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专利名称

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申请人
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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]具有旋转反应器管的等离子体增强型原子层沉积系统-CN201610767258.3在审
发明人： A·W·扎菲罗波洛;A·M·霍利鲁克 -专利权人：超科技公司
申请日： 2016-08-30 - 公布日： 2017-03-08 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明揭示具有旋转反应器管的等离子体增强型原子层沉积系统，以及用于使用PE‑ALD及旋转反应器管涂布粒子的系统及方法。该反应器管为反应器管组件的部分，该反应器管组件可旋转及轴向移动使得其相对于等离子体产生装置可操作地安置。该等离子体产生装置具有自前驱气体产生等离子体的活动状态及传送该前驱气体而不形成等离子体的非活动状态。该反应器管驻留在腔室中，该腔室具有用于接近该反应器管的开放位置及支撑真空的关闭位置。该等离子体产生装置的输出端紧邻该反应器管的输入区段或在该反应器管的输入区段内驻留。此构造避免对于该等离子体产生装置的邻近该反应器管的外表面驻留的活动部分的需求。
具有旋转反应器等离子体增强原子沉积系统

[发明专利]使用CF₄来增强氧自由基产生的自由基增强的原子层沉积-CN201510534891.3在审
发明人： A·W·扎菲罗波洛;M·J·索瓦 -专利权人：超科技公司
申请日： 2015-08-27 - 公布日： 2016-03-09 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明涉及使用CF₄来增强氧自由基产生的自由基增强的原子层沉积。公开了在位于反应室内部中的基材表面上执行自由基增强原子层沉积过程的方法。所述方法包括从由CF₄和O₂构成的气体混合物形成等离子体，其中CF₄存在的浓度处于从0.1体积％至10体积％范围内。由所述气体混合物形成的等离子体比在气体混合物中不存在CF₄时更快地产生氧自由基O*。所述方法还包括将氧自由基和前体气体顺序地供给至反应室的内部，从而在基材的表面上形成氧化物膜。还公开了用于使用快速形成的氧自由基来执行自由基增强的原子层沉积过程的系统。
使用 cf sub 增强自由基产生原子沉积

[发明专利]以环境氧的局部控制对半导体晶片进行激光退火的方法-CN201510348734.3在审
发明人： J·麦克沃特;A·W·扎菲罗波洛 -专利权人：超科技公司
申请日： 2015-06-23 - 公布日： 2015-12-30 - 主分类号： H01L21/268 文献下载
摘要：本发明公开了以环境氧的局部控制对半导体晶片进行激光退火的方法。具体地，公开了使用混合气体来局部控制环境氧气以降低在激光退火期间的氧化量的半导体晶片激光退火。混合气体包含氢气与惰性缓冲气体，例如氮气。在半导体晶片的表面上的退火位置附近的氧气与混合气体的局部加热产生了在其中氧气与氢气发生燃烧而产生水蒸气的局部区域。该燃烧反应降低在局部区域内的氧气浓度，由此局部降低环境氧气的量，这进而在退火工艺期间降低半导体晶片的表面的氧化速率。
环境局部控制对半导体晶片进行激光退火方法

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