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[发明专利]半导体装置和相关方法-CN202111026088.0在审
发明人：翰古文;班文贝;李祖亨;张民华;朴东久;金进勇;金杰云;洪诗煌;余祥杰;舒恩·布尔;林基泰;卓炳武;周名佳;李秀碧;姜桑古;朴坤禄 -专利权人：安靠科技新加坡控股私人有限公司
申请日： 2021-09-02 - 公布日： 2022-03-11 - 主分类号： H01L23/52 文献下载
摘要：半导体装置和相关方法。在一个实例中，一种半导体装置可包括衬底、装置堆叠、第一内部互连件及第二内部互连件，和包封体。所述衬底可包括彼此相对的第一衬底侧面及第二衬底侧面、在所述第一衬底侧面与所述第二衬底侧面之间的衬底外侧壁，和在所述第一衬底侧面与所述第二衬底侧面之间限定空腔的衬底内侧壁。所述装置堆叠可以在所述空腔中，且可包括第一电子装置和堆叠于所述第一电子装置上的第二电子装置。所述第一内部互连件可耦合到所述衬底和所述装置堆叠。所述包封体可覆盖所述衬底内侧壁和所述装置堆叠，且可填充所述空腔。本文中公开其它实例和相关方法。
半导体装置相关方法

[发明专利]半导体装置以及制造半导体装置的方法-CN202011533314.X在审
发明人： 金杰云;苏雷什·贾亚拉曼;杜旺朱;申朱红;李吉弘;大卫·锡纳乐;金进勇;金凯领 -专利权人：安靠科技新加坡控股私人有限公司
申请日： 2020-12-23 - 公布日： 2021-07-23 - 主分类号： H01L21/56 文献下载
摘要：半导体装置以及制造半导体装置的方法。该方法包括：在子面板底座上提供子面板衬底，子面板衬底包括介电结构和导电结构，其中子面板衬底包括面板衬底的切单部分；提供：第一电子组件，第一电子组件在子面板衬底的第一侧上并且电耦合到导电结构的第一部分，以及第二电子组件，第二电子组件在子面板衬底的第一侧上并且电耦合到导电结构的第二部分；移除子面板底座；提供：第一外部互连件，第一外部互连件在子面板衬底的第二侧上并且电耦合到导电结构的第一部分，以及第二外部互连件，第二外部互连件在子面板衬底的第二侧上并且电耦合到导电结构的第二部分；以及将子面板衬底切单以提供个别单元衬底。
半导体装置以及制造方法

[发明专利]半导体装置及制造半导体装置的方法-CN202010736607.1在审
发明人：林基泰;金杰云;周名佳 -专利权人：安靠科技新加坡控股私人有限公司
申请日： 2020-07-28 - 公布日： 2021-02-02 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：半导体装置及制造半导体装置的方法。在一个实例中，一种半导体结构包括：重新分布结构，所述重新分布结构包括导电结构；腔衬底，所述腔衬底位于所述重新分布结构的顶侧上并且具有腔和接触所述重新分布结构的柱；电子组件，所述电子组件位于所述重新分布结构的顶表面上和所述腔中，其中所述电子组件与所述导电结构电耦合；以及包封件，所述包封件位于所述腔中和所述重新分布结构的所述顶侧上，所述包封件接触所述电子组件的侧面、所述腔的侧面以及所述柱的侧面。本文还公开了其它实例和相关方法。
半导体装置制造方法

[发明专利]半导体装置及相关方法-CN202010475573.5在审
发明人：翰古文;班文贝;李祖亨;张民华;朴东久;金进勇;金杰云;洪诗煌;余祥杰;舒恩·布尔;林基泰;炳武卓;周名佳;李秀碧 -专利权人：安靠科技新加坡控股私人有限公司
申请日： 2020-05-29 - 公布日： 2020-12-04 - 主分类号： H01L25/065 文献下载
摘要：一种半导体装置及相关方法。在一个实例中，一种半导体装置可以包括衬底、装置堆叠、第一内部互连和第二内部互连以及包封料。所述衬底可以包括：彼此相对的第一衬底侧和第二衬底侧；衬底外侧壁，所述衬底外侧壁位于所述第一衬底侧与所述第二衬底侧之间；以及衬底内侧壁，所述衬底内侧壁在所述第一衬底侧与所述第二衬底侧之间界定空腔。所述装置堆叠可以位于所述空腔中并且可以包括第一电子装置和堆叠在所述第一电子装置上的第二电子装置。所述第一内部互连可以耦接到所述衬底和所述装置堆叠。所述第二内部互连可以耦接到所述第二电子装置和所述第一电子装置。所述包封料可以覆盖所述衬底内侧壁和所述装置堆叠并且可以填充所述空腔。本文公开了其它实例和相关方法。
半导体装置相关方法