专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种制备碳化硅单晶的方法-CN202111666567.9在审
  • 谢鸿波;黄晋强;权纪亮;郭勇文;金宁昌;刘军;张雅丽;刘纪岸;姚永红 - 广州半导体材料研究所
  • 2021-12-31 - 2022-03-25 - C30B29/36
  • 本发明公开了一种制备碳化硅单晶的方法,包括将原料进行酸洗,去除原料中的外来氧化物;将去除外来氧化物后的原料用纯净水冲洗,去除残留酸和其他污物。然后风干;对风干后的原料经敲、凿,将其中的不合格碳化硅晶体从其中分离出来,成为块状碳化硅晶体;将分离出来的块状碳化硅晶体,破碎至最大截面尺寸不大于15mm的碳化硅晶体;将破碎后的碳化硅晶体再次酸洗,后用纯水清洗,再风干;将碳化硅晶体和助熔剂按比例放入坩埚;将坩埚放入中频加热炉加热,当坩埚内的碳化硅晶体已成熔体状态时,将碳化硅籽晶下降至与熔体液面接触,直至获得碳化硅单晶后结束。
  • 一种制备碳化硅方法

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