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[发明专利]抑制无线供电系统漏磁场的混合屏蔽结构及其优化方法-CN202110865295.9有效
发明人：李砚玲;谢开汶;应杨江;何正友 -专利权人：西南交通大学
申请日： 2021-07-29 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： H02J50/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种抑制无线供电系统漏磁场的混合屏蔽结构及其优化方法，属于电磁屏蔽技术领域，解决了现有无线供电系统因其松耦合特性导致泄漏磁场的问题，本发明包括如下步骤：步骤1：构建由金属导体和屏蔽线圈组合的无源混合屏蔽结构；步骤2：分析无源混合屏蔽结构参数对屏蔽效果的影响，确定待优化参数；步骤3：综合系统工作性能，构建无源混合屏蔽结构参数优化模型，系统工作性能包括传输效率、屏蔽效能；步骤4：求解步骤3的参数优化模型，获得无源混合屏蔽结构的最优参数。本发明解决了单纯依靠屏蔽线圈作为屏蔽结构造成的部分区域磁场增强问题，提升了线圈正对情况下无线供电系统的电磁屏蔽效果，且在偏移情况下依然有良好屏蔽效果。
抑制无线供电系统磁场混合屏蔽结构及其优化方法

[发明专利]一种多负载低泄露磁场的无线充电系统及其参数设计方法-CN202111336754.0有效
发明人：李砚玲;谢开汶;应杨江 -专利权人：西南交通大学
申请日： 2021-11-12 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： H02J50/40 文献下载
摘要：本发明涉及无线充电技术领域，具体公开了一种多负载低泄露磁场的无线充电系统及其参数设计方法，该系统设有发射机构，该发射机构采用特定的排列方式，在应用时每相邻两个发射线圈之间可放入一个接收线圈，接收线圈之间相互解耦，可实现同时为多个负载供电，并且通过合理设计发射线圈的个数和匝数，可在输出功率不变的情况下，在不增加新的抑制材料的情况下，使对外泄露磁场保持在一个较低的水平。该参数设计方法以无线充电系统的工作特性和实际工作状态作为约束条件，以实现对外泄漏磁场水平最低为目标，采用有限元仿真、控制变量法等方法，结合实际的应用场景和发射机构的重量和成本等实际需求，得出最优发射线圈的个数和匝数。
一种负载泄露磁场无线充电系统及其参数设计方法

[发明专利]一种高效低泄漏无线供电系统的耦合机构及其激励方法-CN202210061828.2有效
发明人：李砚玲;蒋旭;谢开汶;应杨江 -专利权人：西南交通大学
申请日： 2022-01-19 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H02J50/10 文献下载
摘要：本发明涉及无线供电技术领域，具体公开了一种高效低泄漏无线供电系统的耦合机构及该耦合机构的激励方法，构建出一个具有正六边形均匀分布特性的多发射线圈结构以及一个总能完整包覆至少一个平面发射线圈的平面接收线圈，保证了最差耦合条件下耦合机构之间仍具有较大的互感之和，从而达到在任意的能量拾取位置处系统传输效率总是不低于预设值η0；基于线圈间的互感及激活判定准则(S1～S5)，选出最优传输效率下的平面发射线圈进行激活判定，突破了现有技术只能对三发射线圈进行激活判定的局限，无需对多发射线圈结构划定供电区域及供电边界，也无需定位平面接收线圈的位置并判断平面接收线圈的大小所处的供电区域。
一种高效泄漏无线供电系统耦合机构及其激励方法

[发明专利]屏蔽外周磁场的感应式WPT双边LCLC拓扑及其参数设计方法-CN202111231581.6有效
发明人：李砚玲;应杨江;谢开汶 -专利权人：西南交通大学
申请日： 2021-10-22 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： H02J50/70 文献下载
摘要：本发明涉及无线供电技术领域，具体公开了一种屏蔽外周磁场的感应式WPT双边LCLC拓扑及其参数设计方法，基于提出的双边LCLC拓扑结构，构造出与发射线圈和接收线圈相互解耦的原边屏蔽线圈和副边屏蔽线圈，并在电流同向时则反向绕制对应的屏蔽线圈，电流反向时则正向绕制对应的屏蔽线圈，使原副边屏蔽线圈的电流方向分别与流经发射线圈和接收线圈的电流反向，从而形成抵消磁场达到削弱收发线圈间磁场泄漏的目的；屏蔽线圈间产生的屏蔽磁场能够在不影响主磁场传能特性的前提下实现对收发线圈外周磁场的屏蔽，且由于LCLC的拓扑特性，能够通过参数设计改变屏蔽线圈内的电流和收发线圈内的电流比值，从而达到最佳的屏蔽效果。
屏蔽磁场感应 wpt 双边 lclc 拓扑及其参数设计方法

[实用新型]一种三相无变压器型级联双降压式并网逆变器的拓扑结构-CN201921310596.X有效
发明人： 谢开汶;龚健;陈思阳;丁永旭;姜俊豪;李皓;蒋书奇 -专利权人：西南石油大学
申请日： 2019-08-13 - 公布日： 2020-03-10 - 主分类号： H02M7/537 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种三相无变压器型级联双降压式并网逆变器的拓扑结构，包括第一相控制电路，以及分别与所述第一相控制电路连接的第二相控制电路和第三相控制电路，其中，所述第二相控制电路还与所述第三相控制电路连接。本实用新型中由于三相无变压器型级联双降压式并网逆变器采用双降压式变换电路结构，开关中自由流过的电流不通过开关的二极管，因此，三相无变压器型级联双降压式并网逆变器TPCDBGCI无需设置死区时间，便具有较高的可靠性和功率密度，本实用新型不仅具有传统双降压式全桥逆变器DFGI的无桥臂直通、高效率和高可靠性的优点，而且输出电压为五电平，具有较高的电能质量，有效地减少了并网电流谐波含量。
一种三相变压器级联降压并网逆变器拓扑结构