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[发明专利]一种图像传感器结构和形成方法-CN201911197479.1有效
发明人：顾学强;卢珂;赵一瑞 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司;成都微光集电科技有限公司
申请日： 2019-11-29 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明公开了一种图像传感器结构和形成方法，图像传感器结构包括：像素单元阵列，位于所述像素单元阵列外围的外围电路，位于所述像素单元阵列与外围电路之间且围绕所述像素单元阵列设置的复合屏蔽结构，所述复合屏蔽结构包括光屏蔽结构和热屏蔽结构；其中，所述光屏蔽结构设有围绕所述像素单元阵列的金属隔离结构，用于对所述外围电路发出的光进行隔离，所述热屏蔽结构包括设于所述金属隔离结构内部的空腔，所述空腔内填充有热隔离介质，用于防止热量向所述像素单元阵列传递。本发明能避免因图像传感器外围电路的发光和发热造成的成像质量劣化和失真问题。
一种图像传感器结构形成方法

[发明专利]一种CMOS图像传感器像素组件及其制作方法-CN202211704317.4在审
发明人：余泓希;周阳;王玮;赵一瑞 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司
申请日： 2022-12-29 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明涉及图像传感器领域，特别是涉及一种CMOS图像传感器像素组件及其制作方法，通过在CMOS前驱体上的像素区及P型阱隔离区之间的第一栅格区淀积传输栅栅氧，并在所述传输栅栅氧表面淀积传输栅；在第二栅格区及所述传输栅表面淀积隔离栅栅氧，并在所述隔离栅栅氧表面淀积隔离栅；所述第二栅格区位于所述第一栅格区及所述像素区之间；在多晶栅组四周设置隔离侧墙，得到CMOS预制物；所述多晶栅组包括所述传输栅及所述隔离栅；在所述CMOS预制物上依次设置光电二极管Pin注入区、浮空扩散节点、表面钝化层及互联金属，得到CMOS图像传感器像素组件。本发明拉高了传感器像素的可用满阱，同时，提升像素组件中的像素区占比。
一种 cmos 图像传感器像素组件及其制作方法

[发明专利]利用稀硫酸刻蚀提高二氧化钒薄膜可见光透过率的方法-CN201811210682.3在审
发明人：梁继然;郭津榜;赵一瑞 -专利权人：天津大学
申请日： 2018-10-17 - 公布日： 2019-03-01 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明公开了一种利用稀硫酸刻蚀提高二氧化钒薄膜可见光透过率的方法，采用稀硫酸处理的方式对磁控溅射结合快速退火制备的二氧化钒薄膜进行刻蚀，在整个制备过程中利用酸处理的方式将连续的平面二氧化钒薄膜刻蚀成分离的颗粒，提高薄膜孔隙率。本发明方法所需工艺条件低，易于控制，能够有效提高VO₂的可见光透过率。先溅射金属钒薄膜，再进行热退火氧化，最后利用稀硫酸进行浸泡刻蚀，制造成本低廉，适合大批量工业生产。
刻蚀二氧化钒薄膜稀硫酸可见光透过率金属钒薄膜薄膜孔隙磁控溅射工艺条件快速退火制备过程制造成本热退火酸处理溅射制备浸泡

[发明专利]一种通过二步快速热退火制备氧化钒薄膜的方法-CN201811173112.1在审
发明人：梁继然;杨治彬;赵一瑞;郭津榜 -专利权人：天津大学
申请日： 2018-10-09 - 公布日： 2019-01-11 - 主分类号： C23C14/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种通过二步快速热退火制备氧化钒薄膜的方法，采用磁控溅射的方法沉积金属钒薄膜，然后在快速退火炉中分两步进行热处理，在整个制备过程中没有其他物质的掺杂，仅改变退火参数，然后通过四探针电阻测试系统对制备的薄膜进行表征。通过先溅射钒金属薄膜，再二步快速热退火的方法制备的氧化钒薄膜，能在降低氧化钒薄膜相变温度的同时提高相变幅度，并且工艺条件简单，所需要的制备周期较短，很易于控制。
快速热退火薄膜制备氧化钒薄膜氧化钒薄膜制备快速退火炉热处理测试系统沉积金属磁控溅射工艺条件探针电阻退火参数制备过程制备周期钒金属溅射掺杂

[发明专利]一种通过调控溅射功率提高二氧化钒相变幅度的方法-CN201810123782.6在审
发明人：梁继然;赵一瑞;郭津榜;杨治彬 -专利权人：天津大学
申请日： 2018-02-07 - 公布日： 2018-06-19 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明公开了一种通过调控溅射功率提高二氧化钒相变幅度的方法，通过磁控溅射与快速热退火相结合的方式制备二氧化钒薄膜，采用磁控溅射的方式制备金属钒薄膜，溅射过程中溅射功率采用40‑160W之间的多个参数，同时为了达到薄膜厚度相同的目的，依据功率参数调节溅射时间，然后在快速退火炉中进行快速氧化退火。在整个制备过程中将薄膜的沉积与二氧化钒的制备分离，降低了制备及调控的工艺要求，另外，溅射过程中多功率参数的设置起到了调控金属钒薄膜微结构的作用，进而达到调控和提高二氧化钒相变幅度的目的。本发明利用四探针测试仪对所制备二氧化钒薄膜的相变特性进行研究，设计出一种制备过程简单，易于控制，且能调控和提高VO2相变幅度的方法。
制备二氧化钒调控溅射功率溅射二氧化钒薄膜金属钒薄膜磁控溅射制备过程薄膜退火四探针测试仪快速热退火快速退火炉工艺要求功率参数快速氧化相变特性多功率微结构沉积研究

[发明专利]一种基于VO2@ZnO的丙酮气敏传感器的制备方法-CN201711020657.4在审
发明人：梁继然;杨然;周立伟;赵一瑞;郭津榜 -专利权人：天津大学
申请日： 2017-10-27 - 公布日： 2018-04-20 - 主分类号： G01N27/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于VO2@ZnO的丙酮气敏传感器的制备方法，包括以下步骤VO2纳米棒的制备、ZnO纳米种子表面吸附的VO2纳米棒的制备、表面壳层ZnO纳米棒的生长、涂片。本发明中所运用的制备工艺要求低，设备简单、易操作，制作工艺成本低，制备的步骤相对独立，适合用于大规模的工业生产。本发明方法制备的复合结构形貌较均一，具有较大的比表面积，而且在两种材料接触界面形成异质结结构。该VO2@ZnO复合结构气体传感器在室温下对100ppm的丙酮气体有明显的响应，能够实现在室温下对丙酮气体的有效探测，且响应时间短。本发明所制备的纳米结构在低功耗气敏传感器方向具有较大的应用前景。
一种基于 vo2 zno 丙酮传感器制备方法

[发明专利]一种树枝状VO2@ZnO核壳复合结构的制备方法-CN201710514609.4在审
发明人：梁继然;杨然;周立伟;赵一瑞 -专利权人：天津大学
申请日： 2017-06-29 - 公布日： 2017-11-07 - 主分类号： C01G31/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种树枝状VO2@ZnO核壳复合结构的制备方法，首先水热法制备VO2纳米棒；然后制备ZnO种子液；制备ZnO纳米种子表面吸附的VO2纳米棒；最后表面壳层ZnO纳米棒的生长。本发明中所运用的制备工艺要求低，设备简单、易操作，制作工艺成本低，制备的步骤相对独立，适合用于大规模的工业生产。制备的复合结构各成分结晶良好，形貌较均一，比表面积较大，而且在两种材料接触界面形成异质结结构。该异质结与独特的树枝状形貌结合的结构在降低传感器工作温度、提高传感器的灵敏度与响应速度方面将会有很大的研究空间。
一种树枝 vo2 zno 复合结构制备方法

[实用新型]管路固定支架及其专用的管路夹持结构-CN201320413755.5有效
发明人：李小鹏;赵一瑞 -专利权人：陕西重型汽车有限公司
申请日： 2013-07-11 - 公布日： 2014-02-12 - 主分类号： B60R16/08 文献下载
摘要：一种管路固定支架包括支架本体、车架总成夹持结构。支架本体是一体式结构包括支撑部分、夹持平台、夹持固定脚。支撑部分位于支架本体上部，与夹持平台垂直并且位于远离夹持固定脚的一侧，设有支撑螺栓孔用于连接固定管路；夹持平台位于支架本体中部；夹持固定脚位于夹持平台一个端点，在夹持固定脚端点设有卡口。车架总成夹持结构包括压盘螺栓、压盘螺母、调整板。调整板设有调整螺栓孔并且在其中一个端点设有卡栓，与夹持固定脚端点的卡口对应。一种管路固定支架专用的管路夹持结构包括固定夹持件、固定螺栓、固定螺母。当管路夹持结构的固定夹持件数量为4，在支架本体两侧各分布2，此时支架本体受力均匀，支撑效果更好。
管路固定支架及其专用夹持结构

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