专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]钢丝绳减震装置与安装方法及其应用-CN201710581725.8有效
  • 詹宏伟;陈力 - 詹宏伟;陈力
  • 2017-07-17 - 2023-07-11 - F16F7/00
  • 本发明公开了钢丝绳减震装置与安装方法及其在汽车上的应用,该减震装置包括上连接板、下连接板及位于两连接板之间的对称设置的偶数组钢丝绳隔震体,每组钢丝绳隔震体包括上定位板、下定位板及钢丝绳,上、下定位板两侧分别设置有若干固定通孔,钢丝绳依次穿过上、下定位板的固定通孔形成螺旋状;钢丝绳与上、下定位板间固定连接;上定位板与上连接板间,下定位板与下连接板间固定连接;上定位板与钢丝绳的上方各连接点与上连接板的垂直平面为A面,下定位板与钢丝绳的各下连接点与下连接板的垂直平面为B面,A面与B面存在一个偏置距离;相对设置的钢丝绳隔震体的偏置方向相反。本发明减小甚至消除了无弹性区,有效的提高了隔震性能。
  • 钢丝绳减震装置安装方法及其应用
  • [外观设计]吸顶灯(MY-059)-CN202230521659.7有效
  • 詹宏伟 - 詹宏伟
  • 2022-08-10 - 2023-06-16 - 26-05
  • 1.本外观设计产品的名称:吸顶灯(MY‑059)。2.本外观设计产品的用途:室内照明灯具。3.本外观设计产品的设计要点:在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片:设计1立体图。5.指定设计1为基本设计。
  • 吸顶灯my059
  • [外观设计]吸顶灯(MY-069)-CN202230647157.9有效
  • 詹宏伟 - 詹宏伟
  • 2022-09-29 - 2023-01-13 - 26-05
  • 1.本外观设计产品的名称:吸顶灯(MY‑069)。2.本外观设计产品的用途:室内照明灯具。3.本外观设计产品的设计要点:在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片:设计1立体图。5.指定设计1为基本设计。
  • 吸顶灯my069
  • [外观设计]吸顶灯(MY-067)-CN202230646132.7有效
  • 詹宏伟 - 詹宏伟
  • 2022-09-28 - 2022-12-23 - 26-05
  • 1.本外观设计产品的名称:吸顶灯(MY‑067)。2.本外观设计产品的用途:室内照明灯具。3.本外观设计产品的设计要点:在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片:设计1立体图。5.指定设计1为基本设计。
  • 吸顶灯my067
  • [外观设计]吸顶灯(MY-051)-CN202230310457.8有效
  • 詹宏伟 - 詹宏伟
  • 2022-05-24 - 2022-08-19 - 26-05
  • 1.本外观设计产品的名称:吸顶灯(MY‑051)。2.本外观设计产品的用途:室内照明灯具。3.本外观设计产品的设计要点:在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片:设计1立体图。5.指定设计1为基本设计。
  • 吸顶灯my051
  • [发明专利]半导体装置的制造方法-CN202210118529.8在审
  • 黄耀德;詹宏伟;郑咏世;杨景峰;李回 - 台湾积体电路制造股份有限公司
  • 2022-02-08 - 2022-08-09 - H01L21/768
  • 本发明提供半导体装置及半导体装置的制造方法。本发明的制造方法包括在装置晶圆上方形成互连结构。此装置晶圆包括第一集成电路、半导体基板、以及重布线结构。此方法还包括在互连结构的最顶部介电层中形成金属化层及具有阶梯图案密度(stepped pattern density)的一组虚置插入(dummy insertion)结构。这组虚置插入结构及金属化层与介电层一起平坦化。此方法还包括在这组虚置插入结构、金属化层、及介电层的上方形成第一接合层。此方法还包括将载体晶圆接合到第一接合层,形成穿过半导体基板的开口,以及在开口中形成导电通孔并电耦合至重布线结构。
  • 半导体装置制造方法
  • [发明专利]半导体装置的制造方法-CN202210112337.6在审
  • 黄耀德;詹宏伟;郑咏世 - 台湾积体电路制造股份有限公司
  • 2022-01-29 - 2022-08-05 - H01L23/538
  • 在实施例中,半导体装置的制造方法包括执行第一等离子体沉积以在第一集成电路装置的第一侧上方形成缓冲层。第一集成电路装置包括第一基底以及第一内连线结构。此方法亦包括执行第二等离子体沉积以在缓冲层上方形成第一接合层,其中在第二等离子体沉积期间施加的等离子体功率大于在第一等离子体沉积期间施加的等离子体功率。此方法还包括将第一接合层平坦化,在第二基底上方形成第二接合层,将第二接合层压至第一接合层上,且移除第一基底。
  • 半导体装置制造方法

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