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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]制造半导体器件的方法-CN201710061548.0有效
发明人：尹灿植;李基硕;金桐耳吾 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2017-01-26 - 公布日： 2021-11-02 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：一种制造半导体器件的方法包括在包含第一区和第二区的衬底上形成第一模型图案的特征，以及从第一区到第二区形成覆盖第一模型图案的第一绝缘层。该方法还包括在第二区中的第一绝缘层上形成光致抗蚀剂图案，从第一区到第二区形成覆盖第一区中的第一绝缘层和第二区中的光致抗蚀剂图案的第二绝缘层，蚀刻第二绝缘层，去除光致抗蚀剂图案，以及形成在第一区中具有第一宽度的第一双重图案化技术图案和在第二区中具有第二宽度的第二双重图案化技术图案，其中第二宽度不同于所述第一宽度。
制造半导体器件方法

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