专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [实用新型]一种分离式器件-CN202320174221.5有效
  • 郑辉;王彬;高宗朋 - 上海鼎阳通半导体科技有限公司
  • 2023-02-10 - 2023-10-20 - H01L25/18
  • 本实用新型提供了一种分离式器件,包括外部引脚、基材载片台、连接组件、第一芯片和若干第二芯片,第一芯片设置于基材载片台顶面,第二芯片设置于第一芯片上,第二芯片与第一芯片之间通过连接组件连接,外部引脚设置于基材载片台的侧部,第一芯片和第二芯片通过连接组件连接外部引脚;连接组件包括导电连接片和键合线,导电连接片设置于第一芯片上,且导电连接片连接第一芯片和第二芯片;第一芯片和第二芯片均通过键合线连接外部引脚。本实用新型提供的分离式器件采用多层功率器件和芯片上下组合的结构,解决了分离式器件因基材载片台面积限制导致无法合封更大晶圆芯片面积问题,可以封装更多的芯片,提升了分离式器件的功率密度。
  • 一种分离器件
  • [发明专利]半导体器件及其制备方法-CN202310279233.9有效
  • 曾大杰;高宗朋 - 上海鼎阳通半导体科技有限公司
  • 2023-03-22 - 2023-06-23 - H01L21/8222
  • 本发明涉及一种半导体器件及其制备方法,半导体器件的制备方法包括:提供一半导体衬底;于半导体衬底内第一元件区域形成第一元件第一导电类型区;于半导体衬底内第二元件区域形成第一导电类型沟道区,第一元件第一导电类型区的掺杂浓度小于第一导电类型沟道区的掺杂浓度,第一元件第一导电类型区和第一导电类型沟道区至少部分处于同一水平面。上述半导体器件的制备方法,使得半导体器件能兼顾第一元件的反向恢复特性和第二元件的低闩锁效应,在保证第二元件的较低闩锁效应的情况下,能够提高第一元件的反向恢复特性。
  • 半导体器件及其制备方法
  • [发明专利]一种快速响应光致变色凝胶膜材料的制备方法-CN201811025990.9有效
  • 王文寿;高宗朋;刘伦涛;姜宝来 - 山东大学
  • 2018-09-04 - 2021-04-23 - C08J5/18
  • 本发明涉及一种快速响应光致变色凝胶膜材料的制备方法,包括步骤如下:(1)将催化剂水溶液和显色单元水溶液混合均匀,加入醇溶剂,得催化剂/显色单元混合溶液;(2)将高分子材料溶解在水中形成混合溶液,升温充分溶胀溶解,得高分子材料溶液;(3)将催化剂/显色单元混合溶液加入高分子材料溶液,最后加入交联剂,得滴涂液;(4)将滴涂液通过滴涂的方式涂在基底上,干燥,即得。所制备的凝胶膜材料具有变色速度快,在UV光的刺激下,5‑8s颜色即可褪去,在25℃暗室条件下,颜色恢复只需15分钟,在红光刺激下,颜色恢复只需140s;材料成本低、合成工艺简单、可逆变色效率高、循环寿命长。在信息存储、防伪等领域具有极大的应用价值。
  • 一种快速响应变色凝胶材料制备方法
  • [发明专利]可调控透光率的力响应型表面褶皱的制备方法-CN201810211635.4有效
  • 王文寿;姜宝来;刘伦涛;高宗朋 - 山东大学
  • 2018-03-15 - 2020-08-11 - C08J7/12
  • 本发明涉及可调控透光率的力响应型表面褶皱的制备方法,通过对透明的弹性基底进行氧气等离子体刻蚀形成一层亲水层;在刻蚀的弹性基底表面涂覆一层刚复合膜溶液,干燥成膜;拉伸已经制备好的双层膜后释放应力。通过以上方法得到材料表面规则的皱褶。本发明采用离子刻蚀改变弹性基底亲水性,表面涂覆刚性分子成膜后经过预拉伸形成具有规则形状的褶皱,通过对褶皱施加不同应变测量其对可见光的透过率,实现了6%‑90%的大范围调控褶皱表面透光率的的可逆转变。本方法操作方法适用范围广,操作简单,可逆性好,可大面积制备,在智能窗子领域有潜在的应用价值。
  • 调控透光率响应表面褶皱制备方法

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