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专利名称
农业 化学；冶金 建筑 机械工程 区域搜索
主分类
A 农业
B 作业；运输
C 化学；冶金
D 纺织；造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [实用新型]一种住宅汽车库排风排烟系统-CN201520537925.X有效
  • 储国成;鲍帅阳;蔡宗良;韩亮;朱加庆 - 南京长江都市建筑设计股份有限公司
  • 2015-07-23 - 2015-12-09 - F24F7/06
  • 本实用新型公开了一种住宅汽车库排风排烟系统，包括排风机房，排风机房内设有排风机，排风机房一侧设有排风竖井，排风机房另一侧设有集气室，风道一端连通集气室，另一端连通排风竖井，集气室外墙墙壁的上方连通有排风兼排烟风管，集气室外墙墙壁的下方设有消声风口，消声风口的集气室一侧连接有排风风管。与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：既满足平时通风要求，也符合消防排烟的规定，同时能够达到公共建筑节能设计的要求，能节省风机的运行成本，而且投资成本低于变频风机，还能有效降低汽车库的土建施工成本和风管制作和安装成本。
  • 一种住宅汽车库排风排烟系统
  • [发明专利]一种住宅汽车库排风排烟系统-CN201510436216.7在审
  • 储国成;鲍帅阳;蔡宗良;韩亮;朱加庆 - 南京长江都市建筑设计股份有限公司
  • 2015-07-23 - 2015-11-04 - F24F7/06
  • 本发明公开了一种住宅汽车库排风排烟系统，包括排风机房，排风机房内设有排风机，排风机房一侧设有排风竖井，排风机房另一侧设有集气室，风道一端连通集气室，另一端连通排风竖井，集气室外墙墙壁的上方连通有排风兼排烟风管，集气室外墙墙壁的下方设有消声风口，消声风口的集气室一侧连接有排风风管。与现有技术相比，本发明的有益效果是：既满足平时通风要求，也符合消防排烟的规定，同时能够达到公共建筑节能设计的要求，能节省风机的运行成本，而且投资成本低于变频风机，还能有效降低汽车库的土建施工成本和风管制作和安装成本。
  • 一种住宅汽车库排风排烟系统
  • [实用新型]磁吸放组件吸力松解结构-CN201120117941.5有效
  • 蔡宗良;蔡宗宏 - 蔡宗良;蔡宗宏
  • 2011-04-19 - 2012-05-23 - H01F7/02
  • 一种磁吸放组件吸力松解结构，由一双翼或单翼或单面板片，其主要系于该双翼或单翼或单面板片上固设或包夹固定永久磁铁片或块，中心轴两端固结于离双边脚板或框体下端中点之2mm～5mm处，亦可随磁铁片或块厚度加高与拉绳及弹簧结合，藉拉绳拉动或滑动双翼或单翼或单面板片将两个因磁铁作用而相吸住之物品利用一边为支点，由对边中点将磁铁并同翼板片或面，斜向翻转拉起或平拉或平推滑动离开，使吸力松解开，作为磁性物的吸放器、或锅盖头、或门后档止器。
  • 磁吸放组件吸力结构
  • [发明专利]光电元件及其形成方法-CN200910128949.9无效
  • 蔡宗良;高琳洁;杨淑莹 - 广镓光电股份有限公司
  • 2009-03-17 - 2010-09-22 - H01L33/00
  • 本发明公开了一种光电元件，包含：第一电极；基板形成在第一电极上；多个多层膜结构形成在基板上，且多个多层膜结构是以具有不同折射率的至少两层绝缘材料层交错堆叠而成；第一半导体导电层形成在基板上且包覆多个多层膜结构；发光层形成在第一半导体导电层上；第二半导体导电层形成在发光层上；透明导电层形成在第二半导体导电层上；以及第二电极形成在透明导电层上，通过基板上的多层膜结构可以增加光线在光电元件内的反射或抗反射效率，以提升光电元件的发光效率。
  • 光电元件及其形成方法
  • [发明专利]组合式晶片载盘及其外延机台-CN200810133012.6无效
  • 程志青;蔡宗良 - 广镓光电股份有限公司
  • 2008-07-04 - 2010-01-06 - H01L21/687
  • 本发明的组合式晶片载盘包含一晶片承座及一上部遮蔽板，所述上部遮蔽板以可拆卸方式设置于所述晶片承座的上表面。所述晶片承座的所述上表面经配置以置放多个晶片，且所述上部遮蔽板具有多个暴露所述晶片的开口。特定来说，所述上部遮蔽板遮蔽所述晶片承座的由所述晶片占据的其它部分以外的一部分，以避免反应气体直接在所述晶片承座的表面上进行化学反应而形成反应物。如此，使所述晶片承座与化学反应隔离，不必在进行下一次制造工艺之前更换所述晶片承座，也不必通过高温烘烤或蚀刻清除所述晶片承座的表面上的所述反应物。
  • 组合式晶片及其外延机台
  • [发明专利]光电组件及其制造方法-CN200810109900.4有效
  • 蔡宗良 - 广镓光电股份有限公司
  • 2008-06-05 - 2009-12-09 - H01L33/00
  • 本发明提供一种光电组件的外延堆栈结构，包含：一基底；一缓冲层形成在基底上；一光电组件的具有多重结构层的外延堆栈结构形成在基底之上，其中外延堆栈结构包含第一半导体导电层、发光层、多重半导体结构层在第一半导体导电层及发光层之间及第二半导体导电层在发光层之上，其中，多重半导体结构层至少包含：复数个第一半导体结构层、复数个第二半导体结构层及复数个第三半导体结构层所构成，且每一第二半导体结构层堆栈在每一第一半导体结构层与每一第三半导体结构层之间，使得多重半导体结构层是以第一/第二/第三交错堆栈的方式形成在第一半导体导电层及发光层之间。
  • 光电组件及其制造方法
  • [发明专利]半导体发光组件-CN200810086106.2有效
  • 蔡宗良;王伟凯;林素慧;陆薏存 - 广镓光电股份有限公司
  • 2008-03-11 - 2009-10-07 - H01L33/00
  • 本发明揭露一种半导体发光组件。半导体发光组件包含基板、第一传导型态半导体材料层、第二传导型态半导体材料层、发光层、第一电极、第二电极以及数个凸状结构。第一传导型态半导体材料层形成于基板上并且具有上表面，包含第一区域以及不同于第一区域的第二区域。第一电极形成于第一区域上，并且发光层及第二传导型态半导体材料层形成于第二区域上。数个凸状结构形成于第一传导型态半导体材料层的上表面上并且介于第一区域以及第二区域之间。至少一个凹陷形成于每一个凸状结构的侧壁。或者，每一个凸状结构的侧壁大致上具有一弧形的轮廓。
  • 半导体发光组件
  • [发明专利]限流电路及具有限流电路的电子装置-CN200810089842.3有效
  • 蔡宗良;杨永祥 - 瑞鼎科技股份有限公司
  • 2008-04-03 - 2009-10-07 - G05F1/56
  • 本发明提供一种具有限流电路的电子装置，包括功率晶体管以及电流限制装置，其中该功率晶体管的宽长比是根据该电子装置的最大负载电流所决定的。该电流限制装置还包括第二晶体管以及压降控制单元。压降控制单元调整致能限流电路所需的第二电位差，相等于功率晶体管输出电流等于限电流值时的源极电位与栅极电位的第一电位差。第二电位差相等于第二晶体管的栅极电位与该第一电压的电位差。本发明还提供了一种限流电路。
  • 限流电路具有电子装置
  • [发明专利]半导体发光组件-CN200810086102.4有效
  • 蔡宗良;王伟凯;林素慧;陆薏存 - 广镓光电股份有限公司
  • 2008-03-11 - 2009-09-16 - H01L33/00
  • 本发明揭露一种半导体发光组件。半导体发光组件包含基板、第一传导型态半导体材料层、第二传导型态半导体材料层、发光层、第一电极、第二电极以及数个凸状结构。第一传导型态半导体材料层形成于基板上并且具有上表面，包含第一区域以及不同于第一区域的第二区域。第一电极形成于第一区域上，并且发光层及第二传导型态半导体材料层形成于第二区域上。数个凸状结构形成于第一传导型态半导体材料层的上表面上并且介于第一区域以及第二区域之间。每一个凸状结构由ITO、SiO2、SiN、ZnO、polymide、BCB、SOG、InO或SnO所制成。
  • 半导体发光组件
  • [发明专利]发光二极管器件及其制造方法-CN200810082385.5有效
  • 洪铭煌;蔡宗良 - 广镓光电股份有限公司
  • 2008-03-04 - 2009-09-09 - H01L33/00
  • 本发明提供一种发光二极管器件及其制造方法。一种发光二极管器件包括基底。位于所述基底上方的缓冲层。位于所述缓冲层上方的第一导电性局限层。位于所述第一导电性局限层上方的发光层。位于所述发光层上方的第二导电性第一局限层。位于所述第二导电性第一局限层上方的具导电性第一接触层。位于所述具导电性第一接触层上方经图案化的第二导电性第二局限层。位于所述第二导电性第二局限层上方经图案化的具导电性第二接触层。位于所述第二接触层上方的透明导电层，具有多个接触穿经所述第二接触层及所述第二导电性第二局限层而电性接触所述第一接触层。位于所述第一导电性局限层上方的第一导电性电极及位于所述透明导电层上方的第二导电性电极。
  • 发光二极管器件及其制造方法
  • [发明专利]光电元件及其制造方法-CN200710154618.3有效
  • 蔡宗良;李玉柱 - 广镓光电股份有限公司
  • 2007-09-17 - 2009-03-25 - H01L33/00
  • 本发明提供一种光电元件，包含：第一电极、基板形成于第一电极上；缓冲层形成于基板上，其中该缓冲层包含：第一含氮化合物层形成在基板之上、五族/二族化合物层形成在第一含氮化合物层之上、第二含氮化合物层形成在五族/二族化合物层之上、及第三含氮化合物层形成在第二含氮化合物层之上；接着，第一半导体导电层形成在缓冲层上；主动层形成在第一半导体导电层上，其中主动层为具有多个不规则且高低起伏形状之多层量子井；第二半导体导电层形成在主动层上；透明导电层形成于第二半导体导电层上；及第二电极形成在透明导电层上。
  • 光电元件及其制造方法
  • [发明专利]发光二极管的封装结构及其应用-CN200710152855.6有效
  • 蔡宗良;程志青 - 广镓光电股份有限公司
  • 2007-09-18 - 2009-03-25 - H01L33/00
  • 本发明一种发光二极管的封装结构及其应用，其中该发光二极管包括：一个第一半导体导电层形成于基板之上；一个主动层，是以多层量子井(Multi-Quantum-Well)形成于第一半导体导电层之上；以及一个第二半导体导电层，形成于主动层之上；其中将至少一种异质材料所形成的多个微粒散布于第一半导体导电层与主动层之间，通过形成具有多个不规则且高低起伏的多层量子井。本发明的发光二极管组件或封装结构，应用于相关电子装置，其光源具有较高的发光效率，而使相关电子装置的使用效能更高。
  • 发光二极管封装结构及其应用
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