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[发明专利]一种快速寻找电熔丝理想烧写值的方法、装置及电子设备-CN202310547143.3在审
发明人：谭弟;沈彬;高舰艇 -专利权人：无锡靖芯科技有限公司
申请日： 2023-05-16 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明提供了一种快速寻找电熔丝理想烧写值的方法、装置及电子设备。一种快速寻找电熔丝理想烧写值的方法，包括：设定中心理想值V_ideal，获得第一次测量档位L_meas1及第一次测量档位的测量值V_meas1；计算第一次测量档位的测量值V_meas1与中心理想值V_ideal的第一偏差值V_diff1；根据第一偏差值V_diff1和步进值V_offset计算第一档位偏差值L_diff1；根据第一次测量档位L_meas1和第一档位偏差值L_diff1计算第二次测量档位L_meas2，获取第二次测量档位的测量值V_meas2；计算第二次测量档位的测量值V_meas2与中心理想值V_ideal的第二偏差值V_diff2；判断第一偏差值V_diff1与所述第二偏差值V_diff2的乘积是否小于0，且判断第一档位偏差值L_diff1是否等于1；将中心档位L_ideal更新至统计表中，设置次数最多的档位作为下一次测量的起始档位。
一种快速寻找电熔丝理想烧写值方法装置电子设备

[发明专利]一种芯片内的自适应定时电路-CN202310057681.4在审
发明人：宋霄;高舰艇;吴昊;黄年亚 -专利权人：无锡靖芯科技有限公司
申请日： 2023-01-17 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： H02M3/07 文献下载
摘要：本发明公开了一种芯片内的自适应定时电路，涉及集成电路设计领域，该芯片内的自适应定时电路包括：第一充电模块，用于为片外电容充电；第二充电模块，用于为片内电容充电；充电开关模块，用于开关弹开时，第一充电模块、第二充电模块为片外、片内电容充电；比较及判断模块，用于比较片外电容和片内电容的电压大小，并将两者中较小的电压输出给整形及计时模块；与现有技术相比，本发明的有益效果是：本发明采用了内部集成固定定时器，并自动检测定时器是否有外置电容，如果有外置电容则以外置电容搭配内置恒流源的定时时间为准，如果无外置电容，则默认采用内部集成固定定时器，内外定时器可自动平滑切换，成本低，定时效果好。
一种芯片自适应定时电路

[发明专利]一种带高边采样的复合型低侧驱动器-CN202310057461.1在审
发明人： 高舰艇;黄年亚;宋霄 -专利权人：无锡靖芯科技有限公司
申请日： 2023-01-17 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： H03K17/687 文献下载
摘要：本发明公开了一种带高边采样的复合型低侧驱动器，涉及集成电路领域，该带高边采样的复合型低侧驱动器包括：复合型低侧驱动电路，用于接收控制器的控制信号，驱动MOS管Q1导通状况；MOS管Q1，用于导通时，负载LOAD导通得电；负载LOAD，用于负载得电工作；本发明的有益效果是：本发明提出了复合型低侧驱动电路和高边采样电路，两种技术集成在单颗芯片里，外围元器件少易于实际生产应用，复合型低侧驱动电路解决驱动低内阻功率MOSFET时需要在100ns时间内提供几安培电流脉冲的问题，高边采样电路解决低边采样电路因接地和噪音干扰导致采样信号失真的问题，提高信号抗干扰性，便于兼容不同的应用需求。
一种带高边采样复合型驱动器

[发明专利]一种低压芯片检测外部高压电路-CN202211741059.7在审
发明人：宋霄;高舰艇;吴昊;黄年亚 -专利权人：无锡靖芯科技有限公司
申请日： 2022-12-31 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： G01R19/165 文献下载
摘要：本发明公开了一种低压芯片检测外部高压电路，涉及集成电路设计领域，该低压芯片检测外部高压电路包括：芯片外部检测模块，用于检测芯片外部电压，采样外部电压是否超出基准电压，超出时输出电压；芯片内部检测模块，用于检测芯片内部电压，采样内部电压是否超出基准电压，超出时输出电压；辅助比较模块，用于确认采样外部电压是否正常，与现有技术相比，本发明的有益效果是：本发明通过芯片外部检测模块可以检测超出芯片本身最高耐压的待测电压，在待测电压过大时，检测输出模块输出高电平进行指示；同时设置有芯片内部检测模块，在芯片外部检测模块故障时检测低于芯片本身最高耐压的待测电压。
一种低压芯片检测外部高压电路

[发明专利]一种新型自举驱动电路结构-CN202110511660.6有效
发明人：黄年亚;高舰艇 -专利权人：无锡靖芯科技有限公司
申请日： 2021-05-11 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： H02M1/08 文献下载
摘要：本发明涉及集成电路技术领域，具体公开了一种新型自举驱动电路结构，包括第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管、第五PMOS管、第六PMOS管、第七PMOS管、第八PMOS管、第九PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管、第五NMOS管、第六NMOS管、第七NMOS管、第八NMOS管、第九NMOS管、第十NMOS管、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第五电阻、电容、第一二极管、第二二极管、第三二极管、第四二极管、第五二极管、三极管、电流源、第一逻辑非门电路、第二逻辑非门电路以及第三逻辑非门电路。本发明提供的新型自举驱动电路结构，无需OSC、基准电路以及大量逻辑电路即可实现电荷泵的自举驱动电路，极少器件即可抬升上管任意驱动电压范围。
一种新型驱动电路结构

[发明专利]一种精确修调芯片电参数的方法-CN202011153465.2有效
发明人：黄年亚;高舰艇 -专利权人：无锡靖芯科技有限公司
申请日： 2020-10-26 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： G01R31/317 文献下载
摘要：本发明公开了一种精确修调芯片电参数的方法，该精确修调芯片电参数的方法包括以下步骤：可修调存储器模块根据应用需求，最终的N bit修调数据D*需要写入该存储器模块写为固件；数据存储及处理模块先处理主机发送的2n个N bit的D0～Dn‑1数据，D0～Dn‑1的数据通过参数选择模块与待修调的电参数P*产生2n个P0～Pn‑1的数值，该数值以P*为中心数值分布；本发明测试平台配合形成自动测试系统，对成品芯片进行内部电参数的修调，这样可以客服制程，测试及封装等生产过程中产生的诸多因素的影响。
一种精确芯片参数方法

[实用新型]一种电荷泵的软启动电路-CN202121862510.1有效
发明人： 高舰艇;宋霄;何森林;辛智敏;黄年亚 -专利权人：无锡靖芯科技有限公司
申请日： 2021-08-10 - 公布日： 2022-01-04 - 主分类号： H02M1/36 文献下载
摘要：本实用新型涉及集成电路技术领域，具体公开了一种电荷泵的软启动电路，包括软启动电路和一阶Dickson电荷泵电路，软启动电路和一阶Dickson电荷泵电路连接，软启动电路包括第一运算放大器OP1、第二运算放大器OP2、第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R11、第一MOS管M1、第二MOS管M2、第三MOS管M3、第四MOS管M4、第一二极管D0、第一电容C1、第四电容C11、第一互补开关S1和第二互补开关S2，一阶Dickson电荷泵电路包括振荡电路、第二二极管D1、第三二极管D2、第二电容C2、第三电容C3和负载电阻。本实用新型提供的电荷泵的软启动电路，易于控制，并易于芯片集成，芯片集成后通过外围配置单个电阻的阻值或电容的容值可配置不同的电荷泵软启动的时间，便于兼容不同的应用需求。
一种电荷启动电路

[发明专利]一种电荷泵的软启动电路-CN202110911775.4在审
发明人： 高舰艇;宋霄;何森林;辛智敏;黄年亚 -专利权人：无锡靖芯科技有限公司
申请日： 2021-08-10 - 公布日： 2021-10-08 - 主分类号： H02M1/36 文献下载
摘要：本发明涉及集成电路技术领域，具体公开了一种电荷泵的软启动电路，包括软启动电路和一阶Dickson电荷泵电路，软启动电路和一阶Dickson电荷泵电路连接，软启动电路包括第一运算放大器OP1、第二运算放大器OP2、第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R11、第一MOS管M1、第二MOS管M2、第三MOS管M3、第四MOS管M4、第一二极管D0、第一电容C1、第四电容C11、第一互补开关S1以及第二互补开关S2，一阶Dickson电荷泵电路包括振荡电路、第二二极管D1、第三二极管D2、第二电容C2、第三电容C3以及负载电阻RL。本发明提供的电荷泵的软启动电路，易于控制，并易于芯片集成，芯片集成后通过外围配置单个电阻的阻值或电容的容值可配置不同的电荷泵软启动的时间，便于兼容不同的应用需求。
一种电荷启动电路

[发明专利]一种封装集成功率器件的电流采样方法-CN202011153440.2在审
发明人：黄年亚;高舰艇 -专利权人：无锡靖芯科技有限公司
申请日： 2020-10-26 - 公布日： 2021-02-09 - 主分类号： H01L23/49 文献下载
摘要：本发明公开了一种封装集成功率器件的电流采样方法，该电流采样方法包括以下：控制芯片U1和功率器件芯片U2放置于同一封装载片岛，进行集成封装，控制芯片流过的工作电流从VDD经过A，流过控制芯片经过B到达GND，功率器件芯片流过的工作电流从VDD经过H1～Hn，流过功率器件芯片经过L1～Ln到达GND；本发明采用控制芯片和功率器件芯片集成化封装，通过绑定金属线作为采样电阻对功率器件芯片流过的电流进行采样，通过调整绑定金属线的材料、长度、及金属线的根数，可以根据不同的电流等级修改采样电阻的阻值，把该采样信号通过绑定金属线传输至控制芯片，作为控制芯片的反馈信号。
一种封装集成功率器件电流采样方法

[发明专利]高压驱动电路的防贯通电路-CN201610370246.7有效
发明人： 高舰艇;高存旗;刘杰 -专利权人：深圳芯能半导体技术有限公司
申请日： 2016-05-30 - 公布日： 2018-11-13 - 主分类号： H03K17/284 文献下载
摘要：本发明公开一种高压驱动电路的防贯通电路。该防贯通电路包括第一反相器、第二反相器、第一延时电路、第二延时电路、第一或非门和第二或非门；第一反相器对上桥控制信号进行反相处理形成第一反相信号并输出；第一延时电路对上桥控制信号进行延时处理形成第一延时信号并输出；第二反相器对下桥控制信号进行反相处理形成第二反相信号并输出；第二延时电路对下桥控制信号进行延时处理形成的第二延时信号并输出；第一或非门对第一反相信号和第二延时信号进行或非处理形成上桥驱动信号并输出；第二或非门对第二反相信号和第一延时信号进行或非处理形成下桥驱动信号并输出。防贯通电路结构简单、占用面积小，可防止同一桥臂上的上下两个功率管同时导通。
高压驱动电路贯通

[实用新型]高压驱动电路的防贯通电路-CN201620507428.X有效
发明人： 高舰艇;高存旗;刘杰 -专利权人：深圳芯能半导体技术有限公司
申请日： 2016-05-30 - 公布日： 2017-01-25 - 主分类号： H03K17/284 文献下载
摘要：本实用新型公开一种高压驱动电路的防贯通电路。该防贯通电路包括第一反相器、第二反相器、第一延时电路、第二延时电路、第一或非门和第二或非门；第一反相器对上桥控制信号进行反相处理形成第一反相信号；第一延时电路对上桥控制信号进行延时处理形成第一延时信号；第二反相器对下桥控制信号进行反相处理形成第二反相信号；第二延时电路对下桥控制信号进行延时处理形成的第二延时信号；第一或非门对第一反相信号和第二延时信号进行或非处理形成上桥驱动信号并输出；第二或非门对第二反相信号和第一延时信号进行或非处理形成下桥驱动信号并输出。该防贯通电路结构简单、占用面积小，可防止同一桥臂上的上下两个功率管同时导通。
高压驱动电路贯通

[实用新型]非重叠电路和高压驱动电路-CN201620447768.8有效
发明人： 高舰艇;高存旗;刘杰 -专利权人：深圳芯能半导体技术有限公司
申请日： 2016-05-17 - 公布日： 2017-01-25 - 主分类号： H03K19/0944 文献下载
摘要：本实用新型公开一种非重叠电路和高压驱动电路。该非重叠电路，包括第一非重叠单元；所述第一非重叠单元包括串联的第一PMOS管、第一电阻和第一NMOS管；所述第一PMOS管的栅极接第一信号输入端，源极接高电位供应端，漏极连接在所述第一电阻和第一信号输出端之间；所述第一NMOS管的栅极接第二信号输入端，源极接低电位供应端；漏极连接在所述第一电阻和第二信号输出端之间。该高压驱动电路包括反相电路、与反相电路相连的非重叠电路和与非重叠电路相连的驱动桥电路。该非重叠电路结构简单，所采用的元器件较少，有利于节省成本和占用面积。该高压驱动电路可有效避免驱动桥电路中的漏电流过大，而影响驱动桥电路的正常工作。
重叠电路高压驱动

[发明专利]非重叠电路和高压驱动电路-CN201610332671.7在审
发明人： 高舰艇;高存旗;刘杰 -专利权人：深圳芯能半导体技术有限公司
申请日： 2016-05-17 - 公布日： 2016-08-31 - 主分类号： H03K19/0944 文献下载
摘要：本发明公开一种非重叠电路和高压驱动电路。该非重叠电路，包括第一非重叠单元；所述第一非重叠单元包括串联的第一PMOS管、第一电阻和第一NMOS管；所述第一PMOS管的栅极接第一信号输入端，源极接高电位供应端，漏极连接在所述第一电阻和第一信号输出端之间；所述第一NMOS管的栅极接第二信号输入端，源极接低电位供应端；漏极连接在所述第一电阻和第二信号输出端之间。该高压驱动电路包括反相电路、与反相电路相连的非重叠电路和与非重叠电路相连的驱动桥电路。该非重叠电路结构简单，所采用的元器件较少，有利于节省成本和占用面积。该高压驱动电路可有效避免驱动桥电路中的漏电流过大，而影响驱动桥电路的正常工作。
重叠电路高压驱动

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