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专利名称
农业 化学；冶金 建筑 机械工程 区域搜索
主分类
A 农业
B 作业；运输
C 化学；冶金
D 纺织；造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]半导体存储器装置-CN202211673253.6在审
  • 安濬爀;郑宇陈;金熙中 - 三星电子株式会社
  • 2022-12-26 - 2023-10-17 - H10B12/00
  • 提供了一种半导体存储器装置。所述半导体存储器装置包括：有源部分，由器件隔离图案限定，有源部分包括位于有源部分的中心部分的第一杂质区域和位于有源部分的端部部分的第二杂质区域；字线，设置在有源部分上并沿第一方向延伸；位线，设置在字线上并沿与第一方向交叉的第二方向延伸；位线接触件，设置在位线和有源部分的第一杂质区域之间；存储节点垫，设置在有源部分的第二杂质区域上；以及存储节点接触件，设置在存储节点垫上并且设置在位线的一侧。
  • 半导体存储器装置
  • [发明专利]半导体器件-CN201810170688.6有效
  • 金润载;金东权;金镐永;刘真赫;郑宇陈 - 三星电子株式会社
  • 2018-03-01 - 2021-05-18 - H01L29/41
  • 本公开涉及半导体器件。一种半导体器件包括从衬底凸出并在第一方向上延伸的鳍式有源区域、覆盖鳍式有源区域的上表面和侧壁并在交叉第一方向的第二方向上延伸的栅电极、在栅电极的彼此相反的侧壁上的栅极间隔物结构、在栅电极上并在第二方向上延伸的绝缘封盖层、在栅电极的彼此相反的侧壁上且在栅极间隔物结构的上表面上的绝缘衬垫、以及在栅电极的侧面的自对准接触。绝缘衬垫可以具有小于栅极间隔物结构的第一厚度的第二厚度。自对准接触的侧壁可以与栅极间隔物结构和绝缘衬垫接触。
  • 半导体器件
  •  1 
  • 共 3 条
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