“蔡宗良”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网_中国专利网

首页在售求购查询申请展会资讯专利榜企服商城升级VIP

立即登录免费注册

在售专利
求购专利
查询专利
新闻资讯
技术展会
招商加盟
专利榜

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

专利名称

专利名称
专利号码
专利分类
申请人
公布日期

农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

专利下载VIP

公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

钻瓜专利网为您找到相关结果70个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]光电元件及其制造方法-CN200710145487.2有效
发明人： 蔡宗良;李玉柱 -专利权人：广镓光电股份有限公司
申请日： 2007-09-14 - 公布日： 2009-03-18 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明提供一种光电元件，包含：第一电极、基底形成于第一电极上；缓冲层形成于基底上，其中该缓冲层包含：含第一含氮化合物层形成在基底上、第二含氮化合物层、及五族/二族化合物层形成在第一含氮化合物层及第二含氮化合物层之间；接着，第一半导体导电层形成在缓冲层上；主动层形成在第一半导体导电层上，其中主动层为具有多个不规则且高低起伏形状的多层量子井；第二半导体导电层形成在主动层上；透明导电层形成于第二半导体导电层上；及第二电极形成在透明导电层上。
光电元件及其制造方法

[发明专利]供半导体光电组件磊晶用的半导体结构组合及其制程-CN200710139180.1有效
发明人： 蔡宗良;程志青 -专利权人：广镓光电股份有限公司
申请日： 2007-07-20 - 公布日： 2009-01-21 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种供一半导体光电组件磊晶用的半导体结构组合及其制程。本发明的半导体结构组合包含一基板及一半导体材料。该基板具有一上表面以及形成于该上表面上的一凹陷。该凹陷的侧壁提供该半导体材料中的至少一个第一磊晶晶体往一第一从优取向成长的至少一个第一成核点。该凹陷的一底部提供该半导体材料中的一第二磊晶晶体往该第一从优取向成长的一第二成核点。邻接该凹陷的平坦区域提供该半导体材料中的至少一个第三磊晶晶体往该第一从优取向成长的至少一个第三成核点。
半导体光电组件磊晶用结构组合及其

[发明专利]具有不规则且高低起伏多层量子井的发光元件外延结构-CN200710109473.5有效
发明人： 蔡宗良;程志青 -专利权人：广镓光电股份有限公司
申请日： 2007-06-26 - 公布日： 2008-12-31 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：一种发光元件的外延结构，包括：一个第一半导体导电层形成于基板之上；一个主动层，以多层量子井(MQW)形成于第一半导体导电层之上；以及一个第二半导体导电层，形成于主动层之上；其中将至少一种异质材料所形成的多个微粒散布于第一半导体导电层与主动层之间，从而形成具有多个不规则且高低起伏的多层量子井。
具有不规则高低起伏多层量子发光元件外延结构

[发明专利]具电磁波雕刻刻痕基板的半导体发光组件及其制造方法-CN200710129020.9有效
发明人： 蔡宗良;蔡炯棋 -专利权人：广镓光电股份有限公司
申请日： 2007-06-29 - 公布日： 2008-12-31 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开一种供一半导体发光组件磊晶的基板及其制造方法。本发明的基板的一上表面具有数个电磁波雕刻的刻痕，其中该半导体发光组件的磊晶执行于该基板的该上表面上。
电磁波雕刻刻痕半导体发光组件及其制造方法

[发明专利]发光二极管的制作方法-CN200810091974.X有效
发明人： 蔡宗良;张智松;陈泽澎 -专利权人：晶元光电股份有限公司
申请日： 2005-03-01 - 公布日： 2008-09-24 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明提出了一种发光二极管的制作方法。本发明方法利用软质透明粘接层，将一透明基材与制作在基材上的发光二极管磊晶结构贴合，并接着移除基材，以将发光二极管磊晶结构移转至透明基材上。然后，对发光二极管磊晶结构进行平台蚀刻步骤，使发光二极管磊晶结构形成第一上表面与第二上表面，而同时暴露出n型半导体层与p型半导体层。接着，依序在发光二极管磊晶结构上形成金属反射层以及阻障层，最后再将电极制作在阻障层上。
发光二极管制作方法

[发明专利]固态发光元件及其制作方法-CN200710002903.3无效
发明人： 蔡宗良 -专利权人：广镓光电股份有限公司
申请日： 2007-01-26 - 公布日： 2008-07-30 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种固态发光元件，包括：一个具有一个外轮廓面的基材，及一层覆盖该基材的外轮廓面的半导体化合物磊晶膜。该外轮廓面具有多数个相间隔地向一实质上垂直于该基材的第一方向凸伸的突出区。每两相邻的突出区共同定义出一个向一相反于该第一方向的第二方向凹陷的凹穴区。该基材的外轮廓面的部分突出区分别具有多数个相间隔地向该第一方向凸伸而出的峰部。每两相邻的峰部共同定义出一个向该第二方向凹陷的谷部。本发明也提供一种如前所述的固态发光元件的制作方法。
固态发光元件及其制作方法

[发明专利]具区域性粗化表面的固态发光设备及其制作方法-CN200610172889.7有效
发明人：李玉柱;蔡炯棋;蔡宗良;林素慧 -专利权人：广镓光电股份有限公司
申请日： 2006-12-26 - 公布日： 2008-07-02 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：一种具区域性粗化表面的固态发光设备，包含：基底、形成于基底并依序具有包含第一型半导体层、有源层及第二型半导体层的外延膜、形成于第二型半导体层并含有II族元素及V族元素且具有介于0.7eV～6.0eV之间的能隙的接触膜、与该外延膜夹置有该接触膜并具有与该接触膜连通的通孔的粗化膜、第一接触电极，及填置于通孔的第二接触电极。第一型半导体层具有未被有源层与第二型半导体层覆盖的平坦面。第一接触电极设置于平坦面。粗化膜具有含有III族及V族元素的粗化层。本发明也提供前述固态发光设备的制作方法。
区域性表面固态发光设备及其制作方法

[实用新型]一种可折合置物架的改良结构-CN200720000934.0无效
发明人： 蔡宗良;蔡长庚 -专利权人： 蔡宗良;蔡长庚
申请日： 2007-01-17 - 公布日： 2008-04-23 - 主分类号： A47G21/00 文献下载
摘要：本实用新型是一种可折合置物架改良结构，该可折合置物架具一平板基材，于作为平板基材上方的两侧冲切一具曲折线形的折合口，将此平板基材向内折合一角度时，则两侧各形成一凸起部，中央同时形成较低的置物部，其置物部上可以放置物品不致轻易滑落。
一种折合置物架改良结构

[发明专利]半导体发光元件及其制造方法-CN200610110828.8有效
发明人：蔡炯棋;蔡宗良;李玉柱 -专利权人：广镓光电股份有限公司
申请日： 2006-08-15 - 公布日： 2008-02-20 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明提供一种具有II－V族(或II－IV－V族)化合物接触层的半导体发光元件及其制造方法。根据本发明的优选具体实施例的半导体发光元件包括基板、第一导电类型半导体材料层、发光层、第一电极、第二导电类型半导体材料层、II－V族(或II－IV－V族)化合物接触层、透明导电层和第二电极。该II－V族(或II－IV－V族)化合物接触层的存在改善了该第二导电类型半导体材料层和该透明导电层之间的欧姆接触。
半导体发光元件及其制造方法

[实用新型]一种可收合的置物架结构改良-CN200720000933.6无效
发明人： 蔡宗良;蔡长庚 -专利权人： 蔡宗良
申请日： 2007-01-17 - 公布日： 2008-01-09 - 主分类号： A47G1/16 文献下载
摘要：本实用新型是有关一种可收合的置物架结构改良，本实用新型可收合的置物架由一平板面板及一后支架所构成，该后支架固定于平板面板后方旋转槽中，同时平板面板中央为较低的置物部，其置物部表面具辊花凸纹，可使放置物品不致轻易滑落，且可减少放置物品表面与置物架的接触面积以减少细菌的沾染。
一种可收合置物架结构改良

[发明专利]化合物、包含它的荧光粉组合物及发光装置-CN200510096522.7无效
发明人：刘宇桓;刘如熹;林益山;葛春明;林庆章;翁炳志;蔡宗良;陈泽澎 -专利权人：晶元光电股份有限公司
申请日： 2005-08-22 - 公布日： 2007-02-28 - 主分类号： C07F19/00 文献下载
摘要：本发明公开一种化合物，其可以被蓝光和/或紫外线(380～480nm)激发产生可见光，可以用作荧光粉，其化学式为Sr_xM_yAl_zSi_12－zN_16－zO_2+z，式中M为稀土元素或Y，x＞0，y＞0，x+y＝2，0≤z≤5。当M为Eu时，该化合物可以被蓝光和/或紫外线激发，产生黄绿光。
化合物包含荧光粉组合发光装置

[发明专利]发光二极管及其制作方法-CN200510008076.X有效
发明人： 蔡宗良;温伟值;江昌翰;张智松 -专利权人：晶元光电股份有限公司
申请日： 2005-02-08 - 公布日： 2006-08-16 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：一种发光二极管及其制作方法。形成发光二极管多晶结构于基材上，之后蚀刻部分发光二极管多晶结构，以形成孔洞，再将透明介电材料填入孔洞中。之后，依序形成欧姆接触层及反射层，并蚀刻反射层及欧姆接触层，以暴露透明介电材料，最后形成黏着导电复合层，通过黏着导电复合层与透明介电材料黏着，以固定欧姆接触层与反射层于发光二极管多晶结构上。
发光二极管及其制作方法

[发明专利]发光二极管及其制作方法-CN200510008075.5有效
发明人： 蔡宗良;温伟值;江昌翰;张智松 -专利权人：晶元光电股份有限公司
申请日： 2005-02-08 - 公布日： 2006-08-16 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：一种发光二极管及其制作方法。形成发光二极管多晶结构于基材上，蚀刻此发光二极管多晶结构，形成孔洞，之后将透明介电材料填入孔洞。利用黏着层，将导电基材与发光二极管多晶结构贴合，并接着移除基材。
发光二极管及其制作方法

[发明专利]覆晶式的发光二极管及其制作方法-CN200510052959.0有效
发明人： 蔡宗良;张智松;陈泽澎 -专利权人：国联光电科技股份有限公司
申请日： 2005-03-01 - 公布日： 2006-05-17 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明提出了一种覆晶式的发光二极管及其制作方法。本发明方法利用软质透明粘接层，将一透明基材与制作在基材上的发光二极管磊晶结构贴合，并接着移除基材，以将发光二极管磊晶结构移转至透明基材上。然后，对发光二极管磊晶结构进行平台蚀刻步骤，使发光二极管磊晶结构形成第一上表面与第二上表面，而同时暴露出n型半导体层与p型半导体层。接着，依序在发光二极管磊晶结构上形成金属反射层以及阻障层，最后再将电极制作在阻障层上。
覆晶式发光二极管及其制作方法

[发明专利]半导体发光组件及其制造方法-CN200410089873.0无效
发明人： 蔡宗良;张智松;陈泽澎 -专利权人：国联光电科技股份有限公司
申请日： 2004-10-28 - 公布日： 2006-05-03 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：一种半导体发光组件及其制造方法。所述半导体发光组件至少包括位于具有凹凸不平表面的半导体层上的光散射偏折层。由于，光从光散射偏折层进入半导体层时，因折射率的不同会造成光的偏折，再加上光进入半导体层的凹凸不平的表面会形成散射。这样一来，可使所述半导体发光组件射出更多的光，而提升所述半导体发光组件的发光效率。
半导体发光组件及其制造方法

友情链接：交换友情链接需要网站权重大于4，网站收录10W以上，如符合条件，请联系QQ：76009968。

关于我们寻求报道投稿须知广告合作版权声明网站地图友情链接企业标识联系我们

在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

版权所有钻瓜科技（天津）有限公司津ICP备15000985号津公网安备 12019202000206号http://www.vipzhuanli.com/公布日期

咨询在线客服

咨询在线客服

tel code back_top