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专利名称

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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]图像处理装置、基于自组装光刻技术的图案生成方法以及计算机程序-CN201380058529.2在审
发明人： 酢谷拓路;伊泽美纪;腰原俊介;杉山明之 -专利权人：株式会社日立高新技术
申请日： 2013-11-14 - 公布日： 2015-07-15 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：一种实现适合于通过基于DSA(Directed Self-Assembly，自组装技术)的图案形成而生成的试样上的定址的图像处理装置、基于自组装光刻技术的图案生成方法以及计算机程序，其中，根据基于DSA的图案形成中所使用的导向图案数据来生成用于定址的模板。能够提供一种适用于测定或检查通过基于DSA的图案形成工序而形成的图案时的视野对位的定址图案。
图像处理装置基于组装光刻技术图案生成方法以及计算机程序

[发明专利]图案的偏差测定方法以及图案测定装置-CN200710140759.X有效
发明人： 酢谷拓路;松冈良一;诸熊秀俊;杉山明之;新藤博之 -专利权人：株式会社日立高新技术
申请日： 2007-08-09 - 公布日： 2008-03-05 - 主分类号： G01B21/00 文献下载
摘要：本发明提供一种利用理想重叠了多个图案的设计数据，来对图案图像上显示的图案之间的偏差进行评价的评价方法、以及装置。作为用于实现上述目的的本发明的一例，对上层图案测定设计数据的线段与带电粒子线像的边沿间的第一距离，对下层图案测定设计数据的线段与带电粒子线像的边沿间的第二距离，基于所述第一距离和第二距离，检测所述上层图案与下层图案的重叠偏差。
图案偏差测定方法以及装置

[发明专利]图案检查装置以及半导体检查系统-CN200710138251.6有效
发明人：丰田康隆;酢谷拓路;松冈良一;纳谷英光 -专利权人：株式会社日立高新技术
申请日： 2007-07-31 - 公布日： 2008-02-20 - 主分类号： G06T7/00 文献下载
摘要：一种图案检查装置，包括：轮廓提取单元，其从所述半导体器件的拍摄图像中提取图案的轮廓数据；非直线部位提取单元，其从所述轮廓数据中提取非直线部位；角部位提取单元，其从所述半导体器件的设计数据中提取图案的角部位；以及缺陷检测单元，其比较来自所述非直线部位提取单元的非直线部位的位置、和来自所述角部位提取单元的角部位的位置，来检测图案的缺陷部位的位置。由此，可提供一种能高精度且高效地检测缺陷的、对半导体器件的图案进行检查的图案检查装置。
图案检查装置以及半导体系统

[发明专利]缺陷检查系统及缺陷检查方法-CN200710112250.4有效
发明人：松冈良一;诸熊秀俊;酢谷拓路 -专利权人：株式会社日立高新技术
申请日： 2007-06-25 - 公布日： 2007-12-26 - 主分类号： G06F17/50 文献下载
摘要：一种缺陷检查系统，具备：时序解析部(412)，该部根据电路设计数据，抽出信号传输动作的精度要求比其它的部位高的关键路径；关键路径抽出部(413)，该部对电路设计数据和布局设计数据加以对照，抽出包含用时序解析部(412)抽出的关键路径的图形数据；检查处置方案编制部(416)，该部根据包含用关键路径抽出部(413)抽出的关键路径的图形数据的坐标信息，决定检查部位；SEM式缺陷评价装置，该装置按照该检查处置方案编制部(416)编制的检查处置方案，取得晶片上的检查部位的图象。提供能够抽出伴随着电路动作上要求的加工精度的高低而发生的缺陷的缺陷检查系统及缺陷检查方法。
缺陷检查系统方法

[发明专利]试样尺寸测定方法及试样尺寸测定装置-CN200710085576.2有效
发明人：诸熊秀俊;酢谷拓路;松冈良一;小室仁;杉山明之 -专利权人：株式会社日立高新技术
申请日： 2007-03-12 - 公布日： 2007-09-19 - 主分类号： G06T7/00 文献下载
摘要：本发明提供试样尺寸测定方法及试样尺寸测定装置，其适于对复杂化、多层化的元件测定长度。根据本发明，为实现上述目的，提出在使用半导体元件的设计数据测定试样图像上的图案尺寸时，根据试样图像或测定对象的半导体元件的状况改变测定条件的方法及装置。根据这样的结构，由于可根据试样图像状态及形成于试样上的元件的状态选择适宜的测定条件，故可提高测定效率。
试样尺寸测定方法装置

[发明专利]光掩模、聚焦监视方法、曝光量监视方法和半导体器件的制造方法-CN03121360.X无效
发明人： 酢谷拓路;出羽恭子;藤泽忠仁;井上壮一 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2003-03-26 - 公布日： 2003-10-08 - 主分类号： G03F1/16 文献下载
摘要：本发明的目的在于以高灵敏度，高精度，监视曝光光源相对焦点位置的偏离，或曝光量变化。在光掩模上，具有器件图案，该器件图案具有开口部与掩模部；聚焦监视图案，或曝光量监视图案，该聚焦监视图案或曝光量监视图案具有开口部和掩模部，具有与器件图案中的至少一部分区域相同的平面图案形状。聚焦监视图案的开口部与掩模部的透射曝光光的相位差，与上述器件图案的开口部与掩模部的透射曝光光的相位差不同。另外，曝光量监视图案的开口部与器件图案的开口部的曝光光透射率不同。
光掩模聚焦监视方法曝光半导体器件制造

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