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[发明专利]碳化硅紫外光光电检测器及其制造方法-CN202310305109.5在审
发明人： A·桑坦格罗;M·C·马兹罗;S·卡西诺;G·郎戈;A·休托 -专利权人：意法半导体股份有限公司
申请日： 2019-03-26 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： H01L31/107 文献下载
摘要：本公开涉及碳化硅紫外光光电检测器及其制造方法。一种光电检测器形成在由N型的第一外延层和P型的第二外延层形成的碳化硅主体中。第一和第二外延层布置在彼此上，并且形成包括突出部分、倾斜侧部和边缘部分的主体表面。绝缘边缘区域在倾斜侧部和边缘部分之上延伸。阳极区域由第二外延层形成并且由突出部分和倾斜侧部界定。第一外延层在阳极区域下方形成阴极区域。具有高于第一外延层的掺杂水平的N型的掩埋区域在与倾斜侧部以及边缘区域相距一定距离处在突出部分下方在阳极和阴极区域之间延伸。
碳化硅紫外光光电检测器及其制造方法

[发明专利]碳化硅紫外光光电检测器及其制造方法-CN201910233197.6有效
发明人： A·桑坦格罗;M·C·马兹罗;S·卡西诺;G·郎戈;A·休托 -专利权人：意法半导体股份有限公司
申请日： 2019-03-26 - 公布日： 2023-04-11 - 主分类号： H01L31/107 文献下载
摘要：本公开涉及碳化硅紫外光光电检测器及其制造方法。一种光电检测器形成在由N型的第一外延层和P型的第二外延层形成的碳化硅主体中。第一和第二外延层布置在彼此上，并且形成包括突出部分、倾斜侧部和边缘部分的主体表面。绝缘边缘区域在倾斜侧部和边缘部分之上延伸。阳极区域由第二外延层形成并且由突出部分和倾斜侧部界定。第一外延层在阳极区域下方形成阴极区域。具有高于第一外延层的掺杂水平的N型的掩埋区域在与倾斜侧部以及边缘区域相距一定距离处在突出部分下方在阳极和阴极区域之间延伸。
碳化硅紫外光光电检测器及其制造方法

[实用新型]功率器件以及系统-CN202021997871.2有效
发明人： A·P·布拉曼蒂;A·帕加尼;A·桑坦格罗 -专利权人：意法半导体股份有限公司
申请日： 2020-09-14 - 公布日： 2021-04-06 - 主分类号： H01L27/22 文献下载
摘要：本公开涉及功率器件以及系统。本公开的各种实施例提供了功率器件，功率器件包括被适配用于在被电流流过时生成磁场的至少一个第一导电元件，并且特征在于功率器件还包括与第一导电元件电绝缘的霍尔传感器。传感器和第一导电元件被互相布置以使得检测指示流过第一导电元件的电流的所述磁场。根据本公开的功率器件具有较高的实用性和使用便利性。
功率器件以及系统

[发明专利]功率器件、包括其的系统以及用于制造和控制其的方法-CN202010959239.7在审
发明人： A·P·布拉曼蒂;A·帕加尼;A·桑坦格罗 -专利权人：意法半导体股份有限公司
申请日： 2020-09-14 - 公布日： 2021-03-12 - 主分类号： H01L27/22 文献下载
摘要：本公开涉及功率器件、包括其的系统以及用于制造和控制其的方法。本公开的各种实施例提供了功率器件，功率器件包括被适配用于在被电流流过时生成磁场的至少一个第一导电元件，并且特征在于功率器件还包括与第一导电元件电绝缘的霍尔传感器。传感器和第一导电元件被互相布置以使得检测指示流过第一导电元件的电流的所述磁场。
功率器件包括系统以及用于制造控制方法

[实用新型]电荷平衡功率器件-CN202021557669.8有效
发明人： A·桑坦格罗;G·郎戈;L·伦纳 -专利权人：意法半导体股份有限公司
申请日： 2020-07-31 - 公布日： 2021-03-09 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本公开的各实施例涉及电荷平衡功率器件。电荷平衡功率器件，包括具有第一导电类型的半导体主体。沟槽栅极在半导体主体中从第一表面向第二表面延伸。主体区域具有与第一导电类型相反的第二导电类型，并且主体区域面对半导体主体的第一表面并且在沟槽栅极的第一侧和第二侧上延伸。具有第一导电类型的源极区域在主体区域中延伸并且面对半导体主体的第一表面。漏极端子在半导体主体的第二表面上延伸。器件还包括具有第二导电性的第一柱状区域和第二柱状区域，其在半导体主体中与沟槽栅极的第一侧和第二侧相邻地延伸，并且第一柱状区域和第二柱状区域与该主体区域间隔开，并且与漏极端子间隔开。根据本公开的实施例，降低导通状态源极‑漏极电阻。
电荷平衡功率器件

[发明专利]电荷平衡功率器件以及用于制造电荷平衡功率器件的方法-CN202010756416.1在审
发明人： A·桑坦格罗;G·郎戈;L·伦纳 -专利权人：意法半导体股份有限公司
申请日： 2020-07-31 - 公布日： 2021-02-02 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本公开的各实施例涉及电荷平衡功率器件以及用于制造电荷平衡功率器件的方法。一种电荷平衡功率器件，包括具有第一导电类型的半导体主体。沟槽栅极在半导体主体中从第一表面朝向第二表面延伸。主体区域具有与第一导电类型相反的第二导电类型，并且主体区域面对半导体主体的第一表面并且在沟槽栅极的第一侧和第二侧上延伸。具有第一导电类型的源极区域在主体区域中延伸并且面对半导体主体的第一表面。漏极端子在半导体主体的第二表面上延伸。器件还包括具有第二导电性的第一柱状区域和第二柱状区域，该第一柱状区域和第二柱状区域在半导体主体中与沟槽栅极的第一侧和第二侧相邻地延伸，并且第一柱状区域和第二柱状区域与该主体区域间隔开，并且与漏极端子间隔开。
电荷平衡功率器件以及用于制造方法

[实用新型]半导体紫外光光电检测器和紫外辐射检测系统-CN201920390597.3有效
发明人： A·桑坦格罗;M·C·马兹罗;S·卡西诺;G·郎戈;A·休托 -专利权人：意法半导体股份有限公司
申请日： 2019-03-26 - 公布日： 2019-12-17 - 主分类号： H01L31/107 文献下载
摘要：本公开涉及半导体紫外光光电检测器和紫外辐射检测系统。一种光电检测器形成在由N型的第一外延层和P型的第二外延层形成的碳化硅主体中。第一和第二外延层布置在彼此上，并且形成包括突出部分、倾斜侧部和边缘部分的主体表面。绝缘边缘区域在倾斜侧部和边缘部分之上延伸。阳极区域由第二外延层形成并且由突出部分和倾斜侧部界定。第一外延层在阳极区域下方形成阴极区域。具有高于第一外延层的掺杂水平的N型的掩埋区域在与倾斜侧部以及边缘区域相距一定距离处在突出部分下方在阳极和阴极区域之间延伸。
外延层倾斜侧部光电检测器阳极区域阴极区域相距一定距离紫外辐射检测碳化硅主体边缘区域绝缘边缘主体表面紫外光阳极延伸界定半导体掩埋掺杂