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[发明专利]调节血液脑脊髓液屏障的通透性-CN202210710317.9在审
发明人： A·博伊尔;J·马萨格 -专利权人：纪念斯隆-凯特琳癌症中心
申请日： 2016-11-18 - 公布日： 2022-11-04 - 主分类号： A61K45/00 文献下载
摘要：本发明涉及用于调节血液CSF屏障和用于诊断、预防和/或治疗软脑膜转移的方法和组合物。在本发明的具体实施方式中，血液CSF屏障的通透性由补体成分3(C3)或其受体的激动剂或拮抗剂调节。
调节血液脊髓屏障通透

[发明专利]调节血液脑脊髓液屏障的通透性-CN201680079549.1有效
发明人： A·博伊尔;J·马萨格 -专利权人：纪念斯隆-凯特琳癌症中心
申请日： 2016-11-18 - 公布日： 2022-07-12 - 主分类号： A61K39/395 文献下载
摘要：本发明涉及用于调节血液CSF屏障和用于诊断、预防和/或治疗软脑膜转移的方法和组合物。在本发明的具体实施方式中，血液CSF屏障的通透性由补体成分3(C3)或其受体的激动剂或拮抗剂调节。
调节血液脊髓屏障通透

[发明专利]用于治疗脑转移瘤的方法-CN201580063121.3有效
发明人： J·马萨格;A·博伊尔;Q·陈 -专利权人：纪念斯隆-凯特琳癌症中心
申请日： 2015-09-18 - 公布日： 2021-09-24 - 主分类号： A61K31/4188 文献下载
摘要：本发明涉及通过抑制间隙连接功能性来治疗脑转移瘤的方法。其至少部分地基于以下发现：表达原钙粘附蛋白7和连接蛋白43的癌细胞与星形胶质细胞形成间隙连接促进了脑转移瘤的生长，并且抑制癌细胞中原钙粘附蛋白7和/或连接蛋白43表达减少了脑转移瘤的进展。其还基于以下发现：借助间隙连接抑制剂托那博沙和甲氯芬那酸盐的治疗抑制了脑转移瘤病变的进展，并增强了常规化疗剂卡铂的抗癌活性。
用于治疗转移方法

[发明专利]用于最佳定位对象以用于自动加工的方法和装置-CN201811479043.7在审
发明人： A·博伊尔 -专利权人：费希尔控制产品国际有限公司
申请日： 2018-12-05 - 公布日： 2019-07-19 - 主分类号： G06F3/12 文献下载
摘要：本文描述了用于最佳地定位对象以用于自动加工的方法和装置。本文所描述的示例构建文件生成器包括对象文件管理器，该对象文件管理器用于标识与要经由增材制造(AM)工艺形成的第一对象相关联的第一工具路径体积。所述第一工具路径体积基于对所述第一对象使用第一后制造工艺的第一工具路径。所述对象文件管理器还用于标识与要经由AM工艺形成的第二对象相关联的第二工具路径体积。所述第二工具路径体积基于对所述第二对象使用第二后制造工艺的第二工具路径。该示例构建文件生成器还包括布局确定器，该布局确定器用于基于所述第一工具路径体积和第二工具路径体积确定要通过AM工艺在基板上形成的第一对象和第二对象的布局。
工具路径对象文件管理器方法和装置文件生成器布局确定定位对象对象使用制造工艺自动加工构建关联体积确定基板制造

[发明专利]通过在分割期间或之后进行蚀刻来增强晶片强度-CN200580044175.1有效
发明人： A·博伊尔;D·吉伦;K·邓恩;E·费尔南德斯戈麦斯;R·托夫尼斯 -专利权人： XSIL技术有限公司
申请日： 2005-11-01 - 公布日： 2007-12-12 - 主分类号： H01L21/78 文献下载
摘要：将具有有源层的半导体晶圆11在有源层远离载体13的状态下固定到载体上，并从半导体晶圆的主表面开始，在载体上至少部分地分割该半导体晶圆。用自发性反应蚀刻剂140从该主表面开始在载体上蚀刻至少部分地被分割的半导体晶圆，以从由至少部分地被分割的半导体晶圆生成的晶片上去除足够的半导体材料，通过消除至少一些由于分割而造成的缺陷来改善晶片的抗挠抗弯强度。
通过分割间或之后进行蚀刻增强晶片强度

[发明专利]芯片焊接-CN200480018886.7有效
发明人： A·博伊尔;D·吉伦;M·法尔萨里 -专利权人： XSIL技术有限公司
申请日： 2004-07-01 - 公布日： 2006-08-09 - 主分类号： H01L21/68 文献下载
摘要：本发明公开了一种芯片焊接方法和设备，对通过粘合层12粘合在载体带13上的晶片衬底11进行激光加工以穿过晶片衬底并穿过粘合层，至多在载体带上划线以便形成带有附着单切粘合层的单切的芯片15，而粘合层12与载体带13基本没有分层或基本不产生来自粘合层12的毛刺。载体带13优选地通过紫外线固化，以便从载体带上释放粘合层。单切的芯片被拾取并放置在芯片垫上，粘合层12优选地通过加热固化从而将芯片粘合到芯片垫。
芯片焊接

[发明专利]使用活性助气的激光加工-CN200480005971.X有效
发明人： A·博伊尔 -专利权人： XSIL技术有限公司
申请日： 2004-03-03 - 公布日： 2006-04-05 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：通过为硅工件提供卤素环境以形成用于激光加工的活性助气，用波长小于0.55微米的激光束4通过激光器2对硅工件5进行加工。该激光束以高于硅的消融阈值的功率密度聚焦在硅工件上，以便使该助气在激光束的焦点或其附近与硅工件反应，从而提高加工速度并且由于加工质量的改进而提高加工好的工件的强度。该发明尤其应用于在六氟化硫(SF₆)的存在下切割硅片，从而使所得模具的强度增大。
使用活性激光加工

[发明专利]激光加工-CN03823805.5无效
发明人： A·博伊尔;M·法萨瑞 -专利权人： XSIL技术有限公司
申请日： 2003-08-06 - 公布日： 2005-10-26 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：用UV或绿色激光束6在冷冻的液体卤化物环境中加工硅体W。在加工部位附近用激光束局部加热液体卤化物足以引发硅体和液体卤化物之间的反应，这种反应加快了加工速度，提高了加工质量并减少了激光加工生成的碎片。
激光加工

[发明专利]激光加工-CN03814249.X无效
发明人： A·博伊尔;O·梅甘 -专利权人： XSIL技术有限公司
申请日： 2003-04-17 - 公布日： 2005-08-31 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：基板(30)用一个具有存储激光切割方案文件的相关存储器的程序控制脉冲激光束(35)装置切割。该文件包括了脉冲速率Δt，脉冲能量密度E和脉冲空间重叠中的选定组合来加工基板的一个单层或不同层(31，32，33，34)上不同类型的材料，同时限制了对层的损伤并将加工速率最大化来产生具有预定模片强度和产量的模片。该文件还包含了与用选定组合切穿对应层所必须的扫描次数相关的数据。该基板用选定组合进行切割。惰性气体或活性气体的气体处理装置被提供以在切割之前，之中或之后来防止或引起基板上的化学反应。
激光加工