[发明专利]一种制备碳化硅单晶的方法在审

专利信息
申请号: 202111666567.9 申请日: 2021-12-31
公开(公告)号: CN114232097A 公开(公告)日: 2022-03-25
发明(设计)人: 谢鸿波;黄晋强;权纪亮;郭勇文;金宁昌;刘军;张雅丽;刘纪岸;姚永红 申请(专利权)人: 广州半导体材料研究所
主分类号: C30B29/36 分类号: C30B29/36;C30B17/00
代理公司: 深圳市创富知识产权代理有限公司 44367 代理人: 侯腾腾
地址: 510000 广东*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明公开了一种制备碳化硅单晶的方法,包括将原料进行酸洗,去除原料中的外来氧化物;将去除外来氧化物后的原料用纯净水冲洗,去除残留酸和其他污物。然后风干;对风干后的原料经敲、凿,将其中的不合格碳化硅晶体从其中分离出来,成为块状碳化硅晶体;将分离出来的块状碳化硅晶体,破碎至最大截面尺寸不大于15mm的碳化硅晶体;将破碎后的碳化硅晶体再次酸洗,后用纯水清洗,再风干;将碳化硅晶体和助熔剂按比例放入坩埚;将坩埚放入中频加热炉加热,当坩埚内的碳化硅晶体已成熔体状态时,将碳化硅籽晶下降至与熔体液面接触,直至获得碳化硅单晶后结束。
搜索关键词: 一种 制备 碳化硅 方法
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  • 本实用新型提供一种碳化硅长晶工艺气体单向导入装置,涉及碳化硅长晶设备技术领域。装置包括阀体,阀体内开设有主通道和旁通道,主通道贯穿阀体,旁通道为弯曲通道,旁通道的两端均连接在主通道上,在气体从主通道的第一端口流向第二端口的过程中,旁通道的第四端口的出气方向A与主通道内的气体流向B之间为锐角,第四端口流出的气体顺着主通道的气体流向第二端口,降低气体进入工艺设备后的流速,提高工艺设备内气体流场的均匀性;在气体从主通道的第二端口流向第一端口的过程中,旁通道的第三端口的出气方向C与主通道内的气体流向D之间为钝角,第三端口流出的气体阻碍主通道的气体流向第一端口,避免气体顺着管道发生逆流。
  • SiC外延片的制造装置和SiC外延片的制造方法-202180092349.0
  • 高村诚;前川拓滋;森本满;真砂纪之;冈孝保 - 罗姆股份有限公司
  • 2021-11-05 - 2023-09-15 - C30B29/36
  • 本发明的SiC外延片的制造装置(2)包括:生长炉(100A);设置在生长炉(100A)的外部,将载气和/或物料气体混合并进行压力调节的气体混合预备室(107);构成为能够将多个包括SiC单晶的两个衬底背靠背接触而成的SiC晶片对(200WP)相互隔开间隙且等间隔配置的晶舟(210);和将设置在生长炉(100A)内的晶舟(210)加热到外延生长温度的加热部(101),在SiC外延片制造装置中,该载气和/或物料气体预先在气体混合预备室(107)中混合并进行压力调节后被导入生长炉(100A),使SiC层在多个SiC晶片对(200WP)的表面生长。本发明提供一种高品质且能够降低成本的SiC外延片的制造装置。
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