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专利名称

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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]用于控制等离子体体积的方法和设备-CN200510103661.8有效
发明人： A·D·拜利三世;A·M·舍普;N·布赖特 -专利权人：兰姆研究有限公司
申请日： 2000-11-14 - 公布日： 2006-03-15 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：这里公开的是一种用于在采用等离子体增强工艺加工处理室中的衬底的过程中控制等离子体体积的等离子体限定装置。该装置包括具有多个第一磁元件的第一磁性桶形装置。第一磁元件被构型为用于在加工室内产生第一磁场。该装置还包括具有多个第二磁元件的第二磁性桶形装置。第二磁元件被构型为用于在加工室内产生第二磁场。第二磁场构型为与第一磁场组合，以便在第一与第二磁性桶形装置之间产生合成磁场。该合成磁场被构型为在允许加工中产生的副产物气体通过，而将等离子体大致限定在至少由加工室和合成磁场确定的体积内。
用于控制等离子体体积方法设备

[发明专利]用来产生均匀的处理速度的方法和装置-CN02818277.4有效
发明人： M·H·维尔科克森;A·D·拜利三世;A·库蒂;M·G·R·史密斯;A·M·舍普 -专利权人：兰姆研究有限公司
申请日： 2002-07-18 - 公布日： 2004-12-15 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：一种用来在一个处理腔室内产生电场的天线装置。一般说来，该天线装置包括围绕天线轴线设置的第一环。该第一环包括：带有第一圈的间隙的第一圈；带有第二圈的间隙的第二圈，其中，第二圈与第一圈同心并且共平面，并且与第一圈间隔开，且其中，天线的轴线穿过第一圈和第二圈的中心；以及在第一圈的第二端和第二圈上的第一端之间实现电路连接的第一圈与第二圈的连接器，它包括一个跨接段，在第一圈与第二圈之间，并且与第一圈和第二圈共平面，该跨接段跨置第一圈的间隙和第二圈的间隙。
用来产生均匀处理速度方法装置

[发明专利]用于控制等离子体体积的方法和设备-CN00818408.9有效
发明人： A·D·拜利三世;A·M·舍普;N·布赖特 -专利权人：兰姆研究有限公司
申请日： 2000-11-14 - 公布日： 2003-06-11 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：这里公开的是一种用于在采用等离子体增强工艺加工处理室中的衬底的过程中控制等离子体体积的等离子体限定装置。该装置包括具有多个第一磁元件的第一磁性桶形装置。第一磁元件被构型为用于在加工室内产生第一磁场。该装置还包括具有多个第二磁元件的第二磁性桶形装置。第二磁元件被构型为用于在加工室内产生第二磁场。第二磁场构型为与第一磁场组合,以便在第一与第二磁性桶形装置之间产生合成磁场。该合成磁场被构型为在允许加工中产生的副产物气体通过,而将等离子体大致限定在至少由加工室和合成磁场确定的体积内。
用于控制等离子体体积方法设备

[发明专利]等离子体加工装置的温度控制系统-CN00818406.2有效
发明人： A·D·拜利三世;A·M·舍普;M·G·R·史密斯;A·库蒂 -专利权人：兰姆研究有限公司
申请日： 2000-11-14 - 公布日： 2003-06-11 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：一种包括温度控制系统的等离子体加工系统和方法,它能够实现对等离子体加工装置的非常精确的温度控制。在一个实施方案中,此温度控制系统和方法进行工作,以便在半导体器件的制造过程中实现对与等离子体相互作用的等离子体加工装置的表面的严格温度控制。本发明提供的这一严格的温度控制能够用组合加热和冷却块来实现,以便能够由同一个热界面提供加热和冷却。
等离子体加工装置温度控制系统

[发明专利]用于加工系统的材料和气体化学组成-CN00818379.1无效
发明人： A·D·拜利三世;A·M·舍普;D·J·赫姆克尔;M·H·维尔科克森 -专利权人：兰姆研究有限公司
申请日： 2000-11-14 - 公布日： 2003-06-11 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于加工衬底的等离子体加工系统。该等离子体加工系统包括单一的腔室,即基本水平对称的等离子体加工腔室,其中点燃并保持等离子体用于加工。该等离子体加工腔室没有单独的等离子体发生腔室。该等离子体加工腔室具有上端和下端。该等离子体加工腔室包含基本不与送入该等离子体加工腔室的反应性气体化学物质反应的材料。此外,本发明公开了流入所述等离子体加工腔室的反应物气体。
用于加工系统材料气体化学组成

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