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[发明专利]一种二氧化锰同质结及其制备方法和应用-CN202310800668.3在审
发明人：柏家奇;孙松;高乾兴;陈京帅;黄磊;毛昌杰;蔡梦蝶;程芹;魏宇学;郭立升;陈芳 -专利权人：安徽大学
申请日： 2023-07-03 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： C01G45/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种二氧化锰同质结及其制备方法和应用，制备方法如下：将高锰酸钾溶液与硫酸锰溶液分别加热溶解，利用微通道反应装置进行反应，通过对溶液的浓度、温度和流速进行精准调控，制备δ‑二氧化锰/α‑二氧化锰同质结或α‑二氧化锰/γ‑二氧化锰同质结，为二氧化锰同质结的连续可控合成提供了一种潜在方案，且该同质结能够应用于聚硫密封剂硫化，能够有效提升聚硫密封剂的硫化效率。
一种二氧化锰同质及其制备方法应用

[发明专利]一种煤化工废水处理催化剂及其制备方法和应用-CN202310192274.4有效
发明人：张平;李伟;朱海金;魏宇学;郭立升;孙松 -专利权人：安徽碳鑫科技有限公司;安徽大学
申请日： 2023-03-02 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： B01J29/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种煤化工废水处理催化剂及其制备方法和应用；制备方法包括：(1)载体制备：将凹凸棒土和Y型分子筛混合均匀，接着加入氢氧化钠，再次混合均匀，随后进行高温煅烧，得载体；(2)载体改性：将步骤(1)得到的载体加入到水溶液中，随后进行超声处理，得改性载体；(3)组分负载：将步骤(2)得到的改性载体加入到硝酸铜溶液中，振荡后进行一次浸渍；浸渍完成后，将去除浸渍液得到的材料一次烘干后进行一次煅烧，得中间产物；随后，将中间产物加入到硝酸铋溶液中，振荡后进行二次浸渍；浸渍完成后，将去除浸渍液得到的材料二次烘干后进行二次煅烧。本发明使用原料常见，合成工艺简单，催化剂的臭氧催化氧化效果好。
一种煤化工废水处理催化剂及其制备方法应用

[发明专利]一种高选择性催化剂Co/NS800及其制备方法和在非均相体系中选择性加氢对氯硝基苯的方法-CN202310445038.9在审
发明人：柏家奇;徐家辉;孙松;蔡梦蝶;陈京帅;程芹;马梅;刘煌飞;魏宇学;郭立升;陈芳 -专利权人：安徽大学
申请日： 2023-04-24 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： B01J27/24 文献下载
摘要：本发明涉及一种高选择性催化剂Co/NS800及其制备方法和在非均相体系中选择性加氢对氯硝基苯的方法，属于催化加氢领域。该催化剂以四水合乙酸钴为钴源，N,S共掺杂的碳为载体，采用浸渍法在N,S共掺杂的碳上负载活性金属，放在管式炉中氢气还原，得到催化剂Co/NS800，然后分散在溶剂中，以氢气为氢源，催化对氯硝基苯选择性加氢。其中负载量为5％的Co/NS800催化剂具有较好的催化性能，在氢气压力3MPa、温度80℃、反应12h时，对氯硝基苯的转化率达到100％，选择性达到了99.9％以上。该制备方法成本低廉、催化加氢转化率高，目标产物选择性高，且易于分离具有产业化前景。
一种选择性催化剂 co ns800 及其制备方法均相体系加氢硝基苯

[实用新型]一种煤化工废水处理装置-CN202320511501.0有效
发明人：张平;李伟;朱海金;魏宇学;郭立升;孙松 -专利权人：安徽碳鑫科技有限公司;安徽大学
申请日： 2023-03-16 - 公布日： 2023-07-07 - 主分类号： C02F1/66 文献下载
摘要：本实用新型提出了一种煤化工废水处理装置，包括箱体，所述箱体的左侧上方设置有进料口，箱体的左侧下方设置有风机，箱体的底部右侧设置有出水口，箱体的顶部右侧设置有废气回收装置，箱体的右侧设置有废渣清理口。本实用新型使废渣更容易清理同时提高过滤网的使用寿命；本实用新型通过曝气头的巧妙设计有效将废水中的氨氮吹脱出来达到净化煤化工废水的目的；本实用新型环保的同时提升了资源的有效利用；本实用新型装置结构简单并且安全，具有多重净化功能，提升了煤化工废水的处理效果。
一种煤化工废水处理装置

[发明专利]二氧化硅负载铱镍催化剂IrNi/SiO2-CN202310143065.0在审
发明人：柏家奇;徐家辉;孙松;蔡梦蝶;陈京帅;程芹;魏宇学;郭立升;陈芳 -专利权人：安徽大学
申请日： 2023-02-14 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： B01J23/89 文献下载
摘要：本发明涉及一种二氧化硅负载铱镍催化剂IrNi/SiO2及其高选择性催化苯甲腈、巴豆醛、苄叉丙酮的加氢方法和应用，属于催化加氢领域。该催化剂中的Ir和Ni均匀分散在SiO2载体中，命名为IrNi/SiO2‑X，其中Ir的负载量是该催化剂的4～5wt％，Ni的负载量是该催化剂的0.2～10wt％。将催化剂分散在溶剂中，以氢气为氢源，催化苯甲腈、巴豆醛、苄叉丙酮选择性加氢。其中所制备的催化剂IrNi/SiO2‑1在对苯甲腈转化率为100％时，对苄基亚苄胺的选择性为84.8％，对巴豆醛转化率为97％时，正丁醛的选择性为63.4％，在对苄叉丙酮转化率为92.9％时，4‑苯基‑丁‑2‑酮的选择性为93.9％。该制备方法绿色高效、催化加氢转化率高，目标产物选择性高，且易于分离具有广泛的产业化前景。
二氧化硅负载催化剂 irni sio base sub

[发明专利]一种二氧化碳加氢制备液态燃料的多壁催化剂及其制备方法和应用-CN202110381973.4有效
发明人：刘凯;刘建军;孟影子;郭立升;魏宇学;薛照明;孙松 -专利权人：临涣焦化股份有限公司;安徽大学
申请日： 2021-04-09 - 公布日： 2023-02-28 - 主分类号： B01J23/745 文献下载
摘要：本发明开发了一种二氧化碳加氢制备液态燃料的多壁催化剂的制备方法，并且该催化剂能够用于二氧化碳加氢高选择性制备液态燃料。本发明设计具有多壁式结构的金属催化剂，通过水热合成以及惰性气氛下煅烧保护形成具有金属壳层的高效催化剂。在水热过程中通过引入电子型助剂能够进一步改善催化剂表面的理化微环境特性。本发明通过采用多级水热合成法耦合钴金属以及铁金属催化剂，合成具有多壁结构的高效核壳式催化剂，为二氧化碳选择性加氢制取高附加值化学品的高效转化过程提供新的思路。
一种二氧化碳加氢制备液态燃料催化剂及其方法应用

[发明专利]一种“芯片式”Z型光催化剂板及其应用-CN202110514454.0有效
发明人：孙松;王雪;蔡梦蝶;魏宇学;郭立升 -专利权人：安徽大学
申请日： 2021-05-10 - 公布日： 2023-02-28 - 主分类号： B01J23/68 文献下载
摘要：本发明公开了一种“芯片式”Z型光催化剂板，产氢光催化剂HEP以阵列形式和产氧光催化剂OEP均匀互嵌锚定在电子介质层基底上，形成均匀互嵌阵列“芯片式”Z型光催化剂板，本发明制备的“芯片式”Z型光催化剂板具有均匀的HEP、OEP分布且规则阵列锚定在电子介质层M上，这种特殊的Z型光催化设计加快了电荷传输，且吸光性能显著增强，有良好的光催化全解水产氢产氧反应性能。
一种芯片光催化剂及其应用

[发明专利]一种以CuFeO2@GO为前驱体的高分散二氧化碳加氢催化剂及其制备方法和应用-CN202211308846.2在审
发明人：魏宇学;张志远;孙松;郭立升;蔡梦蝶 -专利权人：安徽大学
申请日： 2022-10-25 - 公布日： 2023-01-06 - 主分类号： B01J27/22 文献下载
摘要：本发明提供了一种以CuFeO2@GO为前驱体的高分散二氧化碳加氢催化剂及其制备方法和应用。所述制备方法，包括以下步骤：S1)将铁盐和铜盐在溶剂中混合至均一溶液，将沉淀剂加入上述溶液中，搅拌至沉淀剂全部溶解，得到悬浮液；S2)将氧化石墨烯加入到上述悬浮液中，搅拌均匀后，加入还原剂，得到溶液体系；S3)将上述溶液体系进行水热反应，得到高分散的CuFeO2@GO。本发明在水热反应中加入氧化石墨烯，有效抑制了CuFeO2颗粒的团聚现象。所制备的催化剂制备周期短、原料简单易得、还原时间较短，对于二氧化碳加氢制液体燃料的反应具有较高的CO2转化率及烃类的选择性。
一种 cufeo2 go 前驱分散二氧化碳加氢催化剂及其制备方法应用

[发明专利]一种N,S共掺杂介孔碳负载Co催化剂的制备方法及其在加氢中的应用-CN202210947659.2在审
发明人：柏家奇;徐家辉;孙松;司文杰;张运海;檀佳钊;蔡梦蝶;程芹;陈京帅;魏宇学;郭立升 -专利权人：安徽大学
申请日： 2022-08-09 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： B01J27/24 文献下载
摘要：本发明涉及一种N,S共掺杂介孔碳负载Co催化剂的制备方法及其在加氢中的应用，属于催化剂制备技术领域，该催化剂命名为Co/NSPC，用于催化对氯硝基苯转化为对氯苯胺，其制备方法如下：以四水合乙酸钴为钴源，2‑氨基噻唑为碳源、氮源和硫源，ZnCl2为溶剂和催化剂，放在管式炉中一步法得到该催化剂，其中Co/NSPC‑800催化剂比表面积达到1618m2g‑1，平均孔径为2.6nm，该催化剂在标准条件下转化率达到15.5％，对氯苯胺的选择性达到99％以上。该制备方法简单，生产成本低廉，收率较高，催化加氢选择性高，且可以循环使用四次，具有广泛的产业化前景。
一种掺杂介孔碳负载 co 催化剂制备方法及其加氢中的应用

[发明专利]一种硼原子掺杂的碳基新材料的制备方法-CN202210801356.X在审
发明人：刘凯;李达;李伟;郭立升;孙松;魏宇学;王县标;吴昊 -专利权人：临涣焦化股份有限公司;安徽大学
申请日： 2022-07-08 - 公布日： 2022-10-11 - 主分类号： C01B32/05 文献下载
摘要：本发明公开了一种硼原子掺杂的碳基新材料合成制备方法。本发明通过水热合成策略将杂原子硼掺杂进入碳基材料，通过调控硼元素的掺入量以及水热合成条件，能够实现对碳材料的修饰调控，这种新型碳材料具有良好的结构及化学性能。
一种原子掺杂新材料制备方法

[发明专利]一种在线烟气分析设备-CN202210258028.X在审
发明人： 郭立升;蔡梦蝶;孙松;刘久逸;吴明元;陈京帅;魏宇学;程芹 -专利权人：安徽大学
申请日： 2022-03-16 - 公布日： 2022-06-10 - 主分类号： G01N30/66 文献下载
摘要：本发明公开了一种在线烟气分析设备，包括点烟系统，所述点烟系统通过进样系统连接有分析系统，分析系统连接有数据采集系统；所述点烟系统包括封闭的燃烧室，燃烧室的顶部和底部依次设有与其连通的接气管一和接气管二，燃烧室上还可拆装连接有点烟单元，点烟单元的下方设有一收集管，收集管通过支管一延伸至燃烧室外与支管二连接。本发明将待分析香烟样品放入点烟单元内，通过接气管二将外接气体引入燃烧室内，使燃烧室内形成特定分析气氛，通过收集管收集到烟气存储单元；在烟气存储单元和进样系统之间设置阀三，能够调控进出气，并且接口端的密封垫片能够确保系统的密闭性。
一种在线烟气分析设备

[发明专利]一种低熔点无铅玻璃粉及其制备方法-CN202210062273.3在审
发明人：孙松;沈成;郭立升;曹孙根;魏宇学 -专利权人：安徽大学
申请日： 2022-01-19 - 公布日： 2022-06-10 - 主分类号： C03C12/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种低熔点无铅玻璃粉的制备方法，涉及半导体表面钝化材料技术领域，其成分包括以下组分：Bi2O3、B2O3、SiO2、ZnO、Al2O3、RmOn；其中，Bi2O3、B2O3、SiO2、ZnO、Al2O3、RmOn的质量百分比为Bi2O350～70％、B2O35～25％、SiO23～20％、ZnO10～25％、Al2O31～5％、RmOn1～5％，RmOn为Na2O、K2O、Ga2O3、Ta2O5中的一种或以上。其制备是将各组分的原料通过研磨混合均匀后，升温除去水分，高温熔融，水淬，研磨，获得最终产品。本发明各组分协同作用，在降低玻璃粉熔点的同时提高粘附力。
一种熔点铅玻璃及其制备方法

[发明专利]一种用于钝化保护半导体材料的玻璃粉及其制备方法-CN202210073564.2在审
发明人：孙松;李萌萌;郭立升;曹孙根;蔡梦蝶;程芹;魏宇学;柏家奇 -专利权人：安徽大学
申请日： 2022-01-21 - 公布日： 2022-06-03 - 主分类号： C03C12/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于钝化保护半导体材料的玻璃粉及其制备方法，涉及半导体表面钝化材料技术领域，组成包括以下组分：Bi2O3、B2O3、P2O5、CaO、RxOy，RxOy为TiO2、La2O3、Al2O3中的一种或以上；其中，Bi2O3、B2O3、P2O5、CaO、RxOy的摩尔百分比为：Bi2O345～50％、B2O338～42％、P2O58～12％、CaO 2～3％、RxOy 1～2％；本发明的玻璃粉具备高粘附性能、低膨胀系数、电绝缘性能和化学稳定性好、玻璃化转变温度低、机械性能强等优点，制备方法能耗低、原料易得、对环境友好，可用于钝化保护半导体材料。
一种用于钝化保护半导体材料玻璃粉及其制备方法

[发明专利]一种半导体表面钝化用玻璃粉及其制备方法-CN202111495878.3在审
发明人：孙松;李萌萌;曹孙根;魏宇学;郭立升 -专利权人：安徽大学
申请日： 2021-12-08 - 公布日： 2022-05-03 - 主分类号： C03C12/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体表面钝化用玻璃粉及其制备方法，涉及半导体表面钝化材料技术领域，其组成包括以下组分：ZnO、B2O3、SiO2、RxOy，RxOy为MgO、K2O、Al2O3中的一种或以上；其中，Zn、B、Si、R元素的摩尔百分比为：Zn 48～50％、B 25～28％、Si 20～21％、R 3～5％；其制备如下：将正硅酸四乙酯溶于乙醇中，然后加入乙酸调节pH，加热搅拌进行水解；然后加入硼酸继续水解；加入锌盐继续水解；加入R盐，然后加水调节pH至4～6，搅拌使其形成透明的湿凝胶，干燥，煅烧，研磨，即得玻璃粉。本发明的玻璃粉具备高粘附性能、低膨胀系数、电绝缘性能和化学稳定性好、玻璃化转变温度低、机械性能强等优点，制备方法能耗低、原料易得、对环境友好。
一种半导体表面钝化玻璃粉及其制备方法

[发明专利]一种用于钝化保护半导体的低熔点无铅玻璃粉及制备方法-CN202111495898.0在审
发明人：孙松;沈成;曹孙根;魏宇学;蔡梦蝶;郭立升 -专利权人：安徽大学
申请日： 2021-12-08 - 公布日： 2022-03-18 - 主分类号： C03C12/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于钝化保护半导体的低熔点无铅玻璃粉及制备方法，涉及半导体表面钝化材料技术领域，其成分包括以下组分：Bi2O3、ZnO、B2O3、SiO2、Al2O3、Y2O3、RO；其中，Bi、Zn、B、Si、Al、Y、R元素的摩尔百分比为Bi 50～70％、Zn 4～10％、B 15～25％、Si 8～15％、Al 1～5％、Y 1～8％、R 1～5％，R为Mg、Ca、Ba中的一种或以上；其制备是将正硅酸乙酯溶于乙醇和去离子水的混合液中，调节pH，升温搅拌水解；加入硼酸，搅拌；加入锌盐、铝盐、钇盐和R盐，搅拌；将铋盐溶于酸液后加入，搅拌，得到湿凝胶，干燥，煅烧，研磨，即得。本发明各组分共同作用，起到较好的降低熔点、提高粘附力的效果；且使用溶胶凝胶法制备玻璃粉可以极大的降低煅烧温度。
一种用于钝化保护半导体熔点铅玻璃制备方法

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