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[发明专利]薄膜形成用前体、其制备方法以及包含其的薄膜制备方法-CN202180043888.5在审
发明人：延昌峰;郑在善;边惠兰;严泰泳;李锡宗 -专利权人：秀博瑞殷株式公社
申请日： 2021-06-22 - 公布日： 2023-02-14 - 主分类号： C23C16/18 文献下载
摘要：本发明涉及薄膜形成用前体、其制备方法以及包含其的薄膜制备方法，具体涉及在20℃、1bar条件下为液体，并且，包含20～100重量％的由化学式1表示的配位化合物以及0～80重量％的烷基的碳原子数为1～15的烷基氰化物的薄膜形成用前体、其制备方法以及包含其的薄膜制备方法，[化学式1]MXnLmYz其中，M为铌(Nb)、钨(W)或钼(Mo)；X为卤素元素；n为1～6的整数；L为烷基的碳原子数为1～15的烷基氰化物，或碳原子数为3～15且被一个以上的氮(N)、氧(O)、磷(O)或硫(S)取代的线性或环状饱和烃；m为1～3的整数；所结合的Y为胺；z为0～4的整数；n+z为3～6的整数。根据本发明，提供一种薄膜形成用前体、其制备方法以及包含其的薄膜制备方法，该薄膜形成用前体在常温下为液态，挥发性强，因此沉积速度非常快，并且当注入到薄膜沉积腔室时，易于处理，尤其是热稳定性出色，因而能够制备出纯度高且台阶覆盖性优秀的薄膜。
薄膜形成用前体制备方法以及包含

[发明专利]薄膜制造方法-CN202011015851.5在审
发明人：延昌峰;郑在善;边惠兰;宋泰浩;金素贞;李锡宗 -专利权人：秀博瑞殷株式公社
申请日： 2020-09-24 - 公布日： 2021-05-18 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：涉及薄膜制造方法，其包括：步骤(ⅰ)，使薄膜形成用生长抑制剂吸附在基板表面；以及步骤(ⅱ)，使金属膜前体、金属氧化膜前体、金属氮化膜前体或硅氮化膜前体吸附在吸附有生长抑制剂的基板表面，薄膜形成用生长抑制剂由化学式1表示，金属为选自钨、钴、铬、铝、铪、钒、铌、锗、镧系元素、锕系元素、镓、钽、锆、钌、铜、钛、镍、铱以及钼中的一种以上。本发明通过抑制副反应，降低薄膜生长速率，并通过去除薄膜内的工艺副产物，即便在具有复杂结构的基板上形成薄膜时，也大幅提高阶梯覆盖率及薄膜的厚度均匀性。化学式1：AnBmXoA为碳或硅，B为氢或碳原子数为1至3的烃基，X为卤素，n为1至15的整数，o为1以上的整数，m为0至2n+1。
薄膜制造方法

[发明专利]薄膜制造方法-CN202010111582.6在审
发明人：延昌峰;郑在善;边惠兰;宋泰浩;金素贞;李锡宗 -专利权人：秀博瑞殷株式公社
申请日： 2020-02-24 - 公布日： 2021-03-26 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明涉及薄膜制造方法，其包括：步骤(ⅰ)，使由化学式1表示的薄膜形成用生长抑制剂吸附在基板表面；以及步骤(ⅱ)，使Ti类薄膜前体吸附在吸附有薄膜形成用生长抑制剂的基板表面。本发明通过抑制副反应，降低薄膜生长速率，并通过去除薄膜内工艺副产物，即便在具有复杂结构的基板上形成薄膜时，也大幅提高阶梯覆盖率(step coverage)及薄膜的厚度均匀性。化学式1：AnBmXo其中，所述A为碳或硅，所述B为氢或碳原子数为1至3的烷基，所述X为卤素，所述n为1至15的整数，所述o为1以上的整数，m为0至2n+1。
薄膜制造方法

[发明专利]薄膜形成用生长抑制剂，利用该生长抑制剂的薄膜形成方法以及由此制造的半导体基板-CN202010111806.3在审
发明人：延昌峰;郑在善;边惠兰;宋泰浩;金素贞;李锡宗 -专利权人：秀博瑞殷株式公社
申请日： 2020-02-24 - 公布日： 2021-03-05 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明涉及薄膜形成用生长抑制剂，利用该生长抑制剂的薄膜形成方法以及由此制造的半导体基板，更具体涉及作为由化学式1表示的化合物的薄膜形成用生长抑制剂，利用该生长抑制剂的薄膜形成方法以及由此制造的半导体基板。本发明通过抑制副反应，适当降低薄膜生长速率，并通过去除薄膜内工艺副产物，即便在具有复杂结构的基板上形成薄膜时，也能大幅提高阶梯覆盖率以及薄膜的厚度均匀性。化学式1：AnBmXo所述A为碳或硅，所述B为氢或碳原子数为1至3的烷基，所述X为卤素，所述n为1至15的整数，所述o为1以上的整数，m为0至2n+1。
薄膜形成生长抑制剂利用方法以及由此制造半导体