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- [发明专利]一种层状硅锗热电材料-CN201911014107.0有效
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刘英光;韩中合
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华北电力大学（保定）
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2019-10-23
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2023-09-29
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H10N10/851
- 本发明公开了一种层状硅锗热电材料，包括：锗基板和设置在锗基板上的超薄GeO2薄膜层；在超薄GeO2薄膜层上形成微型阵列孔，微型阵列孔的孔径为0.8nm～1.2nm，间距为3nm～5nm；7～66层硅原子在设置有微型阵列孔的超薄GeO2薄膜层沉积、长大，形成球形纳米晶体，相邻的球形纳米晶体在交界处达到接触状态，形成纳米硅球层；纳米硅球层上沉积有13～123层的外延锗层，外延锗层上设置超薄GeO2薄膜层，超薄GeO2薄膜层上设置纳米硅球层，逐次累计，形成层状硅锗热电材料，热电转化效率高，结构稳定性好。
- 一种层状热电材料
- [发明专利]燃煤电站储能调峰系统-CN202210265732.8在审
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韩旭;王小东;韩中合;李奇;李鹏;钱江波
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华北电力大学（保定）
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2022-03-17
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2022-05-10
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H02J3/28
- 本发明提供了一种燃煤电站储能调峰系统，包括发电单元和调节单元，发电单元与第二发电机连接，调节单元包括储能模块和释能模块；储能模块包括依次连通的第一储罐、压缩机和第二储罐，还包括第一换热器；第一换热器分别与压缩机和发电单元连接，以发电单元中的冷凝水对经过压缩机压缩的二氧化碳降温；释能模块包括依次连接的第二储罐、膨胀机和第一储罐，还包括第二换热器，膨胀机的输出轴与第一发电机连接；第二换热器分别与膨胀机和发电单元连接，以发电单元中的热蒸汽使经过膨胀机膨胀的二氧化碳升温。本发明提供的燃煤电站储能调峰系统，旨在实现减少压缩气体储能中低压储气室的体积，简化储能结构，减少储能过程中的能耗。
- 燃煤电站储能调峰系统
- [发明专利]一种硅锗热电材料的制备方法-CN201911014110.2有效
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刘英光;任国梁;韩中合
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华北电力大学（保定）
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2019-10-23
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2021-05-04
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C23C8/12
- 本发明公开了一种硅锗热电材料的制备方法，包括：A.在清洁的锗基板进行表面氧化，形成超薄GeO2薄膜层；B.硅以离子束的形式冲击超薄GeO2薄膜层的上表面，产生化学反应：Si+GeO2→SiO↑+GeO↑；在超薄GeO2薄膜层上形成微型阵列孔；C.通过电沉积的方法，沉积7～11层硅原子在设置有微型阵列孔的超薄GeO2薄膜层，电沉积的硅足以填平微型阵列孔；D.硅继续通过电沉积的方法，沉积26～66层硅原子在设置有微型阵列孔的超薄GeO2薄膜层，继续沉积的硅原子被困在微型阵列孔的中，导致了球形纳米晶体的形成，继续沉积，球形纳米晶体长大，形成纳米硅球层；重复上述步骤形成多层超薄GeO2薄膜层和纳米硅球层的复合层，获得硅锗热电材料；上述工艺简单、结构稳定性好。
- 一种热电材料制备方法
- [实用新型]一种相变换热装置-CN202021309904.X有效
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刘英光;申开波;韩中合;黄春朴
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华北电力大学（保定）
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2020-07-09
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2020-12-25
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F28D20/02
- 本实用新型涉及一种相变换热装置，包括换热器壳体，换热器壳体内设置有多个相变储热单元，换热器壳体设置有第一介质入口和第一介质出口，相变储热单元可更换设置，相变储热单元位于第一介质入口和第一介质出口之间的介质流道上；相变储热单元可以局部位移，四周不设置卡接结构，可以自由变形，在热胀冷缩过程中不会发生大的移位，但可以小范围位移，涨缩过程中不会受到限制，从而达到不使用换热管道，通过设置可更换、可局部位移的相变储热单元实现高效换热的效果，避免孔盘破损、换热管道破损等问题，避免换热介质污染等问题。
- 一种相变装置
- [发明专利]高性能热水器-CN201810462029.X有效
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刘志坚;吴迪;韩中合;靳光亚
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华北电力大学（保定）
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2018-05-15
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2020-12-22
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F24H1/18
- 本发明公开了高性能热水器，本发明的加热器性能好，其采用初级与次级分步循序加热的方式，不仅可以提高水温的控制精度，而且，还可以防止水温在加热过程中变化过快而对加热器产生的不良影响，此外，本发明的快速加热组件采用多个快速加热管进行加热，加热速率快的同时，采用螺旋流道可以降低水垢对加热管的影响，各个加热管由于处于流动状态，其可时刻自动清除水垢，长期使用后加热器加热效果依然较佳，同时，本发明的次级加热组件可以实现高精度的水温控制，其采用波浪形的加热组件，加热恒温效果好，具有较好的加热效果。
- 性能热水器
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