[发明专利]金属氧化物半导体输出电路及其形成方法-CN201210179230.X有效
发明人： C·多诺万;J·A·萨塞多 -专利权人：美国亚德诺半导体公司
申请日： 2012-06-01 - 公布日： 2012-12-05 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明涉及金属氧化物半导体输出电路及其形成方法。公开了金属氧化物半导体保护电路及其形成方法。在一种实施例中，集成电路包括焊盘（61）、p型MOS（PMOS）晶体管（65）、第一n型MOS（NMOS）晶体管（62）和第二NMOS晶体管（66）。第一NMOS晶体管包括分别与焊盘、第一电源电压和PMOS晶体管的漏极电连接的漏极、源极和栅极。第二NMOS晶体管包括分别与偏置节点、第二电源电压和PMOS晶体管的源极电连接的栅极、漏极和源极。第二NMOS晶体管的源极还与PMOS晶体管的主体电连接，从而当在焊盘上接收到瞬态信号事件时防止电流通过PMOS晶体管的主体从PMOS晶体管的漏极流到第二电源电压。
金属氧化物半导体输出电路及其形成方法

[发明专利]致动器基于电容测量的自动特征化-CN201080045899.9有效
发明人： E·马丁兹;C·吉姆恩兹;J·埃巴兹-克里曼特;C·多诺万 -专利权人：美国亚德诺半导体公司
申请日： 2010-08-25 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： G01R35/00 文献下载
摘要：提供了一种用于确定致动器的特征化属性的装置和方法。致动器可以被移动到最大电容位置。在最大电容位置进行致动器电容的初始测量。将致动器向第一极限位置移动预定增量，然后再次测量致动器电容。如果电容改变达到了阈值量，那么就记录在促使致动器移动的信号之前的信号作为近似的响应曲线端点或第一极限位置。再次将致动器向第二极限位置移动预定增量。在每一次移动之后都测量电容。如果确定电容相对于先前测量电容的改变未达到阈值量，那么就记录与先前测量的电容相关的信号作为近似的响应曲线端点或第二极限位置。
致动器基于电容测量自动特征