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[发明专利]抑制量子点闪烁的处理方法、量子点膜及量子点发光器件-CN202210254202.3有效
发明人：张超;庄永漳;仉旭 -专利权人： 镭昱光电科技（苏州）有限公司
申请日： 2022-03-15 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： C09K11/56 文献下载
摘要：本发明公开了一种抑制量子点闪烁的处理方法、量子点膜及量子点发光器件。所述抑制量子点闪烁的处理方法包括：对量子点或包含量子点的复合材料体系进行红外线辐照处理，所述红外线的波长为0.7μm～1000μm，所述红外线辐照处理的时间为1min～200min。本发明提供的抑制量子点闪烁的处理方法通过对量子点进行红外线辐照处理，可降低量子点的“闪烁”几率甚至可达到消除，提升初始的PLQY，使量子点在使用过程中无正向老化现象，且处理后的量子点及其衍生物的性能更加优越，能够更好的应用于显示设备上。
抑制量子闪烁处理方法发光器件

[发明专利]微显示器件及其制备方法-CN202310857113.2在审
发明人：王晓楠;顾银冬;孙志鹏;张庆;张盼盼;庄永漳 -专利权人： 镭昱光电科技（苏州）有限公司
申请日： 2023-07-13 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H01L33/38 文献下载
摘要：本申请公开了一种微显示器件及其制备方法，属于微显示技术领域，该微显示器件通过将N型半导体层与驱动电极电性连接、P型半导体层通过透明电极层与公共电极电性连接，形成共阳极结构，并且N型半导体层相对于P型半导体层更靠近驱动基板，使得位于N型半导体层和P型半导体层之间的有源层发出的光线通过P型半导体层向外出射，从而出射光的光程路径远小于通过N型半导体层出射的光程路径，因而能够减少光的吸收衰减，降低光学损耗，提升微显示器件的发光效率。
显示器件及其制备方法

[发明专利]提高光吸收效率的色彩转换膜层结构及其制备方法和应用-CN202310777225.7在审
发明人：张盼盼;张超;徐苏言 -专利权人： 镭昱光电科技（苏州）有限公司
申请日： 2023-06-28 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： G02F1/1335 文献下载
摘要：本发明公开了一种提高光吸收效率的色彩转换膜层结构及其制备方法和应用。提高光吸收效率的色彩转换膜层结构包括：沿选定方向层叠设置的至少一个具有微纳尺度的波长转换层和至少两个具有微纳尺度的折射功能层，其中，所述折射功能层的折射率与相邻所述波长转换层的折射率差值大于等于0.2，相邻所述折射功能层的折射率的差值大于等于0.2。本发明提供的色彩转换膜层结构通过引入多层折射功能层，可有效提高光吸收效率，且寿命远高于传统膜层结构。
提高光吸收效率色彩转换结构及其制备方法应用

[实用新型]微型发光二极管显示芯片的测试平台-CN202320675844.0有效
发明人：张斌;庄永漳 -专利权人： 镭昱光电科技（苏州）有限公司
申请日： 2023-03-30 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： G01M11/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种微型发光二极管显示芯片的测试平台。该测试平台包括：测试腔室，用于容置待测微型发光二极管显示芯片，并提供对微型发光二极管显示芯片进行光学测试所需的暗室环境；光谱仪，其至少用于对待测微型发光二极管显示芯片进行光学检测；调节组件，其至少用于使待测微型发光二极管显示芯片于一三维坐标系内运动，以使光谱仪的光学中心与待测微型发光二极管显示芯片相对应，且使光谱仪发出的黑色测试光斑聚焦到待测微型发光二极管显示芯片上。本实用新型提供的一种微型发光二极管显示芯片的测试平台更适合对微型发光二极管显示芯片幕进行测试，其性价比更高，且携带方便，从而可以更好的满足实际的测试需求。
微型发光二极管显示芯片测试平台

[发明专利]一种图像显示方法及系统-CN202310795133.1在审
发明人：万鹏鹏;庄永漳;郭达 -专利权人： 镭昱光电科技（苏州）有限公司
申请日： 2023-06-30 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H04N5/202 文献下载
摘要：本申请公开了一种图像显示方法及系统，所述方法包括：获取包括有多个像素点和每个像素点对应的灰度参数的灰度图像数据；基于灰阶参数不同的多种预设灰阶子场，对每个像素点对应的灰度参数进行灰度分割，得到每个像素点对应的灰阶子场组合数据，多个像素点中任意两个相邻像素点对应的灰阶子场组合数据之间至少有一种相同的预设灰阶子场；基于目标子场显示顺序，将每个像素点对应的灰阶子场组合数据输出至图像显示模块，以驱动图像显示模块基于目标子场显示顺序，显示每个像素点对应的灰阶子场组合数据，目标子场显示顺序为基于多种预设灰阶子场各自的灰阶参数确定的。利用本申请的方案能够减少相邻显示区域之间明显分界线的产生。
一种图像显示方法系统

[实用新型]测试驱动板及测试系统-CN202320964937.5有效
发明人：姜华;庄永漳 -专利权人： 镭昱光电科技（苏州）有限公司
申请日： 2023-04-25 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： G01R31/28 文献下载
摘要：本公开披露了一种测试驱动板及测试系统。该测试驱动板包括：驱动控制部；驱动接口部，包括多个驱动接口，驱动接口用于连接显示芯片；连接线部，连接线部包括连接驱动控制部和多个驱动接口的电压差分信号总线；其中，驱动控制部利用电压差分信号总线驱动多个驱动接口，以驱动多个驱动接口上连接的显示芯片进行老化测试。由于一个测试驱动板驱动多个显示芯片同时进行老化测试，相比于传统的一个测试驱动板只能驱动一个显示芯片，能够有效提高老化测试的测试效率。
测试驱动系统

[发明专利]MicroLED微显示芯片及其制造方法-CN202310825854.2有效
发明人：王晓楠;顾银冬;张盼盼;庄永漳;孙志鹏;张庆 -专利权人： 镭昱光电科技（苏州）有限公司
申请日： 2023-07-06 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： H01L33/60 文献下载
摘要：本申请公开了MicroLED微显示芯片及其制造方法，MicroLED微显示芯片包括驱动基板、多个LED单元，每一LED单元被单独驱动；台阶结构至少使相邻LED单元的第二掺杂型半导体层彼此断开且电隔离；第一钝化层覆盖LED单元，暴露对应的第一触点，第二开孔暴露对应的LED单元的第二掺杂型半导体层；彼此断开且电隔离的金属反射罩，覆盖第一钝化层，金属反射罩与对应的LED单元的第二掺杂型半导体层电性连接，金属反射罩通过第一开孔与对应的第一触点电性连接。本申请通过金属反射罩来调整LED发光角度，降低像素间光学串扰；金属反射罩连接到第一触点和第二掺杂型半导体层，能够降低LED像素电阻，减小了整体功耗。
microled 显示芯片及其制造方法

[发明专利]量子点光固化胶水及其制备方法、显示装置-CN202111429693.2有效
发明人：张超;仉旭;庄永漳 -专利权人： 镭昱光电科技（苏州）有限公司
申请日： 2021-11-29 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： C09J1/00 文献下载
摘要：本发明提供一种量子点光固化胶水及其制备方法、显示装置，所述量子点光固化胶水包括混合溶液以及光固化胶溶液，所述混合溶液包括量子点、光扩散剂、功能性化合物以及光固化胶溶剂，且所述混合溶液中，所述量子点外包覆有所述功能性化合物。本发明可以解决现有技术中传统液相更换配体导致量子点性能不佳甚至发生结构缺陷的问题。
量子光固化胶水及其制备方法显示装置

[发明专利]微型发光二极管显示芯片及制备方法-CN202310777192.6在审
发明人：张闹;杨炳;庄永漳 -专利权人： 镭昱光电科技（苏州）有限公司
申请日： 2023-06-28 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H01L33/20 文献下载
摘要：本申请公开了微型发光二极管显示芯片及制备方法，包括驱动基板，驱动基板包括多个第一触点；多个LED单元，阵列排布于驱动基板上；第一触点位于相邻的LED单元之间，每一LED单元通过对应的第一触点单独被驱动；LED单元包括通过刻蚀LED外延层形成的出光面，用于对有源层发出的光进行准直的出光面。本申请实施例提供的微型发光二极管显示芯片中每一LED单元具有台阶结构，台阶结构具有弧形出光面，弧形出光面用于对有源层发出的光进行准直。通过弧形出光面形成透镜，改善LED芯片发光分散的问题，使光源发出的光能够更加集中，提高出光效率。
微型发光二极管显示芯片制备方法

[发明专利]发光二极管结构及其制造方法-CN202110317555.9有效
发明人：庄永漳 -专利权人： 镭昱光电科技（苏州）有限公司
申请日： 2021-03-25 - 公布日： 2023-07-07 - 主分类号： H01L27/15 文献下载
摘要：本申请公开了一种发光二极管结构及其制造方法。所述发光二极管结构包括基板和形成在基板上的多个LED单元。每个LED单元包括：键合层，其形成在基板上；第一掺杂型半导体层，其形成在键合层上；第二掺杂型半导体层，其形成在第一掺杂型半导体层上；钝化层，其形成在第二掺杂型半导体层上和第一掺杂型半导体层的一部分上；以及，电极层，其形成在钝化层的一部分上并与第二掺杂型半导体层接触。所述多个LED单元包括第一LED单元和与第一LED单元相邻的第二LED单元。第一LED单元的第一掺杂型半导体层水平地延伸至与第一LED单元相邻的第二LED单元的第一掺杂型半导体层，并且第一LED单元和第二LED单元是可单独工作的LED单元。
发光二极管结构及其制造方法

[发明专利]Micro-LED显示芯片及其制备方法-CN202310205054.0有效
发明人：庄永漳;仉旭;张闹 -专利权人： 镭昱光电科技（苏州）有限公司
申请日： 2023-03-06 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L33/60 文献下载
摘要：本发明公开了一种Micro‑LED显示芯片及其制备方法，其中制备方法包括：在驱动面板的一侧形成多个Micro‑LED元件，Micro‑LED元件在驱动面板的单独驱动下发出激发光；在驱动面板的一侧形成多个波长转换元件，波长转换元件将Micro‑LED元件发出的激发光转换为受激光，受激光的波长与激发光的颜色不同；在波长转换元件的侧面形成一反光层，反光层反射激发光以及受激光。基于此，直接将反光层形成在波长转换元件上，可以使得反光层更紧密地贴合波长转换元件设置，从而可以使得受激光更多地被反光层反射至波长转换元件的出光面，使得激发光更多地被反光层反射回波长转换元件，进而可以提高Micro‑LED显示芯片的发光效率、光转换效率以及准直效果。
micro led 显示芯片及其制备方法

[发明专利]微显示器件及其制备方法-CN202310141893.0有效
发明人：卢子元;庄永漳;仉旭;张闹;曾鸿图 -专利权人： 镭昱光电科技（苏州）有限公司
申请日： 2023-02-21 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： H01L27/15 文献下载
摘要：本申请公开了一种微显示器件及其制备方法，属于微显示技术领域，该微显示器件包括：显示装置，显示装置包括阵列排布的多个像素点，像素点用于发出第一颜色光；第一膜层，第一膜层设置于显示装置上，第一膜层包括阵列排布的多个第一量子点区域和多个第一淬灭区域；其中，部分的像素点与第一量子点区域相对设置，第一量子点区域能够将第一颜色光转换为第二颜色光；部分的像素点与第一淬灭区域相对设置，第一淬灭区域允许第一颜色光通过。该微显示器件采用叠层的方式，在第一膜层中设置第一量子点区域和第一淬灭区域，通过第一量子点区域改变像素点发出光的颜色，实现单色像素点全彩化，可以解决量子点材料图形化分辨率较低的问题。
显示器件及其制备方法

[发明专利]微型发光二极管显示器件及制备方法-CN202310077266.5有效
发明人：唐文昕;庄永漳;仉旭;胡双元;林长虹 -专利权人： 镭昱光电科技（苏州）有限公司
申请日： 2023-02-08 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： H01L25/16 文献下载
摘要：本发明公开了微型发光二极管显示器件及制备方法，微型发光二极管显示器件包括：基板，基板具有触点；反射格栅层，反射格栅层具有阵列排布的多组凹槽；导电键合层，导电键合层位于基板与反射格栅层之间；绝缘层，绝缘层覆盖反射格栅层表面和凹槽侧壁；多个LED单元，LED单元位于凹槽内；触点上设有通孔，触点通过通孔与LED单元电性连接，以使LED单元单独被驱动。本申请通过选区外延制备LED单元，可以有效避免干法刻蚀或离子注入带来的LED单元侧壁损伤，同时更易实小尺寸台面，提高器件发光效率；同时，由于反射格栅层位于LED单元之间，还避免相邻像LED单元之间的光串扰，提高了显示器件的出光效率。
微型发光二极管显示器件制备方法

[发明专利]MicroLED显示器件及其制备方法-CN202310134456.6有效
发明人：张闹;仉旭;庄永漳;曾鸿图;卢子元 -专利权人： 镭昱光电科技（苏州）有限公司
申请日： 2023-02-20 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本申请公开了一种MicroLED显示器件及其制备方法，属于微显示技术领域，包括提供驱动基板、键合层和多个第一LED单元，键合层设于驱动基板上，第一LED单元阵列排布于驱动基板上，第一LED单元用于发出第一颜色光；提供第二LED外延层，第二LED外延层上具有多个第一避让孔；将第二LED外延层与驱动基板键合且覆盖第一LED单元，第一避让孔的位置与第一LED单元的位置对应；刻蚀第二LED外延层形成多个第二LED单元并暴露第一LED单元，第二LED单元阵列排布于驱动基板上，第二LED单元用于发出第二颜色光；第一LED单元和第二LED单元能够被驱动基板独立的驱动。该方法能够降低制备难度，提升良率。
microled 显示器件及其制备方法

[发明专利]全彩发光二极管结构及其制造方法-CN202180019717.9在审
发明人：庄永漳 -专利权人： 镭昱光电科技（苏州）有限公司
申请日： 2021-04-30 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： H01L33/62 文献下载
摘要：本公开提供一种发光二极管结构，该发光二极管结构包括基板、第一半导体层、第二半导体层以及色转换层。第一半导体层形成在基板上，第一半导体层包括在其中形成的第一发光二极管单元和第二发光二极管单元。第一发光二极管单元和第二发光二极管单元发出第一颜色的光。第二半导体层形成在第一半导体层的上方，第二半导体层包括在其中形成的第三发光二极管单元。第三发光二极管单元发出不同于第一颜色的第二颜色的光。色转换层形成在第一发光二极管单元上，用以将第一颜色的光转换为不同于第一颜色和第二颜色的第三颜色的光。
全彩发光二极管结构及其制造方法

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