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[实用新型]去除晶体表面氧化物的装置-CN202120418414.1有效
发明人：孟杰;赵静敏;袁泽海;赵邦超;周晓霞;董娓 -专利权人：有研光电新材料有限责任公司
申请日： 2021-02-25 - 公布日： 2022-01-04 - 主分类号： B24B27/033 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种去除晶体表面氧化物的装置，该装置包括装置本体、固定件、打磨器组件和控制组件；所述固定件和所述打磨器组件均设置在所述装置本体上，并且通过所述固定件固定待加工样品；所述控制组件连接并驱动所述打磨器组件工作，并且所述控制组件用于调整所述打磨器组件相对于所述待加工样品的打磨位置。该装置通过控制组件驱动打磨器组件对待加工样品进行打磨，无需手工进行打磨，提高效率；并且还可以通过控制组件调整打磨器组件相对于待加工样品的打磨位置及打磨程度，确保打磨的全方位性及一致性。
去除晶体表面氧化物装置

[实用新型]一种高纯镓的脱氧及杂质去除装置-CN201920744359.8有效
发明人：周晓霞;于洪国;焦雪梅;董娓;袁泽海;曲骏;赵静敏 -专利权人：有研光电新材料有限责任公司
申请日： 2019-05-22 - 公布日： 2020-06-12 - 主分类号： C30B35/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种高纯镓的脱氧及杂质去除装置，包括单侧开口的石英管、用于盛放待提纯镓的石英舟、真空法兰和两端均开口的两座可移动式高温加热炉，石英舟位于石英管内，真空法兰与石英管的开口固定连接，两座可移动式高温加热炉分别套于石英管的外部两端。本实用新型的高纯镓的脱氧及杂质去除装置，炉膛高温下使反应管内高纯镓的氧化物及部分挥发性杂质由固态转化为气态的形式挥发除去，从而避免高纯镓中的氧和其它杂质在砷化镓多晶合成时进入晶体内部，有效解决砷化镓单晶中氧及杂质的掺入，提高晶体电学性能。
一种高纯脱氧杂质去除装置

[实用新型]一种多晶合成炉-CN201822020016.5有效
发明人： 袁泽海;于洪国;马远飞;易见伟;马英俊;许所成;李万朋 -专利权人：有研光电新材料有限责任公司
申请日： 2018-12-04 - 公布日： 2019-11-26 - 主分类号： C30B29/42 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种多晶合成炉。该多晶合成炉包括炉体和炉膛，所述炉膛分为高温加热区和低温加热区，还包括在炉膛内的碳化硅炉管以及所述碳化硅炉管内的晶体生长管；所述晶体生长管在低温加热区设置有一种多晶原料放置区；并且所述晶体生长管在高温加热区设置有另一种多晶原料放置区。本实用新型中，多晶合成炉的炉膛内分为高温加热区和低温加热区，且炉膛内设有碳化硅炉管，结构简单、易操作，且能够保证多晶的纯度，得到的砷化镓多晶杂质含量少、镓砷比接近1:1，可控性强且成本低，解决了现有技术中水平梯度凝固法用多晶合成炉结构复杂、不易操作、可控性差且成本高等技术问题。
炉膛多晶合成炉低温加热区高温加热区碳化硅炉管晶体生长本实用新型多晶原料放置区可控性水平梯度凝固法砷化镓炉体镓砷保证

[实用新型]一种用于合成GaAs半导体的水平合成炉-CN201020650463.X有效
发明人：武壮文;景磊;于洪国;马锦伟;袁泽海;赵静敏;周晓霞;时彬 -专利权人：北京有色金属研究总院;国瑞电子材料有限责任公司
申请日： 2010-12-03 - 公布日： 2011-06-22 - 主分类号： C30B11/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了属于合成半导体的水平炉技术领域的一种用于合成GaAs半导体的水平合成炉。该合成炉由九段加热区构成，每一个加热区都是独立的，加热区之间无缝对接，无缝对接的加热区置于炉壳中形成整个合成炉加热体，各加热区的中空部分连接在一起构成炉膛，各加热区的侧面设置热偶孔。本实用新型具有外延性，能适当的增加各段加热区的长度，能一次性大量地合成多晶料。适用面广，通过对各温区的调节，可以形成不同的热场，能适应不同杂质、不同掺杂浓度多晶的生长。合成炉热场优化，很好地克服多晶料中出现气孔、炸管等现象。
一种用于合成 gaas 半导体水平

[实用新型]一种十二段加热区水平单晶炉加热体-CN200820078527.6有效
发明人：于洪国;赵静敏;郑安生;武壮文;王继荣;李爱兵;张海涛;袁泽海 -专利权人：北京有色金属研究总院;国瑞电子材料有限责任公司
申请日： 2008-01-14 - 公布日： 2008-12-31 - 主分类号： C30B11/00 文献下载
摘要：本实用新型属于单晶炉加热体领域，特别涉及一种十二段加热区水平单晶炉加热体。所述加热体由十二段加热区构成，每一个加热区中安装一对铂或铂铑热电偶，该热电偶通过补偿导线与外部控温设备相连接。通过控制各温区的温度，可以在单晶炉中形成优化的热场，有利于生长质量优良的单晶。本实用新型具有外延性，能适当的增加各段加热区的长度，可以适应单晶大型化的要求，提高生产率；适用面广，通过对各温区的调节，可以形成不同的热场，能适应不同杂质、不同掺杂浓度、不同直径的单晶的生长；单晶炉热场优化，有利于提高单晶的质量。
一种二段加热水平单晶炉

[发明专利]一种制备Si、Cu双掺N型高阻GaAs单晶材料的方法-CN200710175397.8无效
发明人：于洪国;武壮文;王继荣;袁泽海;张海涛;赵静敏 -专利权人：北京有色金属研究总院;国瑞电子材料有限责任公司
申请日： 2007-09-29 - 公布日： 2008-07-16 - 主分类号： C30B29/42 文献下载
摘要：一种能够提高设备利用率和产品质量稳定性、降低生产成本和工艺难度，而且易于大规模生产的制备Si、Cu双掺N型高阻GaAs单晶材料的方法。技术方案是：包括下列步骤：(1)选择高纯多晶，多晶的迁移率在3000cm²/v.s以上，浓度小于等于5×10¹⁵cm^－3，以保证高阻单晶材料的迁移率和背景纯度；(2)确定掺Si、掺Cu的重量，按单晶备料的程序将料备好；(3)单晶生长，以保证然Si、Cu在单晶各部位的合理分布；(4)晶片退火。
一种制备 si cu 双掺型高阻 gaas 材料方法