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[实用新型]电子装置-CN202123264016.8有效
发明人： A·伊万;L·让 -专利权人：意法半导体(图尔)公司
申请日： 2021-12-23 - 公布日： 2022-10-28 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：本公开涉及电子装置，例如涉及薄二极管。例如，一种包括二极管的装置。二极管的阳极包括第一区、第二区和第三区。第一区部分地覆盖第二区，并且具有的第一掺杂水平大于第二区的第二掺杂水平。第二区部分地覆盖第三区，并且具有的第二掺杂水平大于第三区的第三掺杂水平。第一绝缘层与第一区和第二区部分地重叠。
电子装置

[发明专利]薄二极管-CN202111589027.5在审
发明人： A·伊万;L·让 -专利权人：意法半导体(图尔)公司
申请日： 2021-12-23 - 公布日： 2022-06-28 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：本公开涉及薄二极管。例如，一种包括二极管的装置。二极管的阳极包括第一区、第二区和第三区。第一区部分地覆盖第二区，并且具有的第一掺杂水平大于第二区的第二掺杂水平。第二区部分地覆盖第三区，并且具有的第二掺杂水平大于第三区的第三掺杂水平。第一绝缘层与第一区和第二区部分地重叠。
二极管

[实用新型]电子组件以及电子电路-CN202021138008.1有效
发明人： M·罗维瑞;A·伊万;M·萨德纳;V·斯卡尔帕 -专利权人：意法半导体应用有限公司;意法半导体(图尔)公司
申请日： 2020-06-18 - 公布日： 2021-03-09 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：一种电子组件，包括：氮化镓衬底；第一连接端子和第二连接端子，形成在氮化镓衬底上；场效应功率晶体管，形成在氮化镓衬底上并且包括栅极、源极和漏极；第一肖特基二极管，形成在氮化镓衬底上并且被定位于第一连接端子和晶体管的栅极之间；以及第二肖特基二极管，形成在氮化镓衬底上并且被定位于第二连接端子和晶体管的栅极之间。通过本公开的实施例，可以例如保护晶体管的栅极而不降低开关速度。
电子组件以及电子电路

[发明专利]样品容器处理装置-CN201710893688.4有效
发明人： R·A·迈尔;A·伊万 -专利权人：豪夫迈·罗氏有限公司
申请日： 2017-09-28 - 公布日： 2021-01-08 - 主分类号： G01N35/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种样品容器处理装置，其包括线性输送单元和释放单元，所述释放单元包括释放叶片段，其中，所述释放叶片段沿恒定的旋转方向旋转。
样品容器处理装置

[发明专利]包括氮化镓功率晶体管的单片式组件-CN202010561803.X在审
发明人： M·罗维瑞;A·伊万;M·萨德纳;V·斯卡尔帕 -专利权人：意法半导体应用有限公司;意法半导体(图尔)公司
申请日： 2020-06-18 - 公布日： 2020-12-22 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：单片式组件包括场效应功率晶体管、以及在氮化镓衬底内部和顶部的至少一个第一肖特基二极管。
包括氮化功率晶体管单片组件

[发明专利]高压氮化镓肖特基二极管-CN201610108585.8有效
发明人： A·伊万 -专利权人：意法半导体(图尔)公司
申请日： 2016-02-26 - 公布日： 2019-12-24 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本公开提供高压氮化镓肖特基二极管。肖特基二极管形成在硅支撑部上。非掺杂GaN层覆在硅支撑部上面。AlGaN层覆在非掺杂GaN层上面。形成欧姆接触的第一金属化层和形成肖特基接触的第二金属化层被设置在AlGaN层中和AlGaN层上。第一过孔从第一金属化层朝向硅支撑部延伸。第二过孔从第二金属化层朝向上表面延伸。
高压氮化镓肖特基二极管

[实用新型]高压氮化镓肖特基二极管-CN201620147582.0有效
发明人： A·伊万 -专利权人：意法半导体(图尔)公司
申请日： 2016-02-26 - 公布日： 2016-07-27 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：为了降低导通状态中的电阻，本公开提供高压氮化镓肖特基二极管。肖特基二极管形成在硅支撑部上。非掺杂GaN层覆在硅支撑部上面。AlGaN层覆在非掺杂GaN层上面。形成欧姆接触的第一金属化层和形成肖特基接触的第二金属化层被设置在AlGaN层中和AlGaN层上。第一过孔从第一金属化层朝向硅支撑部延伸。第二过孔从第二金属化层朝向上表面延伸。根据实施例的肖特基二极管的优点在于导通状态中电阻低。
高压氮化镓肖特基二极管

[发明专利]垂直氮化镓肖特基二极管-CN201510058744.3在审
发明人： A·伊万;D·阿尔奎尔;Y·科尔迪耶 -专利权人：意法半导体(图尔)公司;国家科学研究中心;法国国立图尔大学
申请日： 2015-02-04 - 公布日： 2015-08-05 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明涉及一种垂直氮化镓肖特基二极管，包括：由堆叠覆盖的导体或半导体衬底，该堆叠从衬底的第一表面按以下顺序包括缓冲层、第一N型掺杂GaN层、以及具有比第一层低的掺杂水平的第二N型掺杂GaN层；在第二GaN层的与衬底相对的第一表面上的肖特基接触；以及将第一GaN层的与衬底相对的第一表面连接至衬底的第一金属层，所述金属层位于开口中，开口位于堆叠的未由肖特基接触覆盖的区域中，该开口从第二层的第一表面延伸至衬底。
垂直氮化镓肖特基二极管

[实用新型]肖特基二极管-CN201520079978.1有效
发明人： A·伊万;D·阿尔奎尔;Y·科尔迪耶 -专利权人：意法半导体(图尔)公司;国家科学研究中心;法国国立图尔大学
申请日： 2015-02-04 - 公布日： 2015-07-29 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种肖特基二极管，包括：半导体衬底，由堆叠覆盖，堆叠从衬底的第一表面按以下顺序包括缓冲层、第一N型掺杂GaN层、以及具有比第一层低掺杂水平的第二N型掺杂GaN层；肖特基接触，在第二GaN层的与衬底相对的第一表面上；第一金属层，将第一GaN层的与衬底相对的第一表面连接至衬底，金属层位于外围开口中，外围开口位于堆叠的未由肖特基接触覆盖的区域中，该开口从第二层的第一表面延伸至衬底；以及第二金属层，覆盖与衬底的第一表面相对的衬底的第二表面。
肖特基二极管

[发明专利]带光波导和中子闪烁材料的集成式中子-伽马辐射探测器-CN200910006637.0无效
发明人： B·A·克罗思尔;D·B·麦德维特;A·伊万 -专利权人：通用电气公司
申请日： 2009-02-06 - 公布日： 2009-08-12 - 主分类号： G01T1/20 文献下载
摘要：本发明涉及一种带光波导和中子闪烁材料的集成式中子-伽马辐射探测器，具体而言，一种集成式中子-伽马辐射探测器包括伽马传感元件，中子传感元件，以及感光元件，中子传感元件包括至少部分地被光波导材料包围的中子闪烁材料，而感光元件光学地耦合在伽马传感元件和中子传感元件两者上。伽马传感元件的一部分可被布置在中子传感元件的中心孔中。在一方面，中子传感元件包括多个圆柱形的同心的壳，其形成用于接收伽马传感元件的中心孔。在另一方面，中子传感元件包括多个束，其形成多层结构，并形成用于接收伽马传感元件的中心孔。
波导中子闪烁材料集成辐射探测器

[发明专利]具有自适应选择的伽马阈值的集成中子伽马辐射检测器-CN200810179773.5有效
发明人： A·伊万;S·J·杜克罗斯;D·B·麦德维特;J·R·威廉斯;B·A·克罗蒂尔;J·S·戈顿 -专利权人：通用电气公司
申请日： 2008-12-03 - 公布日： 2009-06-10 - 主分类号： G01T3/06 文献下载
摘要：本发明涉及具有自适应选择的伽马阈值的集成中子伽马辐射检测器。揭示了一种集成辐射检测器(10)，具有光耦合于伽马感应元件(18)和中子感应元件(20)的脉冲模式工作光电传感器(24)。该检测器(10)包括脉冲形状和处理电子电路封装(26)，其使用模拟到数字转换器(ADC)和电荷到数字转换器(QDC)来确定闪烁衰减时间，并根据辐射类型分类辐射交互作用。脉冲形状和处理电子电路封装(26)从与由伽马感应元件(18)检测的伽马射线关联的谱中确定最大伽马能量，以便自适应地选择中子感应元件(20)的伽马阈值。归于中子感应元件(20)的光脉冲在该光脉冲的幅度高于伽马阈值时是有效中子事件。
具有自适应选择阈值集成中子辐射检测器

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