专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
专利下载VIP
公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
更多 »
专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
更多 »
钻瓜专利网为您找到相关结果14个,建议您升级VIP下载更多相关专利
  • [发明专利]发光结构-CN202110674036.8有效
  • 大卫·詹姆斯·蒙哥马利;蒂姆·米迦勒·斯米顿 - 夏普株式会社
  • 2021-06-17 - 2023-08-01 - H10K50/856
  • 一种发光结构,包括围绕基板上的子像素堆叠的堤部、子像素堆叠上方的内部空间中的第一填充材料以及第一填充材料上方的第二填充材料。子像素堆叠沿着基本上垂直于子像素堆叠的顶表面的轴上方向透过第一和第二填充材料之间的界面发射第一发射峰。子像素堆叠沿离轴方向发射第二发射峰,该第二发射峰在到达斜坡的倾斜侧壁之前被界面全内反射,然后沿离轴方向发射。子像素堆叠的发光区域被配置成使得第二发射峰在到达倾斜侧壁之前被界面反射不多于一次。
  • 发光结构
  • [发明专利]光发射结构、显示设备及子像素结构-CN202110272512.3有效
  • 大卫·詹姆斯·蒙哥马利;蒂姆·米迦勒·斯米顿 - 夏普株式会社
  • 2021-03-12 - 2023-07-04 - H10K59/121
  • 一种光发射结构包括:基板、所述基板的表面上方的子像素堆栈以及所述基板上包围所述子像素堆栈的堤。所述光发射结构还包括:内部空间中的第一填充材料,和所述第一填充材料上方的第二填充材料。所述子像素堆栈沿着基本垂直于所述堆栈的顶面的在轴方向发射第一发射峰,并且沿着与所述在轴方向成一角度的离轴方向发射第二发射峰。所述第一发射峰是在基本上没有全内反射的情况下经过所述第一填充材料和所述第二填充材料之间的界面发射的。所述第二个发射峰被所述界面完全内部反射之后到达所述堤的倾斜侧壁,并且沿着所述在轴方向发射。
  • 发射结构显示设备像素
  • [发明专利]发光装置-CN202110034902.7在审
  • 大卫·詹姆斯·蒙哥马利;蒂姆·米迦勒·斯米顿 - 夏普株式会社
  • 2021-01-12 - 2021-08-03 - H01L51/52
  • 发光装置通过沿着堤结构采用反射光学腔改善光提取以具有增强的光输出。该发光装置包括:堤结构;发射腔,设置在该堤结构内;填充材料层,设置在该堤结构内并且位于该发射腔的发光侧上;以及反射光学腔,沿着该堤结构面向该填充材料层的内表面设置。该反射光学腔被配置为将被该填充材料层的发光侧表面内反射并入射到该反射光学腔上的光外耦合。反射光学腔包括由非导电电介质层分开的第一导电层和第二导电层。第一导电层抵靠堤构造的内表面配置,第二导电层抵靠与堤结构的内表面相对的填充材料层设置。发射腔包括设置在第一电极层和第二电极层之间的发光层,第一导电层配置为第一电极层的延伸部,第二导电层配置为第二电极层的延伸部。
  • 发光装置
  • [发明专利]具有源极跟随器的TFT像素阈值电压补偿电路-CN202110012839.7在审
  • 陆彤;M·J·布朗洛;蒂姆·米迦勒·斯米顿 - 夏普株式会社
  • 2021-01-06 - 2021-07-13 - G09G3/3208
  • 一种用于显示设备的像素电路,最小化一个水平时间,同时保持对驱动晶体管的阈值电压的精确补偿,并进一步考虑电压电源的任何变化。像素电路包括第一驱动晶体管,被配置为根据施加到第一驱动晶体管的栅极和第一端子的电压来控制在发光阶段期间流向发光器件的电流量;以及第二驱动晶体管,被配置为源极跟随器,其中第二驱动晶体管的第一端子连接到第一电源线,并且第二驱动晶体管的第二端子连接到第一驱动晶体管的第一端子。第一驱动晶体管是p型或n型晶体管中的一种,并且第二驱动晶体管是p型或n型晶体管中的另一种。发光器件在发光阶段在第一端子处电连接到第一驱动晶体管的第二端子,并且在第二端子处电连接到第二电源线。
  • 有源跟随tft像素阈值电压补偿电路
  • [发明专利]具有透明纳米颗粒电极的发光装置-CN202011219262.9在审
  • 爱德华·安德鲁·伯尔德曼;蒂姆·米迦勒·斯米顿 - 夏普株式会社
  • 2020-11-04 - 2021-05-21 - H01L51/52
  • 一种发光装置并入包括导电纳米颗粒的电极以提高发射性能。一种发光装置包括:基板;第一电极,所述第一电极在所述基板上设置在所述发光装置的观看侧与所述基板之间;第二电极,所述第二电极设置在所述第一电极与所述发光装置的所述观看侧之间,其中所述第二电极包括一层导电的纳米颗粒;以及包括量子纳米颗粒的发射层,所述发射层与所述第一电极和所述第二电极进行电接触,其中所述第一发射层包括在电激励时发射光的材料。多个发光装置可构成诸如用于显示装置的组合成像素的子像素,其中每个子像素发射不同颜色的光。电荷传输层的厚度对于所述子像素是相同的,和/或不同子像素的发射层部分具有不同厚度。
  • 具有透明纳米颗粒电极发光装置
  • [发明专利]通过相分的发射层图案化制造的QLED-CN202010692173.X在审
  • 恩里科·安焦尼;蒂姆·米迦勒·斯米顿 - 夏普株式会社
  • 2020-07-17 - 2021-01-29 - H01L51/50
  • 一种发光器件,包括整合式电荷传输与发射层(CCTEL)。发光器件包括阳极,阴极以及设置在阳极和阴极之间的CCTEL,该CCTEL包括交联的电荷传输材料和量子点。所述量子点在所述交联的电荷传输材料中不均匀地分布。量子点可以从交联的电荷传输材料相分,由此量子点形成至少部分在CCTEL内的层,且在CCTEL的最靠近阴极或阳极的外表面处或附近。随着溶剂中包括交联材料和量子点的混合物在溶剂中的沉积,量子点可以至少部分地从交联材料相分。量子点可以至少部分地响应于激活刺激,例如曝光于UV光,而与交联材料相分。
  • 通过发射图案制造qled
  • [发明专利]高效率QLED结构-CN202010692210.7在审
  • 大卫·詹姆斯·蒙哥马利;爱德华·安德鲁·伯尔德曼;蒂姆·米迦勒·斯米顿 - 夏普株式会社
  • 2020-07-17 - 2021-01-29 - H01L51/50
  • 一种发光层结构,通过改变由反射电极引入的相位偏移,最大限度地增加对光发射的相长干涉。发光层结构包括第一和第二光腔,所述第一和第二光腔包括第一和第二反射电极;第一和第二部分透明电极;以及设置在第一和第二反射电极与第一和第二部分透明电极之间的第一和第二发射层(EML),其中,第一EML发射具有第一波长的光;其中,第一反射电极根据第一波长在第一EML发射的光的反射上引入第一相位偏移;其中,第二EML发射具有第二波长的光,并且第二反射电极根据第二波长在第二EML发射的光的反射上引入第二相位偏移,并且第一相位偏移与第二相位偏移不同。
  • 高效率qled结构
  • [发明专利]具有改良的发光颜色的无镉量子点发光器件-CN202010055774.X在审
  • 爱德华·安德鲁·伯尔德曼;恩里科·安焦尼;蒂姆·米迦勒·斯米顿 - 夏普株式会社
  • 2020-01-17 - 2020-08-04 - H01L51/50
  • 一种发光器件,被配置为根据Rec.2020规范改良地发光。该发光器件包括基板;第一电极,设置在基板上方,且设置在所述发光器件的外表面和所述基板之间;第二电极,设置在第一电极和外表面之间;第一发光层,与第一电极和第二电极电接触,其中第一发光层包括当电激发时发光的量子点,并且其中第一发光层与第一峰值波长λ1相匹配;第二发光层,设置在第一发光层和发光器件的观察侧之间,其中第二发光层是包括被光激发时发射光的量子点的光致发光层,并且第二发光层与不同于第一峰值波长的的第二峰值波长λ2相匹配。第二发光层用于将由第一发光层发射的光的一部分从第一峰值波长转换为第二峰值波长,使得所得的总发射光符合Rec.2020规范。
  • 具有改良发光颜色量子器件

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top