“麻昊志”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果15个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种应对缓存数据丢失的元数据一致性写入方法和系统-CN202211364152.0有效
发明人： 麻昊志;李强;郭鹏 -专利权人：中国科学院空间应用工程与技术中心
申请日： 2022-11-02 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： G06F3/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种应对缓存数据丢失的元数据一致性写入方法和系统，涉及文件系统技术领域。该方法包括：将待更新元数据写入已设置的批次缓冲区中，写入完成后的计数器值为第一计数。获取当前计数器值并与第一计数比较，若增量大于所述预设缓冲深度，且无异常，将所述待更新元数据的标志信息写入存储器，并记录写入时的计数器值为第二计数，若增量大于所述预设缓冲深度，且无异常，将所述待更新元数据写入文件系统的元数据记录中，并记录写入时的计数器值为第三计数，获取当前计数器值并与第三计数比较，若增量大于所述预设缓冲深度，且无异常，清除存储器中的该批次缓冲区的标志信息，通过本方案显著提升文件系统可靠性与稳定性。
一种应对缓存数据丢失数据一致性写入方法系统

[发明专利]一种FPGA系统中软核处理器的复位方法和系统-CN202211115890.1有效
发明人： 麻昊志;王志红;郭鹏 -专利权人：中国科学院空间应用工程与技术中心
申请日： 2022-09-14 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： G06F1/24 文献下载
摘要：本发明公开了一种FPGA系统中软核处理器的复位方法和系统，涉及FPGA技术领域。该方法包括：通过预设复位信号对FPGA系统中预设软核处理器进行复位，执行所述软核处理器的复位流程；控制目标软核处理器保持在复位状态；获取FPGA系统目标软核处理器程序运行环境所在存储器的预设地址和特定数据的预设长度中的原始值；将所述特定数据的原始值覆盖在所述存储器的预设地址中，并覆盖为预设长度；释放所述预设复位信号，暂停复位，复位结束。通过本发明当进行软核处理器复位时，保证了执行环境恢复至初始状态，将存储器中的特定数据已恢复为初始值，帮助软核处理器系统正常复位。
一种 fpga 系统中软核处理器复位方法

[发明专利]RAID阵列磁盘暂时失效的数据存储与修复方法及系统-CN202211209814.7有效
发明人： 麻昊志;傅智康;宫永生 -专利权人：中国科学院空间应用工程与技术中心
申请日： 2022-09-30 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： G11C29/44 文献下载
摘要：本发明公开的RAID阵列磁盘暂时失效的数据存储与修复方法及系统，包括：当RAID阵列中的磁盘的运行状态发生变化时，生成包含所有当前可访问磁盘的第一列表，且当第一列表中未包含所有磁盘时，根据第一列表生成降级IO列表，并判断第一列表中的磁盘数量是否满足预设条件；若是，则获取并根据共同包含于第二列表和第一列表中的所有磁盘，生成新的第二列表，并判断新的第二列表中的磁盘数量是否满足预设条件，若是，则判断第一列表的磁盘数量是否大于新的第二列表中的磁盘数量；若是，则采用预设修复方式对目标RAID阵列进行数据修复。本发明在不中断正常访问业务的同时，提高了磁盘在暂时失效时的数据存储以及数据修复过程的稳定性。
raid 阵列磁盘暂时失效数据存储修复方法系统

[发明专利]一种多副本数据对象管理方法、介质及分布式存储系统-CN202211209403.8有效
发明人： 麻昊志;王志红;宫永生 -专利权人：中国科学院空间应用工程与技术中心
申请日： 2022-09-30 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： G06F3/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种多副本数据对象管理方法、介质及分布式存储系统，方法包括：系统首次启动前进行格式化处理；系统运行过程中，根据最大节点运行时间设置系统运行时间，根据系统运行时间设置上线节点的节点运行时间；节点下线时冻结节点运行时间；数据删除和数据写入过程中，对数据对象的属性信息中的信息类别、版本信息和删除时间进行对应更新；周期性对删除标记进行回收处理。本发明仅收集各节点的运行状态与运行时间，不涉及任何数据状态的访问，本发明无需全局数据索引，即可确保多副本数据删除的正确性，减轻系统访问压力；本发明还周期性地对删除标记进行回收处理，减少了删除标记对存储空间的长时间占用，提高了系统运行效率。
一种副本数据对象管理方法介质分布式存储系统

[发明专利]一种文件系统元数据的写入方法和系统-CN202211364171.3在审
发明人： 麻昊志;李强;郭鹏 -专利权人：中国科学院空间应用工程与技术中心
申请日： 2022-11-02 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： G06F3/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种文件系统元数据的写入方法和系统，涉及文件系统技术领域。该方法包括：获取待变更元数据及所述待变更元数据所在地址列表；将所述待变更元数据备份到对应存储器；将所述地址列表及所述待变更元数据的更新标志写入对应存储器；将所述待变更元数据写入文件系统中，当未出现系统故障，则删除所述更新标志及所述地址列表，完成文件系统更新，通过本方法对文件系统更改变更可以实现一致性写入，可以有效鉴别文件系统元数据是否处于一致状态，并可将处于不一致状态的元数据恢复为一致状态，从而显著提升文件系统可靠性与稳定性。
一种文件系统数据写入方法系统

[发明专利]一种应对系统不稳定时间区间的元数据写入方法和系统-CN202211367830.9在审
发明人： 麻昊志;李强;郭鹏 -专利权人：中国科学院空间应用工程与技术中心
申请日： 2022-11-02 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： G06F16/172 文献下载
摘要：本发明公开了一种应对系统不稳定时间区间的元数据写入方法和系统，涉及文件系统领域。该方法包括：设置预设时长的时间窗口，设置批次缓冲区，将待更新元数据写入已设置的批次缓冲区中，延迟预设时长的时间窗口，若无异常，将所述待更新元数据的第一结束时间戳和第一有效标志写入已设置的批次缓冲区中，延迟预设时长的时间窗口，若无异常，将所述待更新元数据写入文件系统的元数据记录中，延迟预设时长的时间窗口，若无异常，删除所述第一有效标志和所述第一结束时间戳，完成不稳定时间的待更新元数据写入，采用本方案进行文件系统元数据写入，写入放大倍率稳定，不改变文件系统元数据布局，有利于进行文件系统扫描与错误恢复。
一种应对系统不稳定时间区间数据写入方法

[发明专利]NAND Flash存储系统保存期间数据分步加重方法-CN201510868174.4有效
发明人：潘立阳;麻昊志;高忠义 -专利权人：清华大学;清华大学深圳研究生院
申请日： 2015-12-01 - 公布日： 2019-10-29 - 主分类号： G11C16/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种NAND Flash存储系统保存期间数据分步加重方法，该加重方法包括以下步骤：在NAND Flash存储器写入数据之后，判断写入数据所在数据块是否被写满，以及判断数据块是否属于高磨损块；如果数据块被写满且属于高磨损块，则对数据块进行标记，并记录数据更新时间；在数据期间，查询被标记的数据块上一次数据加重操作的实施时间，并判断实施时间是否达到预设时间间隔；如果实施时间达到所述预设时间间隔，则对被标记的数据块进行数据加重，并更新数据加重操作实施时间。该保存期间数据分步加重方法，可以减少数据保持错误率，提升数据存储可靠性。
nand flash 存储系统保存期间数据分步加重方法

[发明专利]NAND Flash存储系统高磨损区域数据预加重方法-CN201510866902.8有效
发明人：潘立阳;麻昊志;高忠义 -专利权人：清华大学;清华大学深圳研究生院
申请日： 2015-12-01 - 公布日： 2019-10-29 - 主分类号： G11C16/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种NAND Flash存储系统高磨损区域数据预加重方法，该方法包括以下步骤：在NAND Flash存储器写入数据之后，判断写入数据所在数据块是否被写满；如果数据块已经被写满，查询该数据块的磨损程度信息；根据磨损程度信息判断该数据块是否属于高磨损块；如果数据块属于高磨损块，则对该数据块进行数据预加重。本发明的NAND Flash存储系统高磨损区域数据预加重方法，可以减少高磨损区域存储单元数据保持期间由浮栅电荷损失所诱发的数据保持错误数量，提高数据保存可靠性。
nand flash 存储系统磨损区域数据加重方法

[发明专利]NAND FLASH存储器数据保持错误恢复方法-CN201510866904.7有效
发明人：潘立阳;麻昊志;高忠义 -专利权人：清华大学;清华大学深圳研究生院
申请日： 2015-12-01 - 公布日： 2018-12-11 - 主分类号： G06F3/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种NAND FLASH存储器数据保持错误恢复方法，其中，NAND FLASH存储器为SLC NAND FLASH存储器，该方法包括：S1，判断NAND FLASH存储器的数据读取是否失效，并在数据读取失效时进入步骤S2；S2，读取失效数据所在数据块中的页数据；S3，将页数据回写至失效数据所在数据块中相对应的数据页中；在页数据回写时，诱发NAND FLASH存储器的浮栅电荷再注入。该数据保持错误恢复方法可以实现NAND FLASH存储器数据保持错误恢复，有效提升NAND FLASH存储器数据可靠性。本发明还公开了另一种NAND FLASH存储器数据保持错误恢复方法。
错误恢复数据保持页数据失效数据数据读取数据块回写数据可靠性读取电荷数据页浮栅诱发

[发明专利]一种基于块状态表的磨损均衡方法及装置-CN201410513237.X在审
发明人：潘立阳;邹宏飞;麻昊志;高忠义 -专利权人：清华大学深圳研究生院
申请日： 2014-09-29 - 公布日： 2015-01-28 - 主分类号： G06F3/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于块状态表的磨损均衡方法及装置，构造了一个结构化的块状态表，其每一行与存储器的物理块一一对应，每一行包括以二进制标识的1位冷块标志位、1位热块标志位和预定义位数的擦除计数位，通过改变不同的标志位，实现了存储器的各物理块磨损均衡的同时，由于使用了结构化的块状态表表示物理块擦除次数，其占用的内存大小为固定值，因此，将该块状表存储于内存时，可避免内存不必要的浪费。
一种基于状态磨损均衡方法装置

[发明专利]适用于称重测力传感器的应变片贴片装置-CN201410015309.8有效
发明人： 麻昊志;陈立诚 -专利权人：清华大学;福建省莆田市衡力传感器有限公司
申请日： 2014-01-13 - 公布日： 2014-04-16 - 主分类号： F16B11/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种适用于称重测力传感器的应变片贴片装置，所述称重测力传感器上设有孔洞，所述贴片装置用于将所述应变片装配在所述孔洞内，所述贴片装置包括：承载块，所述承载块上设有至少一个应变片载体，所述应变片预设在所述应变片载体上，所述承载块的径向尺寸小于所述孔洞的径向尺寸，所述承载块可活动地设在所述孔洞内；和挤压块，所述挤压块可活动地设在所述孔洞内，所述挤压块适于被构造成在所述孔洞内可挤压所述承载块以使所述应变片载体上预设的应变片贴合在所述孔洞的内壁上。根据本发明实施例的适用于称重测力传感器的应变片贴片装置，结构简单、方便实用，适于工业化生产，可以应用到高深宽比的孔洞中应变片的粘贴。
适用于称重测力传感器应变片贴片装置

[发明专利]用于数据通讯的ECC解码控制方法-CN201210517294.6有效
发明人：潘立阳;麻昊志;宋昌来 -专利权人：清华大学
申请日： 2012-12-05 - 公布日： 2013-04-10 - 主分类号： H04L1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于数据通讯的ECC解码控制方法。本发明针对数据接收端的信号质量的不可预见性，在数据接收端预先重构出纠错能力不同的至少两个校验矩阵、以适应信号质量不同的编码数据，相应地，每当在数据接收端接收到编码数据时，本发明都依据该编码数据的信号质量来选择具有适当纠错能力的校验矩阵进行解码。如此一来，对于信号质量相对高的编码数据，利用纠错能力相对低的校验矩阵即可确保足够低的误码率，同时还能够节省数据接收端的解码功耗与延时。从而，本发明不但能够确保数据接收端的BER足够低，而且，只要数据接收端的信号质量具有一定的随机性，本发明还能够同时兼顾到数据接收端的解码功耗与延时。
用于数据通讯 ecc 解码控制方法

[发明专利]用于数据存储的访问控制方法-CN201210516062.9有效
发明人：潘立阳;麻昊志;邹宏飞 -专利权人：清华大学
申请日： 2012-12-05 - 公布日： 2013-03-20 - 主分类号： G06F12/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于数据存储的访问控制方法。本发明在封装体、或存储单元、或BANK中划分出数据存储区和冗余存储区，因此，数据的原始信息和冗余位就能够以分布式的存储方式分别存放在对应的数据存储区和冗余存储区、而无需集中存储在一个page中，从而能够提供足够的存储空间来存放数据的原始信息和冗余位；而且，在本发明中，同一数据的原始信息及冗余位所分别对应的数据存储区和冗余存储区位于不同封装体、或不同存储单元、或不同BANK中，因此，对同一数据的读写访问可通过对不同封装体、或不同存储单元、或不同BANK的同时读写来实现，从而能够节省读写访问所需的时间，以确保存储性能不会由于采用分布式存储而被降低。
用于数据存储访问控制方法

[发明专利]用于数据存储的ECC解码控制方法-CN201210517291.2有效
发明人：潘立阳;麻昊志;宋昌来 -专利权人：清华大学
申请日： 2012-12-05 - 公布日： 2013-03-20 - 主分类号： G11C29/42 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于数据存储的ECC解码控制方法。本发明为ECC编码方法重构出纠错能力不同的至少两个校验矩阵；相应地，每当读取编码数据时，本发明都依据存储时间来选择具有适当纠错能力的校验矩阵进行解码。如此一来，对于存储时间相对长的编码数据，利用纠错能力相对高的校验矩阵能够确保足够低的数据误码率；而对于存储时间较短的编码数据，利用纠错能力相对低的校验矩阵能够确保存储性能、并节省解码功耗与延时。从而，本发明不但能够解决由于存储时间引起的保持性下降的问题，且只要编码数据的存储时间具有一定的随机性，本发明还能够同时兼顾到存储性能、以及解码功耗与延时。
用于数据存储 ecc 解码控制方法

[发明专利]具有垂直晶体管的存储器阵列结构及其形成方法-CN201110439980.1有效
发明人：潘立阳;麻昊志 -专利权人：清华大学
申请日： 2011-12-23 - 公布日： 2012-06-27 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：本发明提供一种具有垂直晶体管的4F2存储器阵列结构及其形成方法，该阵列结构包括：衬底；位于衬底上的多个存储单元，每个存储单元包括垂直晶体管，垂直晶体管的栅极位于沿第一方向延伸且与垂直晶体管的半导体柱相邻的第一沟槽内；多条沿第一方向的字线，字线位于第一沟槽内用于连接栅极；多条沿所述第二方向的位线，位线位于半导体柱下侧用于连接位于半导体柱下端的源区或漏区；多条沿第一方向的体线，体线的第一部分位于部分栅极之上，体线的第二部分覆盖部分半导体柱的顶部，用于为垂直沟道区提供衬底接触；多个存储器件接触，存储器件接触位于半导体柱上端的源区或漏区上。通过本发明可以简便地实现有衬底接触的4F2 DRAM存储阵列。
具有垂直晶体管存储器阵列结构及其形成方法

1
共 15 条