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[发明专利]具有介电翼片的高Q体声谐振器-CN201880052432.3有效
发明人： T·波拉德;A·A·希拉卡瓦 -专利权人： RF360新加坡私人有限公司
申请日： 2018-08-02 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H03H3/02 文献下载
摘要：给出了具有高耦合和改进的杂散模式抑制的高Q声学BAW谐振器。BAW谐振器包括由底部电极(BE)、压电层(PL)和顶部电极层(TE)这三层的重叠部形成的有源谐振器区域(AR)。内部翼片(IF)由介电3D结构形成，该介电3D结构位于有源谐振器区域(AR)的边缘区域(MR)上或与其相邻，向内朝向其中心延伸，并且具有节段，该节段与谐振器的顶表面平行地且远隔地伸展，而保持到其的内部间隙(IG)或角度Θ。
具有介电翼片谐振器

[发明专利]悬置框架体声波器件-CN202211210156.3在审
发明人：黄宰申;J·H·李;J·D·韩;M·H·朴;T·孙;金荣俊;Y·W·全;A·A·希拉卡瓦 -专利权人：天工全球私人有限公司
申请日： 2022-09-30 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H03H9/02 文献下载
摘要：本公开的各方面涉及体声波器件，其具有在第一电极和第二电极之间的压电层和悬置在间隙上方的悬置框架结构。该间隙可在第一电极和压电层之间或第二电极和压电层之间。体声波器件可在悬置框架内部具有内部凸起框架部分。间隙可设置在第一和第二电极的延伸超过压电层的端部的各部分之间。导电材料可延伸穿过位于间隙正上方位置处的钝化层中的开口。
悬置框架声波器件

[发明专利]具有横向分布反射器的射频声学器件-CN202210617381.2在审
发明人：柳建松;黄宰申;A·A·希拉卡瓦 -专利权人：天工全球私人有限公司
申请日： 2022-06-01 - 公布日： 2022-12-06 - 主分类号： H03H9/17 文献下载
摘要：一种体声波谐振器包括：压电材料层；设置在压电材料层上表面上的第一金属层；设置在压电材料层下表面上的第二金属层；以及横向分布凸起框架，其包括设置在第一金属层的上表面上并具有带有锥形部分和非锥形部分的内凸起框架部分、和外凸起框架部分的第一凸起框架，以及设置在第一金属层和外凸起框架部分下方但不在内凸起框架部分下方的第二凸起框架，内凸起框架部分从体声波谐振器的中央活动区域以第一距离横向设置，外凸起框架部分从中央活动区域以大于第一距离的第二距离横向设置。
具有横向分布反射射频声学器件

[发明专利]具有凸起框架结构的体声波器件-CN202111091241.8在审
发明人：张本锋;柳建松;B·P·阿博特;黄宰申;A·A·希拉卡瓦 -专利权人：天工全球私人有限公司
申请日： 2021-09-17 - 公布日： 2022-03-18 - 主分类号： H03H9/02 文献下载
摘要：本申请内容的各方面涉及一种具有多梯度凸起框架的体声波器件。所述体声波器件包括第一电极、第二电极、定位在所述第一电极和所述第二电极之间的压电层、以及多梯度凸起框架结构，所述多梯度凸起框架结构配置为使所述体声波器件的主要声学活动区的横向能量泄漏减少。所述多梯度凸起框架结构在相对侧上是锥形的。
具有凸起框架结构声波器件

[发明专利]具有复合衬底的薄膜器件声波器件-CN201980050570.2在审
发明人： S·A·法内利;S·格科特佩里;A·A·希拉卡瓦 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2019-06-10 - 公布日： 2021-03-16 - 主分类号： H03H9/02 文献下载
摘要：在某些方面中，薄膜表面声波，SAW，裸片包括高电阻率衬底(110)、在高电阻率衬底上的键合层(108)以及在键合层上的薄膜压电岛(112)，其中薄膜压电岛的边缘从键合层的边缘偏移。在另一方面中，一种用于SAW裸片的制造方法包括：提供具有前表面(102f)和后表面(102b)的压电晶片(102)；形成在压电晶片中来自前表面的剥离层(104)；形成在压电晶片上来自前表面的多个沟槽(106)，以形成多个压电岛(112)；通过键合层(108)将压电晶片(102)从前表面键合到高电阻率衬底；以及移除在后表面(102b)与剥离层(104)之间的压电晶片的一部分。
具有复合衬底薄膜器件声波

[发明专利]具有改进的功率耐久性和耐热性的BAW谐振器以及包括BAW谐振器的RF滤波器-CN201980024577.7在审
发明人： M·希克;R·罗塞齐恩;W·艾格纳;T·米特迈尔;E·施米德哈默;S·沙玛利;X·佩鲁瓦;C·许克;A·A·希拉卡瓦 -专利权人： RF360欧洲有限责任公司
申请日： 2019-03-05 - 公布日： 2020-11-13 - 主分类号： H03H9/02 文献下载
摘要：一种具有改进的功率耐久性和改进的耐热性的BAW谐振器(BAWR)被提供。谐振器包括层堆叠和分流路径(PCPP)，层堆叠具有在底部电极(EL1)与顶部电极(EL2)之间的压电材料(PM)，分流路径(PCPP)与层堆叠并联且被提供以使得RF信号能够绕过层堆叠，例如通向地(GND)。分流路径(PCPP)具有依赖于温度的电导，该电导具有电阻的负温度系数NTC。当设备的温度由于高功率操作而上升时，电流通过依赖于温度的分流路径被分流到地或另一专用端子，否则这些电流将永久地损坏设备。一经冷却，正常操作重新开始。
具有改进功率耐久性耐热性 baw 谐振器以及包括 rf 滤波器

[发明专利]可数字地重新配置的体声波型谐振器滤波器及方法-CN200910006676.0无效
发明人： D·贝洛特;A·A·希拉卡瓦;E·克赫夫;M·埃尔哈桑;Y·德瓦尔 -专利权人：意法半导体股份有限公司;法国国家科学研究中心
申请日： 2009-02-13 - 公布日： 2009-11-04 - 主分类号： H03H9/64 文献下载
摘要：具有BAW型声谐振器的滤波电路，包含至少一个级联连接的第一个四端网络和第二个四端网络，所述级联的四端网络各有包含第一BAW型声谐振器(311、321、331)的串联支路(315、325和335)和具有包含第二BAW型声谐振器(312、322、333)的并联支路(316、326、336)，所述第一声谐振器(311、321、331)拥有一个串联谐振频率，所述第一串联谐振频率大约等于所述第二声谐振器(312、322、332)的并联谐振频率；其特征在于所述第一个四端网络的所述并联支路(316、336)包括一个与第二谐振器串联的第一电容(313)，以及，与该电容并联并用于短路所述电容的第一开关晶体管(314)。本发明涉及一种可数字地重新配置的体声波型谐振器滤波器及方法。
数字重新配置声波谐振器滤波器方法