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[发明专利]微晶玻璃、化学强化玻璃和半导体支撑基板-CN202310803785.5在审
发明人：李清;荒井雄介;小池章夫;小野和孝;古田仁美;泽村茂辉 -专利权人： AGC株式会社
申请日： 2019-08-27 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： C03C10/04 文献下载
摘要：本发明涉及微晶玻璃、化学强化玻璃和半导体支撑基板。本发明的目的在于提供透明性和化学强化特性优异的微晶玻璃以及热膨胀系数大、透明性和强度优异并且在破损时碎片不易飞散的化学强化玻璃。本发明涉及一种微晶玻璃，所述微晶玻璃的换算成厚度0.7mm时的可见光透射率和换算成厚度0.7mm时的雾度值在特定范围内，并且具有特定的组成；并且本发明涉及一种化学强化玻璃，所述化学强化玻璃在表面具有压应力层，并且换算成厚度0.7mm时的可见光透射率、换算成厚度0.7mm时的雾度值、表面压应力和压应力层深度在特定范围内，并且所述化学强化玻璃为具有特定的组成的微晶玻璃。
玻璃化学强化半导体支撑

[发明专利]玻璃盖片和内嵌式液晶显示装置-CN201980013503.3有效
发明人：竹田洋介;小池章夫;池田徹;斋藤康成;府川真;村上贵章 -专利权人： AGC株式会社
申请日： 2019-02-13 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： C03C17/30 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供在显示装置的厚度和制造工序数都不增加的情况下能够防止白浊化的玻璃盖片和内嵌式液晶显示装置。本发明涉及一种玻璃盖片，其具备：具有面积为12000mm2以上的第1主面和第2主面的化学强化玻璃、以及设置于第1主面的防指纹处理层，化学强化玻璃的DOL为20μm以上，拉伸应力层的P2O5的含量为2摩尔％以下，A×B为135以上，防指纹处理层表面的摩擦带电量为－1.5kV～0kV。
玻璃内嵌式液晶显示装置

[发明专利]微晶玻璃、化学强化玻璃和半导体支撑基板-CN202111261226.3有效
发明人：李清;荒井雄介;小池章夫;小野和孝;古田仁美;泽村茂辉 -专利权人： AGC株式会社
申请日： 2019-08-27 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： C03C10/04 文献下载
摘要：本发明涉及微晶玻璃、化学强化玻璃和半导体支撑基板。本发明的目的在于提供透明性和化学强化特性优异的微晶玻璃以及热膨胀系数大、透明性和强度优异并且在破损时碎片不易飞散的化学强化玻璃。本发明涉及一种微晶玻璃，所述微晶玻璃的换算成厚度0.7mm时的可见光透射率和换算成厚度0.7mm时的雾度值在特定范围内，并且具有特定的组成；并且本发明涉及一种化学强化玻璃，所述化学强化玻璃在表面具有压应力层，并且换算成厚度0.7mm时的可见光透射率、换算成厚度0.7mm时的雾度值、表面压应力和压应力层深度在特定范围内，并且所述化学强化玻璃为具有特定的组成的微晶玻璃。
玻璃化学强化半导体支撑

[发明专利]保护玻璃和内嵌式液晶显示装置-CN201980013211.X有效
发明人： 小池章夫;竹田洋介;斋藤康成;池田徹;村上贵章;府川真 -专利权人： AGC株式会社
申请日： 2019-02-13 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： C03C17/30 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供一种在厚度、用于制造的工序数都不増加的情况下能够防止白色浑浊、耐冲击性也优异的保护玻璃和内嵌(In‑cell)式液晶显示装置。本发明涉及一种保护玻璃，其具有：化学强化玻璃，所述化学强化玻璃具有第一主面和第二主面；以及防指纹处理层，所述防指纹处理层设置在第一主面上，化学强化玻璃的拉应力层所含有的全部碱金属中Li的摩尔数最多，DOL为60μm以上，防指纹处理层的表面的摩擦带电量为0kV以下且‑1.5kV以上。
保护玻璃内嵌式液晶显示装置

[发明专利]化学强化玻璃-CN202211474693.9在审
发明人： 小池章夫;小林裕介 -专利权人： AGC株式会社
申请日： 2018-02-06 - 公布日： 2023-02-28 - 主分类号： C03C21/00 文献下载
摘要：化学强化玻璃的表面的压缩应力为200MPa以上，压缩应力为50MPa时的距上述表面的压缩应力层的深度为50μm以上，压缩应力为30MPa时的距上述表面的压缩应力层的深度为60μm以上，临界应力强度因子KIC(Critical Stress Intensity Factor)为0.75MPa·m1/2以上。
化学强化玻璃

[发明专利]强化玻璃-CN202211251919.9在审
发明人：宫坂顺子;小池章夫;山本宏行 -专利权人： AGC株式会社
申请日： 2018-05-31 - 公布日： 2023-01-06 - 主分类号： C03C3/089 文献下载
摘要：本发明涉及将50～350℃的平均热膨胀系数为20×10‑7～50×10‑7/℃、玻璃化转变温度为560℃以上的玻璃进行物理强化而得到的强化玻璃，以及将以氧化物基准的摩尔百分率表示含有R2O：0～4％(R2O在说明书中有规定)和B2O3：5～25％的玻璃进行物理强化而得到的强化玻璃。
强化玻璃

[发明专利]化学强化玻璃-CN201880009901.3有效
发明人： 小池章夫;小林裕介 -专利权人： AGC株式会社
申请日： 2018-02-06 - 公布日： 2023-01-03 - 主分类号： C03C21/00 文献下载
摘要：化学强化玻璃的表面的压缩应力为200MPa以上，压缩应力为50MPa时的距上述表面的压缩应力层的深度为50μm以上，压缩应力为30MPa时的距上述表面的压缩应力层的深度为60μm以上，临界应力强度因子KIC(Critical Stress Intensity Factor)为0.75MPa·m1/2以上。
化学强化玻璃

[发明专利]微晶玻璃、化学强化玻璃和半导体支撑基板-CN202210457998.2在审
发明人：李清;荒井雄介;小池章夫;小野和孝;古田仁美;泽村茂辉 -专利权人： AGC株式会社
申请日： 2019-08-27 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： C03C10/04 文献下载
摘要：本发明涉及微晶玻璃、化学强化玻璃和半导体支撑基板。本发明的目的在于提供透明性和化学强化特性优异的微晶玻璃以及热膨胀系数大、透明性和强度优异并且在破损时碎片不易飞散的化学强化玻璃。本发明涉及一种微晶玻璃，所述微晶玻璃的换算成厚度0.7mm时的可见光透射率和换算成厚度0.7mm时的雾度值在特定范围内，并且具有特定的组成；并且本发明涉及一种化学强化玻璃，所述化学强化玻璃在表面具有压应力层，并且换算成厚度0.7mm时的可见光透射率、换算成厚度0.7mm时的雾度值、表面压应力和压应力层深度在特定范围内，并且所述化学强化玻璃为具有特定的组成的微晶玻璃。
玻璃化学强化半导体支撑

[发明专利]红外线透射玻璃-CN201880062757.X有效
发明人：染谷武纪;西沢学;山本宏行;小池章夫 -专利权人： AGC株式会社
申请日： 2018-09-25 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： C03C4/10 文献下载
摘要：本发明提供一种在不使用毒性化合物的情况下，充分提高规定的红外区域的透射率，并且将可视区域的透射率抑制得较低、工作稳定的红外线传感器用的罩玻璃。本发明的红外线透射玻璃是以氧化物基准的摩尔百分率表示，含有60摩尔％以上的SiO2，含有仅由氧化物构成的透射率调整成分，该红外线透射玻璃的波长900nm～1000nm的透射率的最小值Tmin为70％以上，该透射率的最大值Tmax与最小值Tmin之差(Tmax－Tmin)为10％以下，上述红外线透射玻璃的波长380nm～650nm的透射率的最大值Tvmax为50％以下。
红外线透射玻璃

[发明专利]玻璃-CN201680070737.8有效
发明人：永井研辅;中岛哲也;黑岩裕;土屋博之;谷田正道;小池章夫;西泽学;坪田一男;栗原俊英;鸟居秀成 -专利权人： AGC株式会社;坪田实验室股份有限公司
申请日： 2016-12-02 - 公布日： 2021-09-24 - 主分类号： C03C4/08 文献下载
摘要：本发明涉及一种波长选择透射性的玻璃，其中，所述波长选择透射性的玻璃的由下述式表示的波长大于315nm且小于等于400nm的光透射率T大于315nm且小于等于400nm以板厚6mm换算为1％以上，并且由下述式表示的波长315nm以下的光透射率T315nm以下以板厚6mm换算为60％以下。数学式1，数学式2(上述式中，Ak是用于计算ISO‑9050：2003中规定的T(光透射率)的、波长k(nm)下的加权系数，Tk为波长k(nm)下的板厚6mm换算的透射率)。
玻璃

[发明专利]微晶玻璃、化学强化玻璃和半导体支撑基板-CN201980091249.9在审
发明人：李清;荒井雄介;小池章夫;小野和孝;古田仁美;泽村茂辉 -专利权人： AGC株式会社
申请日： 2019-08-27 - 公布日： 2021-09-14 - 主分类号： C03C10/14 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供透明性和化学强化特性优异的微晶玻璃以及热膨胀系数大、透明性和强度优异并且在破损时碎片不易飞散的化学强化玻璃。本发明涉及一种微晶玻璃，所述微晶玻璃的换算成厚度0.7mm时的可见光透射率和换算成厚度0.7mm时的雾度值在特定范围内，并且具有特定的组成；并且本发明涉及一种化学强化玻璃，所述化学强化玻璃在表面具有压应力层，并且换算成厚度0.7mm时的可见光透射率、换算成厚度0.7mm时的雾度值、表面压应力和压应力层深度在特定范围内，并且所述化学强化玻璃为具有特定的组成的微晶玻璃。
玻璃化学强化半导体支撑

[发明专利]化学强化用玻璃和化学强化玻璃以及化学强化玻璃的制造方法-CN201710290175.4有效
发明人：山崎秀司;小池章夫;加濑准一郎;秋叶周作;宫坂顺子;大原盛辉 -专利权人： AGC株式会社
申请日： 2014-12-12 - 公布日： 2020-12-01 - 主分类号： C03C3/091 文献下载
摘要：本发明涉及化学强化用玻璃和化学强化玻璃以及化学强化玻璃的制造方法。本发明涉及一种化学强化用玻璃，其为以氧化物基准的质量百分率表示含有63～75％的SiO2、3～12％的Al2O3、3～10％的MgO、0.5～10％的CaO、0～3％的SrO、0～3％的BaO、10～18％的Na2O、0～8％的K2O、0～3％的ZrO2和0.005～0.25％的Fe2O3的玻璃板，其中，粘度达到102dPa·s时的温度(T2)为1525℃以下，并且，R2O/Al2O3(式中，R2O为Na2O+K2O)为2.0以上且4.6以下。根据本发明的化学强化用玻璃，解决现有的铝硅酸盐玻璃难以熔融的问题点和CTE升高的问题点，并且可以进一步提高CS和DOL。
化学化用玻璃强化以及制造方法

[发明专利]化学强化用玻璃-CN201980024107.0在审
发明人：村山优;小池章夫 -专利权人： AGC株式会社
申请日： 2019-03-29 - 公布日： 2020-11-17 - 主分类号： C03C3/085 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供一种化学强化后的强度高、不易失透的化学强化用玻璃。本发明涉及一种化学强化用玻璃，以氧化物基准的摩尔百分率表示，所述化学强化用玻璃含有：55％～70％的SiO2、10％～25％的Al2O3、1％～20％的Li2O、0～8％的CaO、0～8％的SrO和0～5％的ZrO2，并且CaO和SrO的含量的合计为1.5％～10％，Na2O和K2O的含量的合计为3％～11％，且由式([Li2O]+[K2O])/[Al2O3]表示的值X为0.1～1.1。
化学化用玻璃

[发明专利]磁盘的制造方法及信息记录介质用玻璃基板-CN201710066079.1有效
发明人：中岛哲也;辻村知之;西泽学;小池章夫 -专利权人： AGC株式会社
申请日： 2013-05-31 - 公布日： 2020-10-16 - 主分类号： C03C3/085 文献下载
摘要：本发明涉及磁盘的制造方法及信息记录介质用玻璃基板。本发明提供能够在高温下形成磁记录层的磁盘的制造方法。本发明涉及一种磁盘的制造方法，其包括在温度为550℃以上的玻璃基板上形成磁记录层的工序，其中，该玻璃基板以摩尔百分率计含有60～75％的SiO2、7～17％的Al2O3、0以上且小于2％的B2O3、合计大于18％且为26％以下的MgO、CaO、SrO和BaO中的任意一种以上的成分，上述7种成分的含量合计为95％以上，并且含有合计小于1％的Li2O、Na2O和K2O中的任意一种以上的成分、或者这3种成分均不含有。
磁盘制造方法信息记录介质玻璃

[发明专利]三维形状的晶化玻璃、三维形状的化学强化玻璃以及它们的制造方法-CN201980015223.6在审
发明人：李清;今北健二;小池章夫;前田枝里子 -专利权人： AGC株式会社
申请日： 2019-02-22 - 公布日： 2020-10-09 - 主分类号： C03C10/12 文献下载
摘要：本发明提供一种三维形状的晶化玻璃，所述三维形状的晶化玻璃用于容易地制造不易损伤且透明性优异的三维形状的化学强化玻璃。本发明的三维形状的晶化玻璃含有晶体，所述三维形状的晶化玻璃的以厚度0.8mm换算的光透射率为80％以上，并且以氧化物基准的质量％表示，所述三维形状的晶化玻璃含有：45％～74％的SiO2、1％～30％的Al2O3、1％～25％的Li2O、0～10％的Na2O、0～5％的K2O、合计0～15％的SnO2和ZrO2中的任意一种以上、以及0～12％的P2O5。
三维形状玻璃化学强化以及它们制造方法

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