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[发明专利]基于电流密度的芯片热性能优化方法、装置及存储介质-CN202110386614.8在审
发明人：王强;蔡文漪 -专利权人：宸芯科技有限公司
申请日： 2021-04-12 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： G06F30/373 文献下载
摘要：本申请公开一种基于电流密度的芯片热性能优化方法、装置及存储介质。所述基于电流密度的芯片热性能优化方法包括：根据配置于电路板上的芯片建立初始结构模型，并对初始结构模型进行热仿真程序；初始结构模型的热仿真结果未满足第一预设条件时，获取芯片的供电电路的信息；对初始结构模型进行电流密度仿真程序，并基于供电电路的信息和第二预设条件识别供电电路上是否存在电流集中区域；当存在电流集中区域时，修改初始结构模型，并重复执行上述步骤，直至识别出供电电路上不存在电流集中区域；识别出供电电路上不存在电流集中区域后，输出优化结构模型；对优化结构模型进行热仿真优化程序，使得优化结构模型的热仿真结果满足第一预设条件。
基于电流密度芯片性能优化方法装置存储介质

[发明专利]一种测量IGBT在高温反偏试验中结温变化的方法-CN201710749794.5有效
发明人：郭春生;蔡文漪;姜舶洋;罗琳 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2017-08-28 - 公布日： 2020-02-04 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种测量IGBT在高温反偏试验中结温变化的方法，利用IGBT在高温反偏试验中的漏电流与温度的对应关系，对实验中的器件结温进行实时监控的方法。且IGBT漏电流以器件内部MOS部分漏电流为主，在高温反偏试验前需先绘制校温曲线：栅极接地或栅极‑发射极短接，对器件集电极‑发射极加短脉冲电压，在不产生自升温的条件下得到器件漏电流与结温的对应关系，绘制校温曲线图。在高温反偏试验中实时测量器件的漏电流，将漏电流值与校温曲线作比对，可以直接读出器件的结温。
一种测量 igbt 高温试验中结温变化方法

[发明专利]一种二极管结温在线测量校温曲线的建立方法-CN201710750858.3在审
发明人：郭春生;姜舶洋;蔡文漪;罗琳;冯士维 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2017-08-28 - 公布日： 2018-07-10 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种二极管结温在线测量校温曲线的建立方法，属于半导体器件的测量技术领域。将待测器件放入温箱当中，调节温箱温度至任意温度值并保持稳定，此时结温等于温箱的设定温度。为二极管施加一个恒定的小电流I，测量出该条件下的电压值V。因为通入的电流I很小，所以采用连续电信号不会造成温升。通过理论模型对实验数据进行整理，计算出小电流条件下的关键参数，将不随电流大小改变的参数重新代入理论模型，利用理论模型推导出大电流状态下的电流电压与温度的对应关系，并绘制校温曲线。本发明通过小电流条件下的实验结论建立大电流状态下的校温曲线库，在工程上提高了效率，拥有广泛的应用前景。
校温理论模型小电流温箱大电流状态二极管结在线测量测量技术领域半导体器件连续电信号二极管待测器件电流电压关键参数实验数据恒定的曲线库推导放入结温温升测量绘制施加应用

[发明专利]一种利用GaN基HEMT器件反向栅源电流在线测量结温的方法-CN201710751988.9在审
发明人：郭春生;罗琳;孟菊;蔡文漪;姜舶洋 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2017-08-28 - 公布日： 2018-01-23 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：一种利用GaN基HEMT器件反向栅源电流在线测量结温的方法，属于电子器件测试领域。将被测HEMT器件1固定在恒温平台上。然后利用半导体器件分析仪，设置相关参数，测量不同栅源电压Vgs、漏源电压Vds下，的反向栅源电流Igs，再改变恒温平台的温度，测出不同温度下HEMT器件1在不同栅源电压Vgs、漏源电压Vds下的反向栅源电流Igs。最后根据所测数据，绘制HEMT器件在固定漏源电压Vds、栅源电压Vgs下，反向栅源电流Igs随温度的变化关系曲线，建立校温曲线库；根据实际条件选择相应的校温曲线，根据此校温曲线，即可获得HEMT器件在高温反偏条件下的结温。本发明无需破坏器件封装即可测得结温。同时，解决了使用红外热像法或显微激光喇曼法测量温度分辨率偏低的问题。
一种利用 gan hemt 器件反向电流在线测量方法