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[发明专利]一种固态电解质材料及其制备方法与应用-CN202211402348.4有效
发明人：姜珖中;辻村知之;罗明;白土友透 -专利权人：高能时代（珠海）新能源科技有限公司
申请日： 2022-11-09 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： H01M10/0562 文献下载
摘要：本发明涉及电池材料技术领域，具体涉及一种固态电解质材料及其制备方法与应用。该固态电解质材料的化学式为LiaZrbClcSd；其中0.5≤(a+b)/(c+d)≤1，d0，a0。目前由Li、Zr、Cl所组成的固态电解质材料的离子电导率在10‑4‑10‑3S/cm的范围之间，而本发明所制得的固态电解质材料的离子电导率在10‑3‑10‑2S/cm的范围之间、甚至可以高达4.34×10‑2S/cm，本发明所制得的固态电解质材料具有优异的离子电导率。
一种固态电解质材料及其制备方法应用

[发明专利]一种固态电解质材料及其制备方法与应用-CN202211648326.6在审
发明人：姜珖中;辻村知之;罗明;白土友透 -专利权人：高能时代（珠海）新能源科技有限公司
申请日： 2022-12-21 - 公布日： 2023-04-14 - 主分类号： H01M10/0562 文献下载
摘要：本发明涉及电池材料技术领域，公开了一种固态电解质材料及其制备方法与应用。该固态电解质材料，其化学式如式(I)所示：LiaYbClcSd式(I)；其中，0.5≤(a+b)/(c+d)≤1，a0，b0，c0，d0，且a:b:c不等于10：3：13。通过调控元素Li、Y、Cl、S特定比例，使得固态电解质材料的离子电导率超过4×10‑3S/cm，甚至可超过1.5×10‑2S/cm，甚至可以高达1.93×10‑2S/cm。
一种固态电解质材料及其制备方法应用

[发明专利]固体电解质、包括其的电化学电池和制备固体电解质的方法-CN202180019373.1在审
发明人：慎太郎北岛;辻村知之;金素妍;金泫锡;柳新春;相原雄一 -专利权人：三星SDI株式会社
申请日： 2021-01-26 - 公布日： 2022-12-02 - 主分类号： H01M10/0562 文献下载
摘要：本文公开了包括由以下式1表示的并且具有硫银锗矿晶体结构的化合物的固体电解质、包括固体电解质的电化学电池和制备固体电解质的方法。式1(Li1‑kMk)7‑(a+b)PS6‑(a+b+x)OxClaBrb在式1中，M为钠(Na)、钾(K)、钙(Ca)、铁(Fe)、镁(Mg)、银(Ag)、铜(Cu)、锆(Zr)、锌(Zn)或其组合，满足0.5≤a/b≤1.5，0a2，0b2，0x≤1，0≤k1，并且x3‑(a+b)/2。
固体电解质包括电化学电池制备方法

[发明专利]全固体二次电池和制备其的方法-CN202180019477.2在审
发明人：金世元;郑成均;铃木直毅;聪藤木;辻村知之;权赫祚;金柱植 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-02-16 - 公布日： 2022-10-25 - 主分类号： H01M10/0585 文献下载
摘要：全固体二次电池包括：正极；负极；以及设置在所述正极和所述负极之间的固体电解质层，其中所述负极包括：负极集流体；与所述负极集流体接触并且包括第一金属的第一负极活性材料层；设置在所述第一负极活性材料层和所述固体电解质层之间并且包括含碳的活性材料的第二负极活性材料层；和接触层，所述接触层在所述第二负极活性材料层和所述固体电解质层之间，并且设置成使得所述接触层防止在所述第二负极活性材料层和所述固体电解质层之间的接触，其中所述接触层包括第二金属，并且具有比所述第一负极活性材料层的厚度小的厚度。
固体二次电池制备方法

[发明专利]复合正极活性材料、其制备方法、包括其的正极层和包括正极层的全固体二次电池-CN202110189850.0在审
发明人： 辻村知之;相原雄一 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-02-18 - 公布日： 2021-08-20 - 主分类号： H01M4/36 文献下载
摘要：本发明涉及复合正极活性材料、其制备方法、包括其的正极层和包括正极层的全固体二次电池。复合正极活性材料包括正极活性材料颗粒；和在所述正极活性材料颗粒的表面上的包覆层，其中所述包覆层包括乙酸盐，其中所述乙酸盐包括碱金属乙酸盐、碱土金属乙酸盐、过渡金属乙酸盐、或其组合、或其衍生物。
复合正极活性材料制备方法包括固体二次电池

[发明专利]磁盘的制造方法及信息记录介质用玻璃基板-CN201710066079.1有效
发明人：中岛哲也;辻村知之;西泽学;小池章夫 -专利权人： AGC株式会社
申请日： 2013-05-31 - 公布日： 2020-10-16 - 主分类号： C03C3/085 文献下载
摘要：本发明涉及磁盘的制造方法及信息记录介质用玻璃基板。本发明提供能够在高温下形成磁记录层的磁盘的制造方法。本发明涉及一种磁盘的制造方法，其包括在温度为550℃以上的玻璃基板上形成磁记录层的工序，其中，该玻璃基板以摩尔百分率计含有60～75％的SiO2、7～17％的Al2O3、0以上且小于2％的B2O3、合计大于18％且为26％以下的MgO、CaO、SrO和BaO中的任意一种以上的成分，上述7种成分的含量合计为95％以上，并且含有合计小于1％的Li2O、Na2O和K2O中的任意一种以上的成分、或者这3种成分均不含有。
磁盘制造方法信息记录介质玻璃

[发明专利]用于全固态二次电池的固体电解质、复合电极、全固态二次电池和制备固体电解质的方法-CN201811306143.X在审
发明人：相原雄一;辻村知之 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-11-05 - 公布日： 2019-05-21 - 主分类号： H01M10/0562 文献下载
摘要：本公开内容提供用于全固态二次电池的固体电解质、复合电极、全固态锂二次电池和制备固体电解质的方法。用于全固态二次电池的固体电解质其中，所述固体电解质具有由式(1)表示的组成，其中1.27‑_xPS_6‑xBr_x (1)。
固体电解质二次电池全固态式( 1 )制备固体电解质复合电极全固态锂二次电池内容提供

[发明专利]无碱玻璃及其制造方法-CN201810689363.9在审
发明人：德永博文;浦田新吾;小池章夫;西泽学;榎本高志;辻村知之 -专利权人： AGC株式会社
申请日： 2013-04-24 - 公布日： 2018-10-23 - 主分类号： C03C3/087 文献下载
摘要：本发明涉及无碱玻璃及其制造方法。本发明提供一种在玻璃制造时澄清作用优良的无碱玻璃，其应变点为710℃以上，50～300℃下的平均热膨胀系数为30×10^‑7～43×10^‑7/℃，T₂为1710℃以下，T₄为1320℃以下，以基于氧化物的质量％计，含有SiO₂ 58.5～67.5、Al₂O₃ 18～24、B₂O₃ 0～1.7、MgO 6.0～8.5、CaO 3.0～8.5、SrO 0.5～7.5、BaO 0～2.5、ZrO₂ 0～4.0，并且含有0.15～0.35％的Cl、0.01～0.15％的F、1～25ppm的SO₃，β‑OH为0.15～0.45mm^‑1。
无碱玻璃平均热膨胀系数玻璃制造澄清作用应变点氧化物制造

[发明专利]无碱玻璃及其制造方法-CN201810652429.7在审
发明人：德永博文;小池章夫;西泽学;辻村知之 -专利权人：旭硝子株式会社
申请日： 2013-06-04 - 公布日： 2018-10-09 - 主分类号： C03C3/093 文献下载
摘要：本发明涉及无碱玻璃及其制造方法。本发明涉及一种无碱玻璃，其应变点为710℃以上，50～350℃下的平均热膨胀系数为30×10‑7～43×10‑7/℃，玻璃粘度达到102dPa·s时的温度T2为1710℃以下，玻璃粘度达到104dPa·s时的温度T4为1320℃以下，以基于氧化物的质量％计，含有SiO2 58.5～67.5、Al2O3 18～24、B2O3 0～1.7、MgO 6.0～8.5、CaO 3.0～8.5、SrO 0.5～7.5、BaO 0～2.5、ZrO2 0～4.0，并且，含有0～0.35质量％的Cl、0.01～0.15质量％的F、0.01～0.3质量％的SnO2，玻璃的β‑OH值为0.15～0.60mm‑1，(MgO/40.3)+(CaO/56.1)+(SrO/103.6)+(BaO/153.3)为0.27～0.35，(MgO/40.3)/((MgO/40.3)+(CaO/56.1)+(SrO/103.6)+(BaO/153.3))为0.40以上，(MgO/40.3)/((MgO/40.3)+(CaO/56.1))为0.40以上，(MgO/40.3)/((MgO/40.3)+(SrO/103.6))为0.60以上。
无碱玻璃玻璃粘度平均热膨胀系数应变点氧化物制造玻璃

[发明专利]无碱玻璃基板及无碱玻璃基板的减薄方法-CN201380028321.6有效
发明人：德永博文;辻村知之;西泽学;小池章夫 -专利权人：旭硝子株式会社
申请日： 2013-05-30 - 公布日： 2016-11-30 - 主分类号： C03C3/091 文献下载
摘要：本发明涉及一种无碱玻璃基板，其为通过氢氟酸(HF)蚀刻处理减薄了5μm以上的、板厚为0.4mm以下的无碱玻璃基板，其比模量为32MNm/kg以上，光弹性常数为31nm/MPa/cm以下，该基板的玻璃的应变点为710℃以上，50～350℃下的平均热膨胀系数为30×10^‑7～43×10^‑7/℃，粘度达到10²dPa·s时的温度T₂为1710℃以下，粘度达到10⁴dPa·s时的温度T₄为1320℃以下，该玻璃的组成以基于氧化物的摩尔％计含有：SiO₂ 66～70、Al₂O₃ 12～15、B₂O₃ 0～1.5、MgO大于9.5且为13以下、CaO 4～9、SrO 0.5～4.5、BaO 0～1、ZrO₂ 0～2，MgO+CaO+SrO+BaO为17～21，MgO/(MgO+CaO+SrO+BaO)为0.40以上，MgO/(MgO+CaO)为0.40以上，MgO/(MgO+SrO)为0.60以上。
玻璃方法

[发明专利]锂离子传导性玻璃陶瓷的制造方法-CN201380045606.0有效
发明人： 辻村知之;篠原伸广 -专利权人：旭硝子株式会社
申请日： 2013-08-21 - 公布日： 2016-11-30 - 主分类号： C03C10/00 文献下载
摘要：本发明具有如下工序：使用包含SiO₂源、ZrO₂源、P₂O₅源、以及Na₂O源的原料形成造粒体的工序；使前述造粒体通过加热气相气氛中，由此使前述造粒体熔融，然后固化，得到具有玻璃相的粉末的工序，其中，以氧化物基准的摩尔百分率表示，前述粉末包含20摩尔％～60摩尔％的SiO₂、5摩尔％～45摩尔％的ZrO₂、3摩尔％～30摩尔％的P₂O₅、以及15摩尔％～45摩尔％的Na₂O；对前述粉末进行热处理，使晶体析出，得到包含玻璃陶瓷的被处理体的工序；以及在包含锂离子的熔融盐中对前述被处理体进行离子交换处理，得到锂离子传导性玻璃陶瓷的工序。
锂离子传导性玻璃陶瓷制造方法

[发明专利]无碱玻璃和无碱玻璃的制造方法-CN201180062824.6有效
发明人： 辻村知之;西泽学;小池章夫 -专利权人：旭硝子株式会社
申请日： 2011-12-20 - 公布日： 2016-11-30 - 主分类号： C03C3/087 文献下载
摘要：本发明涉及一种无碱玻璃，其中，应变点为735℃以上，50～350℃下的平均热膨胀系数为30×10^‑7～40×10^‑7/℃，玻璃粘度达到10²dPa·s时的温度T₂为1710℃以下，玻璃粘度达到10⁴dPa·s时的温度T₄为1340℃以下，失透温度为1330℃以下，以基于氧化物的摩尔%表示，包含SiO₂：66～69、Al₂O₃：12～15、B₂O₃：0～1.5、MgO：6～9.5、CaO：7～9、SrO：0.5～3、BaO：0～1和ZrO₂：0～2，并且MgO+CaO+SrO+BaO为16～18.2，MgO/(MgO+CaO+SrO+BaO)为0.35以上，MgO/(MgO+CaO)为0.40以上且小于0.52，MgO/(MgO+SrO)为0.45以上。
玻璃制造方法

[发明专利]无碱玻璃和无碱玻璃的制造方法-CN201180059101.0有效
发明人： 辻村知之;西泽学;小池章夫 -专利权人：旭硝子株式会社
申请日： 2011-12-02 - 公布日： 2016-10-12 - 主分类号： C03C3/087 文献下载
摘要：本发明涉及一种无碱玻璃，其中，应变点为725℃以上，50～300℃下的平均热膨胀系数为30×10^‑7～40×10^‑7/℃，玻璃粘度达到10²dPa·s的温度T₂为1710℃以下，玻璃粘度达到10⁴dPa·s的温度T₄为1320℃以下，以基于氧化物的摩尔%表示，包含SiO₂：66～70、Al₂O₃：12～15、B₂O₃：0～1.5、MgO：大于9.5且为13以下、CaO：4～9、SrO：0.5～4.5、BaO：0～1和ZrO₂：0～2，MgO+CaO+SrO+BaO为17～21，MgO/(MgO+CaO+SrO+BaO)为0.4以上，MgO/(MgO+CaO)为0.4以上，MgO/(MgO+SrO)为0.6以上，并且实质上不含碱金属氧化物。
玻璃制造方法

[发明专利]无碱玻璃及其制造方法-CN201380029562.2在审
发明人：德永博文;小池章夫;西泽学;辻村知之 -专利权人：旭硝子株式会社
申请日： 2013-06-04 - 公布日： 2015-02-18 - 主分类号： C03C3/112 文献下载
摘要：本发明涉及一种无碱玻璃，其应变点为710℃以上，50～350℃下的平均热膨胀系数为30×10^-7～43×10^-7/℃，玻璃粘度达到10²dPa·s时的温度T₂为1710℃以下，玻璃粘度达到10⁴dPa·s时的温度T₄为1320℃以下，以基于氧化物的质量％计，含有SiO₂ 58.5～67.5、Al₂O₃ 18～24、B₂O₃ 0～1.7、MgO 6.0～8.5、CaO 3.0～8.5、SrO 0.5～7.5、BaO 0～2.5、ZrO₂0～4.0，并且，含有0～0.35质量％的Cl、0.01～0.15质量％的F、0.01～0.3质量％的SnO₂，玻璃的β-OH值为0.15～0.60mm^-1，(MgO/40.3)+(CaO/56.1)+(SrO/103.6)+(BaO/153.3)为0.27～0.35，(MgO/40.3)/((MgO/40.3)+(CaO/56.1)+(SrO/103.6)+(BaO/153.3))为0.40以上，(MgO/40.3)/((MgO/40.3)+(CaO/56.1))为0.40以上，(MgO/40.3)/((MgO/40.3)+(SrO/103.6))为0.60以上。
玻璃及其制造方法

[发明专利]磁盘的制造方法及信息记录介质用玻璃基板-CN201380029770.2在审
发明人：中岛哲也;辻村知之;西泽学;小池章夫 -专利权人：旭硝子株式会社
申请日： 2013-05-31 - 公布日： 2015-02-18 - 主分类号： C03C3/085 文献下载
摘要：本发明提供能够在高温下形成磁记录层的磁盘的制造方法。本发明涉及一种磁盘的制造方法，其包括在温度为550℃以上的玻璃基板上形成磁记录层的工序，其中，该玻璃基板以摩尔百分率计含有60～75％的SiO₂、7～17％的Al₂O₃、0以上且小于2％的B₂O₃、合计大于18％且为26％以下的MgO、CaO、SrO和BaO中的任意一种以上的成分，上述7种成分的含量合计为95％以上，并且含有合计小于1％的Li₂O、Na₂O和K₂O中的任意一种以上的成分、或者这3种成分均不含有。
磁盘制造方法信息记录介质玻璃

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