专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种投影物镜波像差测量装置及测量方法-CN200910199109.1无效
  • 马明英;王帆 - 上海微电子装备有限公司
  • 2009-11-20 - 2011-05-25 - G03F7/20
  • 一种投影物镜波像差测量装置,该装置包括光源模块;物面基底,其底部具有物面标记面,物面标记面上具有物面标记;投影物镜,对物面标记面进行成像;像面基底,其上具有像面标记,对成像于其上的物面标记面上的物面标记的像进行衍射,经像面标记衍射产生的不同级次的衍射光在远场产生干涉条纹;图像探测器,接收并储存干涉条纹;其中,物面标记面上具有m行n列物面标记,且同一列不同行的标记在列方向上具有一固定位移,在物面标记面平面内还具有一移相位移。本发明还公开了该装置的测量方法。
  • 一种投影物镜波像差测量装置测量方法
  • [发明专利]工件台坐标系参数测量方法-CN200910045250.6有效
  • 马明英 - 上海微电子装备有限公司
  • 2009-01-13 - 2009-09-09 - G03F7/20
  • 本发明提出一种光刻机的工件台坐标系参数测量方法,包括以下步骤:该工件台沿y向以步进距离ys对标记进行步进曝光,在硅片上形成y向套刻标记;该工件台沿x向以步进距离xs对标记进行步进曝光,在硅片上形成x向套刻标记;对硅片进行显影;测量x向和y向套刻标记的套刻误差;根据套刻误差计算出工件台坐标系的非正交性和比例缩放因子。本发明测量过程简单,测量时间短。套刻误差的测量精度高,提高了非正交性与缩放比例因子的测量精度。
  • 工件坐标系参数测量方法
  • [发明专利]一种测量位移的外差干涉测量系统及其测量方法-CN200710173149.X有效
  • 马明英;段立峰 - 上海微电子装备有限公司
  • 2007-12-26 - 2008-07-09 - G01B9/02
  • 一种测量位移的外差干涉测量系统和测量方法,测量系统包含工件台反射镜组和激光外差干涉仪;工件台反射镜组包含安装在工件台侧面上的与光轴平行的第一平面反射镜,与光轴成一定角度的第二平面反射镜;激光外差干涉仪包含偏振分光棱镜,角锥棱镜,与光轴成一定角度的参考平面反射镜,两个四分之一波片。测量方法是利用激光器通过偏振分光棱镜后产生的参考光束与测量光束分别经过多次反射与透射后进入到光电转换元件,处理得到光程差OPD,再得到工件台的z向位移Z。本发明不必使用安装在投影物镜两侧的平面反射镜,结构简单,同时使投影物镜在x方向不必增加额外的尺寸,由于减少了平面反射镜的使用数量,从而降低了测量系统的成本。
  • 一种测量位移外差干涉系统及其测量方法
  • [发明专利]测试标记及利用该标记检测光刻机成像质量的方法-CN200610118708.2有效
  • 马明英;王向朝;王帆 - 上海微电子装备有限公司
  • 2006-11-24 - 2007-05-16 - G03F7/20
  • 本发明提供一种测试标记,其包括密集线条标记,该测试标记形成在光刻机系统的掩模上,所述测试标记至少包括四个密集线条标记,且每个密集线条标记均由相邻的一个密集线条标记旋转90度得到。本发明还提供一种利用该标记检测光刻机成像质量的方法。与现有技术相比,本发明利用测试标记的线宽变化,实现了最佳焦面,像面倾斜,像散,球差等轴向像质参数的精确测量,同时,可检测最佳焦面,像面倾斜,像散和球差,且直接利用检测时得到的数据,通过最小二乘法计算得到光刻机轴向像质参数,克服了先前技术中无法检测球差与数据处理繁琐的不足。
  • 测试标记利用检测光刻成像质量方法
  • [发明专利]移相光栅标记及利用该标记检测光刻机成像质量的方法-CN200610116544.X有效
  • 马明英;王向朝;王帆 - 上海微电子装备有限公司
  • 2006-09-27 - 2007-03-14 - G03F7/20
  • 本发明提供一种移相光栅标记,其包括密集线条标记,该移相光栅标记形成在光刻机系统的掩模上,所述移相光栅标记还包括线宽较小的精细型线条标记。本发明还提供一种利用移相光栅标记检测光刻机成像质量的方法,包括将掩模上的移相光栅标记通过光刻机系统曝光到基板上;所述的方法还包括如下步骤:检测曝光到基板上的移相光栅标记的成像位置偏移量;利用成像位置偏移量计算光刻机的垂轴成像质量参数。与现有技术相比,由于精细型线条标记线宽较小,使移相光栅标记的成像位置偏移量受投影物镜彗差影响更加明显。本发明克服了光刻机垂轴成像质量参数检测不全面的缺点,简化了光刻机垂轴成像质量的检测过程。
  • 光栅标记利用检测光刻成像质量方法
  • [发明专利]用于投影物镜像差检测的测试标记、掩模及检测方法-CN200610116545.4有效
  • 马明英;王向朝;王帆 - 上海微电子装备有限公司
  • 2006-09-27 - 2007-03-14 - G03F7/20
  • 本发明涉及一种用于光刻机投影物镜像差检测的测试标记、具有该测试标记的掩模以及光刻机投影物镜像差现场检测的方法。现有的投影物镜像差检测方法存在无法检测高阶像差或检测算法过于复杂等问题。本发明的用于光刻机投影物镜像差检测的测试标记,包括一正方形的内部标记和围绕该内部标记两两正交排列的四组外部标记,其中,所述的每一组外部标记由至少两种不同线宽的线条按周期密集排列形成,且所述的四组外部标记的周期相同。采用本发明的测试标记、掩模及检测方法不仅能实现低阶像差与高阶像差的同时测量,而且检测过程和算法都比较简单,同时能达到较高的像差检测精度。
  • 用于投影物镜检测测试标记方法

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