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专利名称

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申请人
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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]包括二维电子气区域的管芯密封环-CN202180053683.5在审
发明人： K-C·R·杨;A·库迪莫夫;K·R·瓦拉达拉詹;A·安库季诺夫;S·S·杰奥尔杰斯库 -专利权人：电力集成公司
申请日： 2021-08-27 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： H01L29/40 文献下载
摘要：本文提供一种包括二维电子气的管芯密封环。一种半导体器件包括有源器件区域。所述有源器件区域包括：器件端子；以及管芯密封环，所述管芯密封环包括二维电子气区域，围绕所述有源器件区域。通过将所述器件端子电耦合到所述二维电子气区域，半导体侧壁处的电压可以被控制为基本上等于所述器件端子的电压。
包括二维电子区域管芯密封

[发明专利]用于半导体器件的集成电阻器-CN201680085885.7有效
发明人： A·库迪莫夫;J·拉姆达尼 -专利权人：电力集成公司
申请日： 2016-04-08 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： H01L21/82 文献下载
摘要：一种异质结构半导体器件包括：第一有源区和第二有源区，每个有源区彼此电隔离，并且每个有源区包括第一有源层和第二有源层，其中一个电荷被布置在第一有源层和第二有源层之间。一个功率晶体管被形成在所述第一有源区中，并且一个集成栅极电阻器被形成在所述第二有源区中。一个栅极阵列在所述功率晶体管的第一有源区之上横向延伸。第一欧姆触点和第二欧姆触点分别被布置在所述集成栅极电阻器的第一横向端和第二横向端处，所述第一欧姆触点和所述第二欧姆触点被电连接到所述第二有源层的第二部分，所述第二欧姆触点还被电连接到所述栅极阵列。一个栅极总线被电连接到所述第一欧姆触点。
用于半导体器件集成电阻器

[发明专利]用于增强高电子迁移率晶体管的高电压操作的电容网络及其中的方法-CN202080050614.4在审
发明人：杨国彰;S·杰奥尔杰斯库;A·库迪莫夫;K·瓦拉达拉詹 -专利权人：电力集成公司
申请日： 2020-06-24 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： H01L29/40 文献下载
摘要：本文提供了用于增强高电子迁移率晶体管(HEMT)的高电压操作的电容网络。集成和/或外部电容网络可以被设置有固定数目的电容耦合场板，以在漂移区域中分布电场。电容耦合场板可以有利地制作在相同的金属层上以降低成本；并且可以提供电容网络来控制场板电势。可以通过电容网络预先确定每个场板上的电势，从而沿着漂移区域产生均匀的和/或大体上均匀的电场分布。
用于增强电子迁移率晶体管电压操作电容网络及其中的方法

[发明专利]具有电荷分布结构的开关装置-CN201810176173.7在审
发明人： A·库迪莫夫;J·拉姆达尼 -专利权人：电力集成公司
申请日： 2018-03-02 - 公布日： 2018-09-14 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种半导体器件，其包括衬底和布置在所述衬底上的第一有源层。所述半导体器件也包括布置在所述第一有源层上的第二有源层，使得在所述第一有源层和所述第二有源层之间出现横向导电沟道。在所述第二有源层上布置有源极、栅极和漏极接触部。导电电荷分布结构布置在第二有源层上位于栅极接触部和漏极接触部之间。导电电荷分布结构电容耦合到栅极接触部。
源层半导体器件漏极接触部导电电荷分布结构栅极接触衬底导电沟道电荷分布电容耦合源极

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