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[发明专利]指令解码的验证方法、系统、设备以及存储介质-CN202310724154.4在审
发明人： 韦艳双 -专利权人：海光信息技术股份有限公司
申请日： 2023-06-19 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： G06F30/33 文献下载
摘要：本公开提供一种指令解码的验证方法、系统、设备以及存储介质，该方法包括：连接待验证对象，待验证对象被提供来对对象指令集合进行解码；获取指令解码验证模型；向指令解码验证模型提供第一输入信号，从指令解码验证模型接收对应解码的第一结果，第一输入信号包括用于对象指令集合中的第一目标指令的至少一个指令码构成区域，第一结果包括用于第一目标指令的第一参考解析信息；向待验证对象提供第一目标指令，从待验证对象接收对应解码的第二结果，第二结果包括用于第一目标指令的第二目标解析信息；比较第一结果与第二结果，根据比较结果对待验证对象进行验证。本公开的验证方法能较全面地完成目标指令的验证，还能保证指令解码的正确性。
指令解码验证方法系统设备以及存储介质

[发明专利]一种超低介电损耗钙镁硅系微波介质陶瓷的制备方法-CN201811160601.3在审
发明人：肖谧;韦艳双 -专利权人：天津大学
申请日： 2018-09-30 - 公布日： 2019-02-12 - 主分类号： C04B35/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有超低介电损耗的钙镁硅系微波介质陶瓷的制备方法，其化学组成为Ca₂MgSi₂O₇。该微波介质陶瓷的制备方法为：将CaCO₃、MgO和SiO₂按照化学表达式中的化学计量比进行配料、球磨、烘干、过筛；将制得的粉料焙烧后，再二次球磨、烘干，干燥后加粉料15％重量百分比的石蜡进行造粒，过60目筛，压制成坯体；坯体在排蜡时于550℃保温3h，之后以5℃/min的速率升温至1260～1320℃烧结，保温4小时，制得超低介电损耗的钙镁硅系微波介质陶瓷。本发明成功地获得了介电损耗低至1.24×10^‑4，品质因数为8015.94GHz，介电常数为9.8641的微波介质陶瓷，可应用于微波电路中的介质基板材料。本发明制备工艺简单，过程无污染，是一种很有前途的微波介质材料。
微波介质陶瓷超低介电钙镁硅系制备烘干粉料保温焙烧发明制备工艺介质基板材料微波介质材料化学表达式化学计量比重量百分比石蜡二次球磨化学组成介电常数介电损耗品质因数微波电路烧结成坯体过筛目筛排蜡坯体球磨造粒压制应用成功

[发明专利]一种具有低介电常数的钙钴硅微波介质陶瓷-CN201810798144.4在审
发明人：肖谧;韦艳双;娄捷 -专利权人：天津大学
申请日： 2018-07-19 - 公布日： 2018-11-30 - 主分类号： C04B35/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有低介电常数的钙钴硅微波介质陶瓷及其制备方法，其原料组成为CaCoSi₂O₆。按照配料、一次球磨、干燥、过筛、1100℃预烧、二次球磨、造粒、压制成型为坯体，坯体于在排蜡时于550℃保温90～300min，然后升温到1125～1200℃烧结2小时，制得低介电常数的钙钴硅微波介质陶瓷。本发明成功地获得了介电常数约为4.6～7.2、Q×f最高可达到12456.9GHz、谐振频率温度系数接近于0的低介电常数微波介质陶瓷。本发明制备工艺简单，过程无污染，是一种很有前途的微波介质材料。
微波介质陶瓷低介电常数钴硅坯体低介电常数微波介质陶瓷谐振频率温度系数发明制备工艺微波介质材料二次球磨介电常数原料组成烧结次球过筛排蜡预烧造粒制备保温成功

[发明专利]一种镁锆锡铌系微波介质陶瓷-CN201710394227.2在审
发明人：肖谧;娄捷;顾青青;周子淇;韦艳双 -专利权人：天津大学
申请日： 2017-05-28 - 公布日： 2017-12-01 - 主分类号： C04B35/495 文献下载
摘要：本发明公开了一种镁锆锡铌系微波介质陶瓷及其制备方法，其组成为MgZr1‑xSnxNb2O8(0.1≤x≤0.3)。先将MgO、ZrO2,SnO2、Nb2O5按MgZr1‑xSnxNb2O8(0.1≤x≤0.3)进行配料，经过磨球、干燥、过筛，于1050℃预烧；再经二次球磨、干燥后外加8％重量百分比石蜡进行造粒，压制成型为坯体，坯体于1240‑1280℃烧结，制得高性能镁锆锡铌系介质陶瓷。本发明成功地获得了Q×f达94014.2GHz、介电常数为24.9134，谐振频率温度系数为‑43.9345ppm/℃的高性能微波介质陶瓷。本发明制备工艺简单，过程无污染，是一种很有前途的毫米波电路的微波介质材料。
一种镁锆锡铌系微波介质陶瓷

[发明专利]一种具有高品质因数的镁锆铌钽系微波介质陶瓷-CN201710358631.4在审
发明人：肖谧;娄捷;周子淇;顾青青;韦艳双 -专利权人：天津大学
申请日： 2017-05-19 - 公布日： 2017-09-22 - 主分类号： C04B35/495 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有高品质因数的镁锆铌钽系微波介质陶瓷及其制备方法，其组成为MgZr(Nb1‑xTax)2O8(0＜x≤0.1)。先将MgO、ZrO2、Nb2O5、Ta2O5按MgZr(Nb1‑xTax)2O8(0＜x≤0.1)进行配料，经过磨球、干燥、过筛，于1100℃预烧；再经二次球磨、干燥后外加8％重量百分比石蜡进行造粒，压制成型为坯体，坯体于1280～1320℃烧结，制得高品质因数的镁锆铌钽系微波介质陶瓷。本发明成功地获得了Q×f达到88440.2GHz、介电常数为23.1654，谐振频率温度系数为‑52.0733ppm/℃的高性能微波陶瓷介质。本发明制备工艺简单，过程无污染，是一种很有前途的微波介质材料。
一种具有品质因数镁锆铌钽系微波介质陶瓷