[发明专利]半导体装置以及制造半导体装置的方法在审
| 申请号： | 202011533314.X | 申请日： | 2020-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN113161248A | 公开（公告）日： | 2021-07-23 |
| 发明（设计）人： | 金杰云;苏雷什·贾亚拉曼;杜旺朱;申朱红;李吉弘;大卫·锡纳乐;金进勇;金凯领 | 申请（专利权）人： | 安靠科技新加坡控股私人有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/56 | 分类号： | H01L21/56;H01L23/31;H01L25/16;H01L21/60;H01L23/488 |
| 代理公司： | 北京寰华知识产权代理有限公司 11408 | 代理人： | 何尤玉;郭仁建 |
| 地址： | 新加*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 半导体装置以及制造半导体装置的方法。该方法包括：在子面板底座上提供子面板衬底，子面板衬底包括介电结构和导电结构，其中子面板衬底包括面板衬底的切单部分；提供：第一电子组件，第一电子组件在子面板衬底的第一侧上并且电耦合到导电结构的第一部分，以及第二电子组件，第二电子组件在子面板衬底的第一侧上并且电耦合到导电结构的第二部分；移除子面板底座；提供：第一外部互连件，第一外部互连件在子面板衬底的第二侧上并且电耦合到导电结构的第一部分，以及第二外部互连件，第二外部互连件在子面板衬底的第二侧上并且电耦合到导电结构的第二部分；以及将子面板衬底切单以提供个别单元衬底。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 以及 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
